多尔蒂功率放大器、系统及控制方法与流程

1.本发明涉及射频技术领域，尤其涉及一种多尔蒂功率放大器、系统及控制方法。


背景技术：

2.多尔蒂功率放大器技术是提高射频功率放大效率的一种常用技术。理想多尔蒂功率放大器的基本原理是利用一对放大器的并行组合来对射频输入信号进行放大。然而，多尔蒂功率放大器的线性度和功率附加效率对多尔蒂功率放大器的性能影响较大。因此，如何在保证线性度的同时提高多尔蒂功率放大器的功率附加效率成为目前亟待解决的技术问题。


技术实现要素：

3.本发明实施例提供一种多尔蒂功率放大器、系统及控制方法，以解决多尔蒂功率放大器的功率附加效率较低的问题。
4.一种多尔蒂功率放大器，包括：
5.载波放大电路；
6.峰值放大电路；
7.峰值偏置电路，被配置为提供峰值偏置信号至所述峰值放大电路；
8.检测控制电路，被配置为检测所述载波放大电路的工作状态，并在所述载波放大电路未接近饱和状态或者未到达饱和状态时，提供第一峰值偏置信号至所述峰值偏置电路；在所述检测载波放大电路接近或者到达饱和状态时，提供第二峰值偏置信号至所述峰值偏置电路；其中，所述第二峰值偏置信号的幅值大于所述第一峰值偏置信号的幅值。
9.进一步地，在所述载波放大电路未接近饱和状态或者未到达饱和状态时，所述峰值偏置电路向所述峰值放大电路提供第一偏置信号，所述第一偏置信号不足以使所述载波放大电路导通；
10.在所述载波放大电路接近饱和状态或者到达饱和状态时，所述峰值偏置电路向所述峰值放大电路提供第二偏置信号，所述第二偏置信号足以使所述载波放大电路导通；
11.其中，所述第二偏置信号的幅值大于所述第一偏置信号的幅值。
12.进一步地，所述检测控制电路包括第一偏置信号源；所述峰值偏置电路包括第一峰值偏置晶体管；
13.所述第一偏置信号源的输出端与所述第一峰值偏置晶体管的第一端相连，所述第一峰值偏置晶体管的第二端与供电端相连，第三端与所述峰值放大电路的输入端相连；
14.所述第一偏置信号源，被配置为在所述载波放大电路未接近饱和状态或者未到达饱和状态时，提供第一峰值偏置信号至所述第一峰值偏置晶体管；在所述检测载波放大电路接近或者到达饱和状态时，提供第二峰值偏置信号至所述第一峰值偏置晶体管。
15.进一步地，所述检测控制电路包括第一偏置信号源和第二偏置信号源；所述峰值偏置电路包括第一峰值偏置晶体管；
16.所述第一偏置信号源的输出端与所述第一峰值偏置晶体管的第一端相连，所述第二偏置信号源的输出端与所述第一峰值偏置晶体管的第一端相连，所述第一峰值偏置晶体管的第二端与供电端相连，所述第一峰值偏置晶体管的第三端与所述峰值放大电路的输入端相连；
17.所述第二偏置信号源，被配置为提供第三峰值偏置信号至所述第一峰值偏置晶体管；
18.所述第一偏置信号源，被配置为在所述载波放大电路未接近饱和状态或者未到达饱和状态时，提供第一峰值偏置信号至所述第一峰值偏置晶体管；在所述载波放大电路接近饱和状态或到达饱和状态时，提供第二峰值偏置信号至所述第一峰值偏置晶体管。
19.进一步地，所述检测控制电路包括第一偏置信号源和第二偏置信号源；所述峰值偏置电路包括第一峰值偏置晶体管和第二峰值偏置晶体管；
20.所述第一偏置信号源的输出端与所述第一峰值偏置晶体管的第一端相连，所述第一峰值偏置晶体管的第二端与供电端相连，所述第一峰值偏置晶体管的第三端与所述峰值放大电路的输入端相连；
21.所述第二偏置信号源的输出端与所述第二峰值偏置晶体管的第一端相连，所述第二峰值偏置晶体管的第二端与供电端相连，所述第二峰值偏置晶体管的第三端与所述峰值放大电路的输入端相连；
22.所述第二偏置信号源，被配置为提供第三峰值偏置信号至所述第一峰值偏置晶体管；
23.所述第一偏置信号源，被配置为在所述载波放大电路未接近饱和状态或者未到达饱和状态时，提供第一峰值偏置信号至所述第二峰值偏置晶体管；在所述载波放大电路接近饱和状态或到达饱和状态时，提供第二峰值偏置信号至所述第二峰值偏置晶体管。
24.进一步地，所述检测控制电路包括第一偏置信号源和第二偏置信号源；所述峰值偏置电路包括第一峰值偏置晶体管；
25.所述第一偏置信号源的输出端与所述第一峰值偏置晶体管的第一端相连，所述第一峰值偏置晶体管的第二端与供电端相连，所述第一峰值偏置晶体管的第三端与所述峰值放大电路的输入端相连；
26.所述第二偏置信号源的输出端与所述第一峰值偏置晶体管的第一端相连；
27.在所述载波放大电路未接近饱和状态或者未到达饱和状态时，所述第一偏置信号源提供第一峰值偏置信号至所述第二峰值偏置晶体管；
28.在所述载波放大电路接近饱和状态或到达饱和状态时，所述第一偏置信号源和第二偏置信号源共同提供第二峰值偏置信号至所述第二峰值偏置晶体管。
29.进一步地，所述多尔蒂功率放大器还包括载波偏置电路，所述载波偏置电路提供载波偏置信号至所述所述载波放大电路；
30.所述检测控制电路通过一检测节点检测所述载波放大电路的工作状态，所述检测节点设置在所述载波偏置电路或者所述载波放大电路中。
31.进一步地，所述检测控制电路还被配置为通过所述检测节点检测所述载波放大电路的输出功率水平。
32.进一步地，所述检测控制电路通过采集检测节点上的信号与第一阈值进行比较，
以确定所述载波放大电路是否接近或者达到饱和状态，所述第一阈值指示所述载波放大电路接近或者达到饱和状态。
33.进一步地，所述检测控制电路通过采集检测节点上的信号与第二阈值进行比较，以确定所述载波放大电路的输出功率水平，所述第二阈值指示所述载波放大电路达到上限功率。
34.一种多尔蒂功率放大系统，包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片包括多尔蒂功率放大电路，所述多尔蒂功率放大电路包括载波放大电路、峰值放大电路和峰值偏置电路；
35.所述峰值偏置电路，被配置为提供峰值偏置信号至所述峰值放大电路；
36.所述第二芯片包括检测控制电路，所述检测控制电路被配置为检测所述载波放大电路的工作状态，并在所述载波放大电路未接近饱和状态或者未到达饱和状态时，提供第一峰值偏置信号至所述峰值偏置电路；在所述检测载波放大电路接近或者到达饱和状态时，提供第二峰值偏置信号至所述峰值偏置电路；其中，所述第二峰值偏置信号的幅值大于所述第一峰值偏置信号的幅值。
37.进一步地，所述检测控制电路包括第一偏置信号源和第二偏置信号源；所述峰值偏置电路包括第一峰值偏置晶体管；
38.所述第一偏置信号源的输出端与所述第一峰值偏置晶体管的第一端相连，所述第二偏置信号源的输出端与所述第一峰值偏置晶体管的第一端相连，所述第一峰值偏置晶体管的第二端与供电端相连，所述第一峰值偏置晶体管的第三端与所述峰值放大电路的输入端相连；
39.所述第二偏置信号源，被配置为提供第三峰值偏置信号至所述第一峰值偏置晶体管；
40.所述第一偏置信号源，被配置为在所述载波放大电路未接近饱和状态或者未到达饱和状态时，提供第一峰值偏置信号至所述第一峰值偏置晶体管；在所述载波放大电路接近饱和状态或到达饱和状态时，提供第二峰值偏置信号至所述第一峰值偏置晶体管。
41.进一步地，所述第一芯片采用gaas工艺，所述第二芯片采用cmos工艺。
42.一种多尔蒂功率放大器的控制方法，包括：
43.检测载波放大电路的工作状态；在所述载波放大电路未接近饱和状态或者未到达饱和状态时，提供第一峰值偏置信号至峰值偏置电路；在所述检测载波放大电路接近或者到达饱和状态时，提供第二峰值偏置信号至峰值偏置电路；其中，所述第二峰值偏置信号的幅值大于所述第一峰值偏置信号的幅值。
44.进一步地，所述多尔蒂功率放大器的控制方法还包括：
45.在所述载波放大电路未接近饱和状态或者未到达饱和状态时，提供所述第一峰值偏置信号和第三峰值偏置信号至所述峰值偏置电路；在所述检测载波放大电路接近或者到达饱和状态时，提供所述第二峰值偏置信号和所述第三峰值偏置信号至所述峰值偏置电路，其中，所述第二峰值偏置信号的幅值与所述第三峰值偏置信号的幅值之和，大于所述第一峰值偏置信号的幅值与所述第三峰值偏置信号的幅值之和。
46.上述多尔蒂功率放大器、系统及控制方法，多尔蒂功率放大器包括载波放大电路、峰值放大电路、峰值偏置电路和检测控制电路，该检测控制电路能够检测载波放大电路的
工作状态，并在载波放大电路未接近饱和状态或者未到达饱和状态时，提供第一峰值偏置信号至峰值偏置电路；在检测载波放大电路接近或者到达饱和状态时，提供第二峰值偏置信号至峰值偏置电路，其中，所述第二峰值偏置信号的幅值大于第一峰值偏置信号的幅值；本技术中的峰值放大电路的导通时间较晚且第二峰值偏置信号的幅值较大，以避免了因峰值放大电路过早地导通而导致功率附加效率降低的问题，从而实现在保证多尔蒂功率放大器的线性度的同时，还能提高功率附加效率。
附图说明
47.为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
48.图1是本发明一实施例中多尔蒂功率放大器的一电路示意图；
49.图2是本发明一实施例中多尔蒂功率放大器的另一电路示意图；
50.图3是本发明一实施例中多尔蒂功率放大器的另一电路示意图；
51.图4是本发明一实施例中多尔蒂功率放大器的另一电路示意图；
52.图5是本发明一实施例中多尔蒂功率放大器的另一电路示意图。
53.图中：10、载波放大电路；20、峰值放大电路；30、峰值偏置电路；31、第一分压单元；32、第二分压单元；40、检测控制电路；41、第一偏置信号源；42、第二偏置信号源；50、载波偏置电路；51、第三分压单元。
具体实施方式
54.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
55.应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大自始至终相同附图标记表示相同的元件。
56.应当明白，当元件或层被称为“在
…
上”、“与
…
相邻”、“连接到”、“与
…
连接”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在
…
上”、“与
…
直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
57.空间关系术语例如“在
…
下”、“在
…
下面”、“下面的”、“在
…
之下”、“在
…
之上”、
“
上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在
…
下面”和“在
…
下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
58.在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
59.为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的结构及步骤，以便阐释本发明提出的技术方案。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。
60.本实施例提供一种多尔蒂功率放大器，如图1所示，包括载波放大电路10；峰值放大电路20；峰值偏置电路30，被配置为提供峰值偏置信号至峰值放大电路20；检测控制电路40，被配置为检测载波放大电路10的工作状态，并在载波放大电路10未接近饱和状态或者未到达饱和状态时，提供第一峰值偏置信号至峰值偏置电路30；在检测载波放大电路10接近或者到达饱和状态时，提供第二峰值偏置信号至峰值偏置电路30；其中，第二峰值偏置信号的幅值大于第一峰值偏置信号的幅值。
61.其中，第一峰值偏置信号为在载波放大电路10未接近饱和状态或者未到达饱和状态时，控制检测控制电路40中的偏置信号源所输出的偏置信号。第二峰值偏置信号为在检测控制电路40检测到载波放大电路10接近或者到达饱和状态时，控制检测控制电路40中的偏置信号源所输出的偏置信号。需要说明的是，本技术中的第一峰值偏置信号和第二峰值偏置信号均为检测控制电路40中的偏置信号源输入至峰值偏置电路30中的偏置信号，而不是峰值偏置电路30提供至峰值放大电路20的偏置信号。
62.其中，第一峰值偏置信号可以为峰值偏置电流或者峰值偏置电压。第二峰值偏置信号可以为峰值偏置电流或者峰值偏置电压。需要说明的是，本实施例中的第二峰值偏置信号可以由检测控制电路40中多个偏置信号源共同输出的偏置信号，也可以为检测控制电路40中的指定一个偏置信号源输出的偏置信号。
63.具体地，在载波放大电路10未接近饱和状态或者未到达饱和状态时，检测控制电路40中的偏置信号源输出第一峰值偏置信号至峰值偏置电路30，峰值偏置电路30在第一峰值偏置信号的作用下，输出不足于使峰值放大电路20导通的第一偏置信号(例如：偏置电流信号)至峰值放大电路20。在载波放大电路10接近或者到达饱和状态时，检测控制电路40中的偏置信号源输出第二峰值偏置信号至峰值偏置电路30，峰值偏置电路30在第二峰值偏置信号的作用下，输出足于使峰值放大电路20导通的第二偏置信号(例如：偏置电流信号)至峰值放大电路20。
64.在相关技术中，为了保证线性度，往往在载波放大电路10的功率到达功率压缩点
前会提前导通峰值放大电路20，然而过早地导通峰值放大电路20虽然能保证多尔蒂功率放大器的线性度，但其同时会影响多尔蒂功率放大器的功率附加效率，导致多尔蒂功率放大器的功率附加效率降低。
65.在本实施例中，多尔蒂功率放大器包括检测控制电路40，该检测控制电路40能够检测载波放大电路10的工作状态，在载波放大电路10未接近饱和状态或未达到饱和状态时，检测控制电路40提供第一峰值偏置信号至峰值偏置电路30，峰值偏置电路30在第一峰值偏置信号的作用下，向峰值放大电路20提供第一偏置信号。例如第一偏置信号可以为第一偏置电流。其中，该第一偏置信号幅度较小，不足以使该峰值放大电路20导通。当检测控制电路40检测载波放大电路10接近或者到达饱和状态时，提供第二峰值偏置信号至峰值偏置电路30，该峰值偏置电路30在第二峰值偏置信号的作用下，向峰值放大电路20提供第二偏置信号，以使峰值放大电路20导通，例如第二偏置信号可以为第二偏置电流。其中，该第二偏置信号幅度较大，足以使当载波放大电路10接近或者到达饱和状态时，该峰值放大电路20瞬间导通，以对接近或者到达饱和状态时的载波放大电路10进行增益补偿，从而保证多尔蒂功率放大器的线性度和功率附加效率。其中，第二峰值偏置信号的的幅值大于第一峰值偏置信号的幅值，以使第二峰值偏置信号足以使峰值放大电路20导通，并在峰值放大电路20导通的瞬间能够提供足够的增益，保证峰值放大电路20能够快速地进入最大增益的状态。在本示例中，第二峰值偏置信号的幅值较大，应满足在载波放大电路10更接近饱和状态或达到饱和状态时，使峰值放大电路20瞬间导通，且在峰值放大电路20导通的瞬间能够提供足够的增益，避免为了提高线性度而过早地导通峰值放大电路20，以出现功率附加效率降低的问题。本技术通过在载波放大电路10未接近饱和状态或未达到饱和状态时，提供幅值较小的第一峰值偏置信号；在载波放大电路10处于接近或者到达饱和状态，提供幅值较大的第二峰值偏置信号，从而实现在保证多尔蒂功率放大器的线性度的同时，还能提高功率附加效率。
66.在本实施例中，多尔蒂功率放大器包括载波放大电路10、峰值放大电路20、峰值偏置电路30和检测控制电路40，该检测控制电路40能够检测载波放大电路10的工作状态，并在载波放大电路10未接近饱和状态或者未到达饱和状态时，提供第一峰值偏置信号至峰值偏置电路30；在检测载波放大电路10接近或者到达饱和状态时，提供第二峰值偏置信号至峰值偏置电路30，其中，第二峰值偏置信号的幅值大于第一峰值偏置信号的幅值。本技术中的峰值放大电路20的导通时间较晚、且第二峰值偏置信号的幅值较大，以避免因峰值放大电路20过早地导通而导致功率附加效率降低的问题，从而实现在保证多尔蒂功率放大器的线性度的同时，还能提高功率附加效率。
67.在一实施例中，在载波放大电路10未接近饱和状态或者未到达饱和状态时，峰值偏置电路30向峰值放大电路20提供第一偏置信号，第一偏置信号不足以使载波放大电路10导通；在载波放大电路10接近饱和状态或者到达饱和状态时，峰值偏置电路30向峰值放大电路20提供第二偏置信号，第二偏置信号足以使载波放大电路10导通；其中，第二偏置信号的幅值大于第一偏置信号的幅值。
68.其中，第一偏置信号为在载波放大电路10未接近饱和状态或者未到达饱和状态时，峰值偏置电路30向峰值放大电路20提供的信号。第二偏置信号为在载波放大电路10接近饱和状态或者到达饱和状态时，峰值偏置电路30向峰值放大电路20提供的信号。
69.在本实施例中，在载波放大电路10未接近饱和状态或未达到饱和状态时，峰值偏置电路30向峰值放大电路20提供幅值较小的第一偏置信号；在载波放大电路10处于接近或者到达饱和状态，峰值偏置电路30向峰值放大电路20提供幅值较大的第二偏置信号，以使峰值放大电路20的导通时间较晚，并且第二偏置信号的幅值较大，能够避免因峰值放大电路20过早地导通而导致功率附加效率降低的问题，从而实现在保证多尔蒂功率放大器的线性度的同时，还能提高功率附加效率。
70.在一实施例中，如图2所示，检测控制电路40包括第一偏置信号源41；峰值偏置电路30包括第一峰值偏置晶体管m31；第一偏置信号源41的输出端与第一峰值偏置晶体管m31的第一端相连，第一峰值偏置晶体管m31的第二端与供电端相连，第三端与峰值放大电路20的输入端相连；第一偏置信号源41，被配置为在载波放大电路10未接近饱和状态或者未到达饱和状态时，提供第一峰值偏置信号至第一峰值偏置晶体管m31；在检测载波放大电路10接近或者到达饱和状态时，提供第二峰值偏置信号至第一峰值偏置晶体管m31。
71.其中，第一偏置信号源41为用于提供第一峰值偏置信号或第二峰值偏置信号的信号源。第一偏置信号源41可以是电流源或电压源。第一峰值偏置晶体管m31例如可以是bjt晶体管(例如，hbt晶体管)或者场效应晶体管。
72.作为一示例，第一偏置信号源41的输出端与第一峰值偏置晶体管m31的基极(栅极)相连，第一峰值偏置晶体管m31的集电极(源极)与供电端相连，发射极(漏极)与峰值放大电路20的输入端相连，发射极(漏极)与峰值放大电路20的输入端的连接路径上还设有第一耦合电阻r31，在载波放大电路10未接近饱和状态或者未到达饱和状态时，第一偏置信号源41提供第一峰值偏置信号至第一峰值偏置晶体管m31，使峰值偏置电路30向峰值放大电路20提供放大处理后的第一峰值偏置信号，该放大处理后的第一峰值偏置信号不足以使该峰值放大电路20导通；在检测载波放大电路10接近或者到达饱和状态时，提供第二峰值偏置信号至第一峰值偏置晶体管m31，峰值偏置电路30向峰值放大电路20提供放大处理后的第二峰值偏置信号，以使峰值放大电路20导通，以对接近或者到达饱和状态时的载波放大电路10进行增益补偿，从而保证多尔蒂功率放大器的线性度。其中，使峰值放大电路20导通瞬间时的第二峰值偏置信号的幅值较大，使峰值放大电路20能快速地进入最大增益的状态，因此可以补偿因峰值放大电路20过晚导通而损失的线性度，避免了因峰值放大电路20过早导通而出现功率附加效率降低的问题，从而实现在保证多尔蒂功率放大器的线性度的同时，还能提高功率附加效率。
73.在本实施例中，第一偏置信号源41，被配置为在载波放大电路10未接近饱和状态或者未到达饱和状态时，第一峰值偏置晶体管m31向峰值放大电路20提供不足以使该峰值放大电路20导通的第一峰值偏置信号；在检测载波放大电路10接近或者到达饱和状态时，第一峰值偏置晶体管m31向峰值放大电路20提供足以使该峰值放大电路20导通的第二峰值偏置信号，以对接近或者到达饱和状态时的载波放大电路10进行增益补偿，从而保证多尔蒂功率放大器的线性度。并且，使峰值放大电路20导通瞬间时的第二峰值偏置信号的幅值较大，使峰值放大电路20能快速地进入最大增益的状态，因此可以补偿因峰值放大电路20过晚导通而损失的线性度，避免了因峰值放大电路20过早导通而出现功率附加效率降低的问题，从而实现在保证多尔蒂功率放大器的线性度的同时，还能提高功率附加效率。
74.在一实施例中，如图3所示，检测控制电路40包括第一偏置信号源41和第二偏置信
号源42；峰值偏置电路30包括第一峰值偏置晶体管m31；第一偏置信号源41的输出端与第一峰值偏置晶体管m31的第一端相连，第二偏置信号源42的输出端与第一峰值偏置晶体管m31的第一端相连，第一峰值偏置晶体管m31的第二端与供电端相连，第三端与峰值放大电路20的输入端相连；第二偏置信号源42，被配置为提供第三峰值偏置信号至第一峰值偏置晶体管m31；第一偏置信号源41，被配置为在载波放大电路10未接近饱和状态或者未到达饱和状态时，提供第一峰值偏置信号至第一峰值偏置晶体管m31；在载波放大电路10接近饱和状态或到达饱和状态时，提供第二峰值偏置信号至第一峰值偏置晶体管m31。
75.其中，第二偏置信号源42为用于提供第三峰值偏置信号的信号源。第二偏置信号源42可以是电流源或电压源。第一峰值偏置信号的幅值与第三峰值偏置信号的幅值之和，小于第二峰值偏置信号的幅值与第三峰值偏置信号的幅值之和。第三峰值偏置信号为控制检测控制电路40中的偏置信号源所输出的偏置信号。
76.作为一示例，第一偏置信号源41的输出端与第一峰值偏置晶体管m31的基极(栅极)相连，第二偏置信号源42的输出端与第一峰值偏置晶体管m31的基极(栅极)相连，第一峰值偏置晶体管m31的集电极(源极)与供电端相连，发射极(漏极)与峰值放大电路20的输入端相连，发射极(漏极)与峰值放大电路20的输入端的连接路径上还设有第一耦合电阻r31。
77.在本实施例中，在载波放大电路10未接近饱和状态或者未到达饱和状态时，第二偏置信号源42提供第三峰值偏置信号至第一峰值偏置晶体管m31，第一偏置信号源41提供第一峰值偏置信号至第一峰值偏置晶体管m31，使第一峰值偏置晶体管m31对接收的第一峰值偏置信号和第三峰值偏置信号进行放大处理，输出放大处理后的第一峰值偏置信号和第三峰值偏置信号。其中，该放大处理后的第一峰值偏置信号和第三峰值偏置信号不足以使该峰值放大电路20导通。在检测载波放大电路10接近或者到达饱和状态时，第二偏置信号源42提供第三峰值偏置信号至第一峰值偏置晶体管m31，第一峰值偏置信号源提供第二峰值偏置信号至第一峰值偏置晶体管m31，第一峰值偏置晶体管m31对接收的第二峰值偏置信号和第三峰值偏置信号进行放大处理，向峰值放大电路20提供放大处理后的第二峰值偏置信号和第三峰值偏置信号，从而导通峰值放大电路20，以对接近或者到达饱和状态时的载波放大电路10进行增益补偿，从而保证多尔蒂功率放大器的线性度。第二峰值偏置信号的幅值和第三峰值偏置信号的幅值之和应满足在载波放大电路10更接近饱和状态或达到饱和状态时，使峰值放大电路20瞬间导通，且在峰值放大电路20导通的瞬间能够提供足够的增益，避免为了提高线性度而过早地导通峰值放大电路20，以出现功率附加效率降低的问题，本技术通过在载波放大电路10未接近饱和状态或未达到饱和状态时，提供幅值较小的第一峰值偏置信号的幅值和第三峰值偏置信号；在载波放大电路10处于接近或者到达饱和状态，提供幅值较大的第二峰值偏置信号和第三峰值偏置信号，从而实现在保证多尔蒂功率放大器的线性度的同时，还能提高功率附加效率。
78.在一个实施例中，参照下图5所示，峰值偏置电路30还包括第一分压单元31，所示第一分压单元31的第一端与第一峰值偏置晶体管m31的第一端相连，第二端与接地端相连。其中，第一分压单元31包括串联的第一分压晶体管d311和第二分压晶体管d312，第一分压晶体管d311的第一端与第一峰值偏置晶体管m31的第一端相连，第二端与第二分压晶体管d312的第一端连接，第二分压晶体管d312的第二端与接地端相连。第一分压单元31可稳定
偏置信号的静态工作点。需要说明的是，除了本实施例中，第一分压晶体管d311和第二分压晶体管d312可以选用二极管，还可以用三极管代替。
79.进一步地，参照下图5所示，峰值偏置电路30还包括第一电容c31，第一电容c31的第一端第一峰值偏置晶体管m31的第一端相连，另一端与接地端相连。其中，该第一电容c31可进一步提高峰值放大电路20的线性度。
80.在一实施例中，如图4所示，检测控制电路40包括第一偏置信号源41和第二偏置信号源42；峰值偏置电路30包括第一峰值偏置晶体管m31和第二峰值偏置晶体管m32；第一偏置信号源41的输出端与第一峰值偏置晶体管m31的第一端相连，第一峰值偏置晶体管m31的第二端与供电端相连，第三端与峰值放大电路20的输入端相连；第二偏置信号源42的输出端与第二峰值偏置晶体管m32的第一端相连，第二峰值偏置晶体管m32的第二端与供电端相连，第三端与峰值放大电路20的输入端相连；第二偏置信号源42，被配置为提供第三峰值偏置信号至第一峰值偏置晶体管m31；第一偏置信号源41，被配置为在载波放大电路10未接近饱和状态或者未到达饱和状态时，提供第一峰值偏置信号至第二峰值偏置晶体管m32；在载波放大电路10接近饱和状态或到达饱和状态时，提供第二峰值偏置信号至第二峰值偏置晶体管m32。
81.其中，第二峰值偏置晶体管m32可以是bjt晶体管(例如，hbt晶体管)或者场效应晶体管。第一峰值偏置信号的幅值与第三峰值偏置信号的幅值之和，小于第二峰值偏置信号的幅值与第三峰值偏置信号的幅值之和。
82.作为一示例，第一偏置信号源41的输出端与第一峰值偏置晶体管m31的基极(栅极)相连，第一峰值偏置晶体管m31的集电极(源极)与供电端相连，发射极(漏极)与峰值放大电路20的输入端相连，发射极(漏极)与峰值放大电路20的输入端的连接路径上还设有第一耦合电阻r31。第二偏置信号源42的输出端与第二峰值偏置晶体管m32的基极(栅极)相连，第二峰值偏置晶体管m32的集电极(源极)与供电端相连，发射极(漏极)与峰值放大电路20的输入端相连，发射极(漏极)与峰值放大电路20的输入端的连接路径上还设有第二耦合电阻r32。
83.在本实施例中，第二偏置信号源42提供第三峰值偏置信号至第二峰值偏置晶体管m32，峰值偏置电路30通过第二峰值偏置晶体管m32向峰值放大电路20提供第三偏置信号，该第三偏置信号幅度较小，不足以使该峰值放大电路20导通。在载波放大电路10未接近饱和状态或者未到达饱和状态时，第一偏置信号源41提供第一峰值偏置信号至第一峰值偏置晶体管m31，峰值偏置电路30通过第一峰值偏置晶体管m31向峰值放大电路20提供第一偏置信号，该第一偏置信号的幅值和该第三偏置信号的幅值相对较小，不足以使该峰值放大电路20导通；在检测载波放大电路10接近或者到达饱和状态时，第一偏置信号源41提供第二峰值偏置信号至第一峰值偏置晶体管m31，峰值偏置电路30通过第一峰值偏置晶体管m31向峰值放大电路20提供第二偏置信号，第二偏置信号的幅值和第三偏置信号的幅值相对较大，以使峰值放大电路20导通，对接近或者到达饱和状态时的载波放大电路10进行增益补偿，并保证峰值放大电路20在导通后具有足够的增益，并且快速地进入最大增益的状态，以避免了因峰值放大电路20过早地导通而导致功率附加效率降低的问题，从而实现在保证多尔蒂功率放大器的线性度的同时，还能提高功率附加效率。
84.在一实施例中，如图3所示，检测控制电路40包括第一偏置信号源41和第二偏置信
号源42；峰值偏置电路30包括第一峰值偏置晶体管m31；第一偏置信号源41的输出端与第一峰值偏置晶体管m31的第一端相连，第一峰值偏置晶体管m31的第二端与供电端相连，第三端与峰值放大电路20的输入端相连；第二偏置信号源42的输出端与第一峰值偏置晶体管m31的第一端相连；在载波放大电路10未接近饱和状态或者未到达饱和状态时，第一偏置信号源41提供第一峰值偏置信号至第一峰值偏置晶体管m31；在载波放大电路10接近饱和状态或到达饱和状态时，第一偏置信号源41和第二偏置信号源42共同提供第二峰值偏置信号至第一峰值偏置晶体管m31。
85.作为一示例，第一偏置信号源41的输出端与第一峰值偏置晶体管m31的基极(栅极)相连，第一峰值偏置晶体管m31的集电极(源极)与供电端相连，发射极(漏极)与峰值放大电路20的输入端相连，发射极(漏极)与峰值放大电路20的输入端的连接路径上还设有第一耦合电阻r31。第二偏置信号源42的输出端与第一峰值偏置晶体管m31的基极(栅极)相连。
86.在本实施例中，载波放大电路10未接近饱和状态或未达到饱和状态时，第一偏置信号源41提供第一峰值偏置信号至第一峰值偏置晶体管m31，峰值偏置电路30通过第一峰值偏置晶体管m31向峰值放大电路20提供第一偏置信号，该第一偏置信号的幅值相对较小，避免峰值放大电路20过早地导通；若检测控制电路40检测载波放大电路10接近或者到达饱和状态时，第一偏置信号源41和第二偏置信号源42共同提供第二峰值偏置信号至第一峰值偏置晶体管m31，峰值偏置电路30通过第一峰值偏置晶体管m31向峰值放大电路20提供第二偏置信号，以使峰值放大电路20导通，对接近或者到达饱和状态时的载波放大电路10进行增益补偿，从而保证多尔蒂功率放大器的线性度和效率。
87.进一步地，参照下图5所示，峰值偏置电路30还包括第一分压单元31和第二分压单元32，所示第一分压单元31的第一端与第一峰值偏置晶体管m31的第一端相连，第二端与接地端相连。其中，第一分压单元31包括串联的第一分压晶体管d311和第二分压晶体管d312，第一分压晶体管d311的第一端与第一峰值偏置晶体管m31的第一端相连，第二端与第二分压晶体管d312的第一端连接，第二分压晶体管d312的第二端与接地端相连。所示第二分压单元32的第一端与第二峰值偏置晶体管m32的第一端相连，第二端与接地端相连。其中，第二分压单元32包括串联的第三分压晶体管d321和第四分压晶体管d322，第三分压晶体管d321的第一端与第二峰值偏置晶体管m32的第一端相连，第二端与第四分压晶体管d322的第一端连接，第四分压晶体管d322的第二端与接地端相连。
88.其中，第一分压单元31和第二分压单元32可稳定偏置信号的静态工作点。需要说明的是，除了本实施例中，第一分压晶体管d311、第二分压晶体管d312、第三分压晶体管d321和第四分压晶体管d322可以选用二极管，还可以用三极管代替。
89.进一步地，参照下图5所示，峰值偏置电路30还包括第一电容c31和第二电容c32，第一电容c31的第一端第一峰值偏置晶体管m31的第一端相连，另一端与接地端相连。
90.第二电容c32的第一端第一峰值偏置晶体管m32的第一端相连，另一端与接地端相连。其中，该第一电容c31和第二电容c32可进一步提高峰值放大电路20的线性度。
91.在一实施例中，如图1所示，多尔蒂功率放大器还包括载波偏置电路50，载波偏置电路50提供载波偏置信号至载波放大电路10；检测控制电路40通过一检测节点检测载波放大电路10的工作状态，检测节点设置在载波偏置电路50或者载波放大电路10中。
92.其中，检测节点为用于检测载波放大电路10的工作状态的节点。检测节点设置在载波偏置电路50或者载波放大电路10中。
93.作为一示例，将检测控制电路40电连接至载波偏置电路50或者载波放大电路10的检测节点上，检测控制电路40通过检测检测节点上的直流信号，通过该直流信号确定载波放大电路10的工作状态。其中，直流信号可以为直流电压或者直流电流。
94.在本实施例中，检测控制电路40通过一检测节点检测载波放大电路10的工作状态，以便在检测到载波放大电路10未接近饱和状态或者未到达饱和状态时，提供第一峰值偏置信号至峰值偏置电路30，检测到载波放大电路10接近或者到达饱和状态时，提供第二峰值偏置信号至峰值偏置电路30，其中，第二峰值偏置信号的幅值大于第一峰值偏置信号的幅值；本技术中的峰值放大电路20的导通时间较晚且第二峰值偏置信号的幅值较大，幅值较大的第二峰值偏置信号可以补偿因峰值放大电路20晚导通而损失的线性度，以避免了因峰值放大电路20过早地导通而导致功率附加效率降低的问题，从而实现在保证多尔蒂功率放大器的线性度的同时，还能提高功率附加效率。
95.在一实施例中，如图1所示，检测控制电路40还被配置为通过检测节点检测载波放大电路10的输出功率水平。
96.作为一示例，检测控制电路40通过检测节点上的直流信号检测载波放大电路10的输出功率水平。例如，根据该直流信号获取载波放大电路10的输出功率，该直流信号例如可以是直流电压或者直流电流，当检测到载波放大电路10的输出功率达到上限功率时，可以对该载波放大电路10进行钳位处理。该钳位处理可以为减小该载波放大电路10的偏置信号或者电源信号以降低该载波放大电路10的输出功率。可以理解地，上述钳位处理的方式仅为示例性的说明，不应理解为对本实施例的限制。其中，上限功率可预先根据实际情况自定义设定。示例性地，可以预先设定上限功率，从而转换成检测节点对应的预设直流电压或者预设直流电流，当检测到该检测节点的直流电压超过预设直流电压或者直流电流超过预设直流电流时，即可判断载波放大电路10的输出功率超过对应的上限功率。
97.在一具体实施例中，检测控制电路40通过采集检测节点上的信号与第一阈值进行比较，以确定载波放大电路10是否接近或者达到饱和状态，第一阈值指示载波放大电路10接近或者达到饱和状态。
98.具体地，通过该检测节点采样该检测节点的电流或者电压等信号，再将采集到的电流或者电压等信号，和指示该载波放大电路10接近或者到达饱和状态的第一阈值进行比较，当采集到的电流或者电压等信号达到第一阈值时，则确定载波放大电路10接近或者达到饱和状态。可以理解地，该第一阈值为和检测节点采集的信号同类型的，例如，若检测节点采样的为电流信号，则该第一阈值为该载波放大电路10在接近或者达到饱和状态时该检测节点对应的电流值。
99.进一步地，检测控制电路40通过采集检测节点上的信号与第二阈值进行比较，以确定载波放大电路10的输出功率水平，第二阈值指示载波放大电路10达到上限功率。
100.具体地，通过该检测节点采样该检测节点的电流或者电压等信号，再将采集到的电流或者电压等信号，和指示该载波放大电路10达到上限功率的第二阈值进行比较，当采集到的电流或者电压等信号达到第二阈值时，则确定载波放大电路10达到上限功率。该上限功率为根据实际应用场景设定的一个上限值。可以理解地，该第二阈值为和检测节点采
集的信号同类型的，例如，若检测节点采样的为电流信号，则该第二阈值为该载波放大电路10在达到上限功率时该检测节点对应的电流值。
101.在本实施例中，检测电路可以通过该检测节点检测该载波放大电路10的饱和状态，也可以检测该载波放大电路10的输出功率水平已进行钳位处理。即该检测电路可以通过该检测节点兼顾实现对该载波放大电路10饱和状态以及输出功率水平的检测，大大减少了电路中的元件数量，提高了集成度。
102.在一个实施例中，检测电路通过载波放大电路10中的一个检测节点兼顾检测该载波放大电路10的饱和状态以及输出功率水平。具体地，通过该检测节点采样该检测节点的电流或者电压等信号，再将采集到的电流或者电压等信号，分别和指示该载波放大电路10接近或者到达饱和状态的第一阈值以及指示该载波放大电路10的输出功率水平达到上限功率的第二阈值进行比较即可。可以理解地，采集到的电流或者电压等信号和第一阈值以及第二阈值的比较可以通过比较器或者其他现有的通用方式进行实现，在此不再赘述。
103.在一实施例中，如图1所示，载波偏置电路50包括载波偏置信号源52和载波偏置晶体管m51，载波偏置信号源52的输出端与载波偏置晶体管m51的第一端和接地端相连，载波偏置晶体管m51的第二端与一供电端相连，第三端与载波放大电路10的输入端相连，被配置为提供载波偏置信号至载波放大电路10的输入端，检测节点设置在载波偏置晶体管m51的第二端。
104.其中，载波偏置信号源52为用于提供载波偏置信号的信号源。例如载波偏置信号源52可以是电流源或电压源。载波偏置晶体管m51可以是bjt晶体管(例如，hbt晶体管)或者场效应晶体管。
105.作为一示例，载波偏置信号源52的输出端与载波偏置晶体管m51的基极(栅极)相连，载波偏置晶体管m51的集电极(源极)与供电端(图中未示出)相连，发射极(漏极)与载波放大电路10的输入端相连，被配置为提供载波偏置信号至载波放大电路10的输入端。检测节点设置在载波偏置晶体管m51的集电极(源极)，例如图1中的a3检测节点，以使检测控制电路40能够通过实现通过该检测节点检测载波放大电路10的输出功率水平，以判断检测载波放大电路10是否接近或者到达饱和状态。可选地，该检测节点还可以是载波偏置晶体管m51的第一端，或者载波偏置晶体管m51第二端，或者，载波偏置晶体管m51的第三端。
106.在一实施例中，如图1所示，载波放大电路10上的检测节点为载波偏置晶体管m51的第一端，或者载波偏置晶体管m51第二端，或者，载波偏置晶体管m51的第三端。
107.作为一示例，载波放大电路10上的检测节点为载波偏置晶体管m51的基极(栅极)a4，或者载波偏置晶体管m51的集电极(源极)a3，或者，载波偏置晶体管m51的发射极(漏极)a5。
108.在本示例中，通过将检测控制电路40连接至载波偏置晶体管m51的第一端，或者载波偏置晶体管m51第二端，或者，载波偏置晶体管m51的第三端，均能实现通过该检测节点检测载波放大电路10的饱和状态和/或输出功率水平，以判断检测载波放大电路10是否接近或者到达饱和状态，或者，判断载波放大电路10的输出功率水平是否超过上限功率。
109.在一实施例中，如图1所示，载波放大电路10上的检测节点为载波放大电路10的输入端a1，或者，载波放大电路10的输出端a2。
110.在本实施例中，通过将检测控制电路40连接至载波放大电路10的输入端a1，或者，
载波放大电路10的输出端a2。
111.进一步地，参照下图5所示，载波偏置电路50还包括第三分压单元51，所示第三分压单元51的第一端与载波偏置晶体管m51的第一端相连，第二端与接地端相连。其中，第三分压单元51包括串联的第五分压晶体管d511和第六分压晶体管d512，第五分压晶体管d511的第一端与所载波偏置晶体管m51的第一端相连，第二端与第六分压晶体管d512的第一端连接，第六分压晶体管d512的第二端与接地端相连。第三分压单元51可稳定偏置信号的静态工作点。需要说明的是，除了本实施例中，第五分压晶体管d511和第六分压晶体管d512可以选用二极管，还可以用三极管代替。
112.进一步地，参照下图5所示，载波偏置电路50还包括第三电容c51，第三电容c51的第一端载波偏置晶体管m51的第一端相连，另一端与接地端相连。其中，该第三电容c51可进一步提高载波放大电路10的线性度。
113.本实施例提供一种多尔蒂功率放大系统，包括第一芯片和第二芯片，第一芯片包括多尔蒂功率放大电路，多尔蒂功率放大电路包括载波放大电路10、峰值放大电路20和峰值偏置电路30；峰值偏置电路30，被配置为提供峰值偏置信号至峰值放大电路20；第二芯片包括检测控制电路40，检测控制电路40被配置为检测载波放大电路10的工作状态，并在载波放大电路10未接近饱和状态或者未到达饱和状态时，提供第一峰值偏置信号至峰值偏置电路30；在检测载波放大电路10接近或者到达饱和状态时，提供第二峰值偏置信号至峰值偏置电路30；其中，第二峰值偏置信号的幅值大于第一峰值偏置信号的幅值。
114.其中，第一芯片和第二芯片为采用不同的半导体工艺制造的芯片。在一个实施方式中，第一芯片可以采用gaas或者gan工艺，第二芯片可以采用bicmos工艺或者cmos工艺等。
115.在本实施例中，第二芯片在载波放大电路10未接近饱和状态或者未到达饱和状态时，提供第一峰值偏置信号至峰值偏置电路30；在检测载波放大电路10接近或者到达饱和状态时，提供第二峰值偏置信号至峰值偏置电路30，并在载波放大电路10更接近饱和状态或达到饱和状态时，使峰值放大电路20能够导通，并保证峰值放大电路20导通后具有足够的增益，并且快速地进入达到最大增益的状态，以避免了因峰值放大电路20过早地导通而导致多尔蒂功率放大电路的功率附加效率降低的问题，实现在保证第一芯片中的多尔蒂功率放大电路线性度的同时，还能提高多尔蒂功率放大电路的功率附加效率。
116.在一实施例中，检测控制电路40包括第一偏置信号源41和第二偏置信号源42；峰值偏置电路30包括第一峰值偏置晶体管m31；第一偏置信号源41的输出端与第一峰值偏置晶体管m31的第一端相连，第二偏置信号源42的输出端与第一峰值偏置晶体管m31的第一端相连，第一峰值偏置晶体管m31的第二端与供电端相连，第三端与峰值放大电路20的输入端相连；第二偏置信号源42，被配置为提供第三峰值偏置信号至第一峰值偏置晶体管m31；第一偏置信号源41，被配置为在载波放大电路10未接近饱和状态或者未到达饱和状态时，提供第一峰值偏置信号至第一峰值偏置晶体管m31；在载波放大电路10接近饱和状态或到达饱和状态时，提供第二峰值偏置信号至第一峰值偏置晶体管m31。
117.其中，第一偏置信号源41为用于提供第一峰值偏置信号或第二峰值偏置信号的信号源。第一偏置信号源41可以是电流源或电压源。第二偏置信号源42为用于提供第三峰值偏置信号的信号源。第二偏置信号源42可以是电流源或电压源。第一峰值偏置信号的幅值
与第三峰值偏置信号的幅值之和，小于第二峰值偏置信号的幅值与第三峰值偏置信号的幅值之和。第三峰值偏置信号为控制检测控制电路40中的偏置信号源所输出的偏置信号。第一峰值偏置晶体管m31例如可以是bjt晶体管(例如，hbt晶体管)或者场效应晶体管。
118.作为一示例，第一偏置信号源41的输出端与第一峰值偏置晶体管m31的基极(栅极)相连，第二偏置信号源42的输出端与第一峰值偏置晶体管m31的基极(栅极)相连，第一峰值偏置晶体管m31的集电极(源极)与供电端相连，发射极(漏极)与峰值放大电路20的输入端相连，发射极(漏极)与峰值放大电路20的输入端的连接路径上还设有第一耦合电阻r31。
119.在本实施例中，在载波放大电路10未接近饱和状态或者未到达饱和状态时，第二偏置信号源42提供第三峰值偏置信号至第一峰值偏置晶体管m31，第一偏置信号源41提供第一峰值偏置信号至第一峰值偏置晶体管m31，使第一峰值偏置晶体管m31对接收的第一峰值偏置信号和第三峰值偏置信号进行放大处理，输出放大处理后的第一峰值偏置信号和第三峰值偏置信号。其中，该放大处理后的第一峰值偏置信号和第三峰值偏置信号不足以使该峰值放大电路20导通。在检测载波放大电路10接近或者到达饱和状态时，第二偏置信号源42提供第三峰值偏置信号至第一峰值偏置晶体管m31，第一峰值偏置信号源提供第二峰值偏置信号至第一峰值偏置晶体管m31，第一峰值偏置晶体管m31对接收的第二峰值偏置信号和第三峰值偏置信号进行放大处理，向峰值放大电路20提供放大处理后的第二峰值偏置信号和第三峰值偏置信号，从而导通峰值放大电路20，以对接近或者到达饱和状态时的载波放大电路10进行增益补偿，从而保证多尔蒂功率放大器的线性度。第二峰值偏置信号的幅值和第三峰值偏置信号的幅值之和应满足在载波放大电路10更接近饱和状态或达到饱和状态时，使峰值放大电路20瞬间导通，且在峰值放大电路20导通的瞬间能够提供足够的增益，避免为了提高线性度而过早地导通峰值放大电路20，以出现功率附加效率降低的问题，本技术通过在载波放大电路10未接近饱和状态或未达到饱和状态时，提供幅值较小的第一峰值偏置信号的幅值和第三峰值偏置信号；在载波放大电路10处于接近或者到达饱和状态，提供幅值较大的第二峰值偏置信号和第三峰值偏置信号，从而实现在保证多尔蒂功率放大器的线性度的同时，还能提高功率附加效率。
120.本实施例提供一种多尔蒂功率放大器的控制方法，包括：检测载波放大电路10的工作状态，并在载波放大电路10未接近饱和状态或者未到达饱和状态时，提供第一峰值偏置信号至峰值偏置电路30；在检测载波放大电路10接近或者到达饱和状态时，提供第二峰值偏置信号至峰值偏置电路30；其中，第二峰值偏置信号的幅值大于第一峰值偏置信号的幅值。
121.在本实施例中，该多尔蒂功率放大器的控制方法在上述实施例中的多尔蒂功率放大系统工作时，能够提高多尔蒂功率放大系统的线性度的同时，还能提高功率附加效率。
122.在一实施例中，多尔蒂功率放大器的控制方法还包括：在载波放大电路10未接近饱和状态或者未到达饱和状态时，提供第一峰值偏置信号和第三峰值偏置信号至峰值偏置电路30；在检测载波放大电路10接近或者到达饱和状态时，提供第二峰值偏置信号和第三峰值偏置信号至峰值偏置电路30，其中，第二峰值偏置信号的幅值与第三峰值偏置信号的幅值之和，大于第一峰值偏置信号的幅值与第三峰值偏置信号的幅值之和。
123.作为一示例，检测控制电路40包括第一偏置信号源41和第二偏置信号源42；峰值
偏置电路30包括第一峰值偏置晶体管m31和第二峰值偏置晶体管m32；在载波放大电路10未接近饱和状态或者未到达饱和状态时，第一偏置信号源41提供第一峰值偏置信号至第一峰值偏置晶体管m31，使第一峰值偏置晶体管m31向峰值放大电路20提供放大处理后的第一峰值偏置信号，该第一峰值偏置晶体管m31放大处理后的第一峰值偏置信号的幅值和该第二峰值偏置晶体管m32放大处理后的第三峰值偏置信号的幅值相对较小，不足以使该峰值放大电路20导通；在检测载波放大电路10接近或者到达饱和状态时，第一偏置信号源41提供第二峰值偏置信号至第一峰值偏置晶体管m31，该第一峰值偏置晶体管m31向峰值放大电路20提供放大处理后的第二峰值偏置信号，该第二峰值偏置晶体管m32向峰值放大电路20提供放大处理后的第三峰值偏置信号，放大处理后的第二峰值偏置信号的幅值和放大处理后的第三峰值偏置信号的幅值相对较大，以使峰值放大电路20导通，对接近或者到达饱和状态时的载波放大电路10进行增益补偿，并保证峰值放大电路20在导通后具有足够的增益，并且快速地进入最大增益的状态，以避免了因峰值放大电路20过早地导通而导致功率附加效率降低的问题，从而实现在保证多尔蒂功率放大器的线性度的同时，还能提高功率附加效率。
124.以上所述实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本发明的保护范围之内。