1.一种电流复用的射频放大器电路，其特征在于，包括偏置电压产生电路和放大器主体电路；所述的偏置电压产生电路产生晶体管栅极偏置电压，所述的放大器主体电路实现射频信号的传输和放大。
2.根据权利要求1所述的电流复用的射频放大器电路，其特征在于，所述偏置电压产生电路包括晶体管ma1，片上电容c1，n个片上电阻ra1、ra2、…、ran，n个片上电阻rb1、rb2、…、rbn，电压输入端vb和n个电压输出端vb1、vb2、…、vbn,所述的n≥2；片上电阻ran的一端为电压输入端vb，另一端分别与片上电阻rbn的一端、片上电阻ran-1的一端连接；片上电阻rbn的另一端为电压输出端vbn；所述片上电阻ra1的另一端、片上电阻rb1的一端、片上电容c1的一端与晶体管ma1的漏极和栅极连接；片上电阻rb1的另一端为电压输出端vb1，晶体管ma1的衬底和源极、片上电容c1的另一端接地。
3.根据权利要求1所述的电流复用的射频放大器电路，其特征在于，所述放大器主体电路包括n个差分放大单元，一个片上两圈耦合变压器tfn+1，射频信号输入端inp、inn，射频信号输出端outp、outn，直流电压输入端vdd；n个差分放大单元依次相连后，连接片上两圈耦合变压器tfn+1。
4.根据权利要求3所述的电流复用的射频放大器电路，其特征在于，所述第i差分放大单元包括一个片上四圈耦合变压器tfi，两个晶体管mi,1、mi,2和两个片上电容ci,1、ci,2。i＝1、2、…、n-1，所述晶体管mi,1、mi,2优选为四端口nmos管，片上电容ci,1和ci,2电容值相等；片上四圈耦合变压器tfi的信号输出端21、晶体管mi,1的栅极与所述的片上电容ci,1的一端连接，片上四圈耦合变压器tfi的信号输出端22、所述晶体管mi,2的栅极与所述片上电容ci,2的一端连接；片上四圈耦合变压器tfi的信号输出端31与与晶体管mi,2的源极连接，片上四圈耦合变压器tfi的信号输出端32与晶体管mi,1的源极连接；片上四圈耦合变压器tfi的信号输出端41与晶体管mi,1的衬底连接，片上四圈耦合变压器tfi的信号输出端42与晶体管mi,2的衬底连接；晶体管mi,1的漏极、片上电容ci,2的另一端与所述片上四圈耦合变压器tfi+1的信号输入端11连接，晶体管mi,2的漏极、片上电容ci,1的另一端与片上四圈耦合变压器tfi+1的信号输入端12连接；所述片上四圈耦合变压器tfi,i＝1、2、…、n，的第二电感的中心抽头为所述的偏置电压输入端vbi；所述片上四圈耦合变压器tf1的信号输入端11为射频信号输入端inp，信号输入端12为射频信号输入端inn；所述第n差分放大单元包括一个片上四圈耦合变压器tfn，两个晶体管mn,1、mn,2和两个片上电容cn,1、cn,2。所述晶体管mn,1、mn,2优选为四端口nmos管，片上电容cn,1和cn,2电容值相等；片上四圈耦合变压器tfn的信号输出端21、晶体管mn,1的栅极与所述的片上电容cn,1的一端连接，片上四圈耦合变压器tfn的信号输出端22、所述晶体管mn,2的栅极与所述片上电容cn,2的一端连接；片上四圈耦合变压器tfn的信号输出端31与晶体管mn,2的源极连接，片上四圈耦合变压器tfn的信号输出端32与晶体管mn,1的源极连接；片上四圈耦合变压器tfn的信号输出端41与晶体管mn,1的衬底连接，片上四圈耦合变压器tfn的信号输出端42与晶体管mn,2的衬底连接；晶体管mn,1的漏极、片上电容cn,2的另一端与所述片上两圈耦合变压器tfn+1的初级线圈的一端连接，晶体管mn,2的漏极、片上电容cn,1的另一端与片上两圈耦合变压器tfn+1的初级线圈的另一端连接，片上两圈耦合变压器tfn+1的初级线圈的中心抽头为直流电压输入端vdd；片上两圈耦合变压器tfn+1的次级线圈的两端分别为射频信号输出端outp、outn。
5.根据权利要求3所述的电流复用的射频放大器电路，其特征在于，所述第i差分放大单元包括一个片上三圈耦合变压器tfi，两个晶体管mi,1、mi,2和两个片上电容ci,1、ci,2。i＝1、2、…、n-1，所述晶体管mi,1、mi,2优选为三端口nmos管，片上电容ci,1和ci,2电容值相等；所述片上三圈耦合变压器tfi的信号输出端21、晶体管mi,1的栅极与所述的片上电容ci,1的一端连接，片上三圈耦合变压器tfi的信号输出端22、所述晶体管mi,2的栅极与所述片上电容ci,2的一端连接；片上三圈耦合变压器tfi的信号输出端31与晶体管mi,2的源极、晶体管mi,2的衬底连接，片上三圈耦合变压器tfi的信号输出端32与晶体管mi,1的源极、晶体管mi,2的衬底连接；晶体管mi,1的漏极、片上电容ci,2的另一端与所述片上三圈耦合变压器tfi+1的信号输入端11连接，晶体管mi,2的漏极、片上电容ci,1的另一端与片上三圈耦合变压器tfi+1的信号输入端12连接；所述片上三圈耦合变压器tfi,i＝1、2、…、n，的第二电感的中心抽头为所述的偏置电压输入端vbi；所述片上三圈耦合变压器tf1的信号输入端11为射频信号输入端inp，信号输入端12为射频信号输入端inn；所述第n差分放大单元包括一个片上三圈耦合变压器tfn，两个晶体管mn,1、mn,2和两个片上电容cn,1、cn,2。所述晶体管mn,1、mn,2优选为三端口nmos管，片上电容cn,1和cn,2电容值相等；片上三圈耦合变压器tfn的信号输出端21、晶体管mn,1的栅极与所述的片上电容cn,1的一端连接，片上三圈耦合变压器tfn的信号输出端22、所述晶体管mn,2的栅极与所述片上电容cn,2的一端连接；片上三圈耦合变压器tfn的信号输出端31与晶体管mn,2的源极、晶体管mn,2的衬底连接，片上三圈耦合变压器tfn的信号输出端32与晶体管mn,1的源极、晶体管mn,2的衬底连接；晶体管mn,1的漏极、片上电容cn,2的另一端与所述片上两圈耦合变压器tfn+1的初级线圈的一端连接，晶体管mn,2的漏极、片上电容cn,1的另一端与片上两圈耦合变压器tfn+1的初级线圈的另一端连接，片上两圈耦合变压器tfn+1的初级线圈的中心抽头为直流电压输入端vdd；片上两圈耦合变压器tfn+1的次级线圈的两端分别为射频信号输出端outp、outn。
6.根据权利要求3所述的电流复用的射频放大器电路，其特征在于，所述第i差分放大单元包括一个片上三圈耦合变压器tfi，两个晶体管mi,1、mi,2和两个片上电容ci,1、ci,2。i＝1、2、…、n-1，所述晶体管mi,1、mi,2优选为npn型三极管，片上电容ci,1和ci,2电容值相等；所述片上三圈耦合变压器tfi的信号输出端21、晶体管mi,1的基极与所述的片上电容ci,1的一端连接，片上三圈耦合变压器tfi的信号输出端22、所述晶体管mi,2的基极与所述片上电容ci,2的一端连接；片上三圈耦合变压器tfi的信号输出端31与晶体管mi,2的发射极连接，片上三圈耦合变压器tfi的信号输出端32与晶体管mi,1的发射极连接；晶体管mi,1的集电极、片上电容ci,2的另一端与所述片上三圈耦合变压器tfi+1的信号输入端11连接，晶体管mi,2的集电极、片上电容ci,1的另一端与片上三圈耦合变压器tfi+1的信号输入端12连接；所述片上三圈耦合变压器tfi,i＝1、2、…、n，的第二电感的中心抽头为所述的偏置电压输入端vbi；所述片上三圈耦合变压器tf1的信号输入端11为射频信号输入端inp，信号输入端12为射频信号输入端inn；所述第n差分放大单元包括一个片上三圈耦合变压器tfn，两个晶体管mn,1、mn,2和两个片上电容cn,1、cn,2。所述晶体管mn,1、mn,2优选为npn型三极管，片上电容cn,1和cn,2电容值相等；片上三圈耦合变压器tfn的信号输出端21、晶体管mn,1的基极与所述的片上电容cn,1的一端连接，片上三圈耦合变压器tfn的信号输出端22、所述晶体管mn,2的基极与所述片上电容cn,2的一端连接；片上三圈耦合变压器tfn的信号输出端31与晶体管mn,2的发射极连接，片上三圈耦合变压器tfn的信号输出端32与晶体管mn,1的发射极连接；晶体管mn,1的集电极、片上电容cn,2的另一端与所述片上两圈耦合变压器tfn+1的初级线圈的一端连接，晶体管mn,2的集电极、片上电容cn,1的另一端与片上两圈耦合变压器tfn+1的初级线圈的另一端连接；片上两圈耦合变压器tfn+1初级线圈的中心抽头为直流电压输入端vdd；所述片上两圈耦合变压器tfn+1的次级线圈的两端分别为射频信号输出端outp、outn。
7.根据权利要求3所述的电流复用的射频放大器电路，其特征在于，所述片上四圈耦合变压器tf1包括片上电感la1、la2、la3、la4，信号输入端11、12，信号输出端21、22、31、32、41、42和偏置电压输入端2；所述的片上电感la1的两端分别为所述的信号输入端11、12，片上电感la1的中心抽头悬空；所述的片上电感la2的两端分别为所述的信号输出端21、22连接，片上电感la2的中心抽头为所述的偏置电压输入端2；所述片上电感la3的两端分别为所述信号输出端31、32；所述片上电感la4的两端分别为所述的信号输出端41、42；片上电感la3的中心抽头与片上电感la4的中心抽头相连并接地；所述的片上四圈耦合变压器tf2、tf3、…、tfn(n＝2，3，…)包括片上电感lb1、lb2、lb3、lb4，信号输入端11、12，信号输出端21、22、31、32、41、42和偏置电压输入端2；所述片上电感lb1的两端分别为所述的信号输入端11、12；所述的片上电感lb2的两端分别为所述的信号输出端21、22，片上电感lb2的中心抽头为所述偏置电压输入端2；所述的片上电感lb3的两端分别为所述的信号输出端31、32；所述的片上电感lb4的两端分别为所述的信号输出端41、42；所述片上电感lb1的中心抽头、片上电感lb3的中心抽头和片上电感lb4的中心抽头连接。
8.根据权利要求5或6所述的电流复用的射频放大器电路，其特征在于，所述片上三圈耦合变压器tf1包括片上电感lc1、lc2、lc3，信号输入端11、12，信号输出端21、22、31、32以及偏置电压输入端2；所述的片上电感lc1的两端分别与所述的信号输入端11、12连接，片上电感lc1的中心抽头悬空；所述的片上电感lc2的两端分别为所述的信号输出端21、22，片上电感lc2的中心抽头为所述的偏置电压输入端2；所述的片上电感lc3的两端分别为所述的信号输出端31、32；片上电感lc3的中心抽头接地；所述片上三圈耦合变压器tf2、tf3、…、tfn(n＝2，3，…)包括片上电感ld1、ld2、ld3，信号输入端11、12，信号输出端21、22、31、32以及偏置电压输入端2；所述的片上电感ld1的两端分别为所述的信号输入端11、12，片上电感ld1的中心抽头和片上电感ld3的中心抽头连接；所述的片上电感ld2的两端分别为所述的信号输出端21、22，片上电感ld2的中心抽头为所述的偏置电压输入端2；所述的片上电感ld3的两端分别为所述的信号输出端31、32。