技术特征：
1.一种mems声波器件，包括：压电层，所述压电层为铌酸锂单晶压电层，且所述压电层为(yxl)158
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171
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的旋转y切的切型。2.根据权利要求1所述的器件，其中：所述压电层为(yxl)163
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的旋转y切的切型。3.根据权利要求1或2所述的器件，其中：所述声波器件为体声波谐振器，所述谐振器包括基底、声学镜、底电极和顶电极，所述压电层设置在底电极与顶电极之间。4.根据权利要求3所述的器件，其中：声学镜、底电极、压电层和顶电极在谐振器的厚度方向上的重合区域构成谐振器的有效区域；在有效区域之外，所述压电层的上表面的至少一部分设置有绝缘层。5.根据权利要求4所述的器件，其中：在顶电极的处于有效区域之外的部分对应的区域，所述绝缘层至少设置在顶电极的下表面与压电层的上表面之间；所述绝缘层的材料选自二氧化硅、氮化硅、碳化硅、蓝宝石中的一种，或者所述绝缘层的材料的导热系数不小于0.2w/cm
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k。6.根据权利要求3所述的器件，其中：所述压电层的下表面与基底的上表面之间设置有支撑结构，所述支撑结构的材料选自氮化铝、氮化硅、碳化硅、多晶硅、单晶硅、二氧化硅、无定形硅、掺杂二氧化硅中的一种，或者所述支撑结构的材料的导热系数不小于0.2w/cm
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k。7.根据权利要求3所述的器件，其中：所述声学镜为声学镜空腔。8.根据权利要求7所述的器件，其中：所述声学镜空腔为凹入到支撑层内的形状，且声学镜空腔的下边界由所述支撑层限定；或者所述声学镜空腔的下边界由所述基底限定。9.根据权利要求3所述的器件，其中：声学镜、底电极、压电层和顶电极在谐振器的厚度方向上的重合区域构成谐振器的有效区域；在有效区域之外，所述压电层的上表面的至少一部分设置有绝缘层。10.根据权利要求9所述的器件，其中：在顶电极的处于有效区域之外的部分对应的区域，所述绝缘层至少设置在顶电极的下表面与压电层的上表面之间；所述绝缘层的材料选自二氧化硅、氮化硅、碳化硅、蓝宝石中的一种，或者所述绝缘层的材料的导热系数不小于0.2w/cm
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k。11.根据权利要求3所述的器件，其中：压电层为薄膜材料，厚度范围0.1微米至10微米之间。12.一种体声波谐振器的制作方法，包括步骤：
提供poi晶圆，所述poi晶圆包括衬底、压电层以及设置在压电层的第一侧与衬底之间的绝缘层，所述压电层为铌酸锂单晶压电层且构成所述谐振器的压电层，所述压电层为(yxl)158
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的旋转y切的切型；在压电层的第二侧设置谐振器的底电极，第二侧与所述第一侧在压电层的厚度方向上相对；移除衬底和至少一部分绝缘层，在移除衬底的过程中，所述绝缘层作为保护压电层的阻挡层，所述至少一部分绝缘层被移除以露出所述压电层的第一侧，且所述压电层的与谐振器的有效区域对应的绝缘层被移除；在压电层的第一侧设置谐振器的顶电极。13.根据权利要求12所述的方法，其中：移除全部的绝缘层。14.根据权利要求12所述的方法，其中：使得在所述谐振器的顶电极的处于所述有效区域之外的部分对应的区域，在顶电极与压电层之间保留有所述绝缘层。15.根据权利要求12所述的方法，其中：所述压电层为(yxl)163
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的旋转y切的切型。16.根据权利要求12所述的方法，其中：压电层为薄膜材料，厚度范围0.1微米至10微米之间。17.一种滤波器，包括根据权利要求1-11中任一项所述的声波器件。18.一种电子设备，包括根据权利要求17所述的滤波器，或者根据权利要求1-11中任一项所述的声波器件。
技术总结
本发明涉及一种MEMS声波器件，包括压电层，所述压电层为铌酸锂单晶压电层，且所述压电层为(yxl)158
技术研发人员：张孟伦 庞慰 杨清瑞
受保护的技术使用者：诺思（天津）微系统有限责任公司
技术研发日：2021.04.27
技术公布日：2022/10/27