技术特征：
1.一种显示器件功能层的制备方法，其特征在于，包括：在量子点发光层上，利用交替技术沉积膜层，得到所述显示器件功能层；其中，所述交替技术包括喷雾热解后进行扫描退火，所述扫描退火选自电子束扫描、激光扫描中的一种或多种。2.根据权利要求1所述的显示器件功能层的制备方法，其特征在于，所述量子点发光层的温度为15～45℃。3.根据权利要求1所述的显示器件功能层的制备方法，其特征在于，所述交替技术进行次数为3～10次。4.根据权利要求3所述的显示器件功能层的制备方法，其特征在于，利用交替技术沉积膜层包括：处理步骤：利用喷雾热解沉积所述膜层后，对所述膜层进行电子束扫描；重复所述处理步骤3～10次；或者，利用交替技术沉积膜层包括：处理步骤：利用喷雾热解沉积所述膜层后，对所述膜层进行激光扫描；重复所述处理步骤3～10次；或者，利用交替技术沉积膜层包括：处理步骤：利用喷雾热解沉积所述膜层后，对所述膜层依次进行电子束扫描、激光扫描；重复所述处理步骤3～10次。5.根据权利要求3所述的显示器件功能层的制备方法，其特征在于，每次所述沉积的沉积厚度为10～20nm。6.根据权利要求1所述的显示器件功能层的制备方法，其特征在于，所述扫描退火的时间为10-2
～10-1
秒。7.根据权利要求1所述的显示器件功能层的制备方法，其特征在于，所述量子点发光层的材料选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、hgs、hgse、hgte、pbs、pbse、pbte、gap、gaas、inp、inas、无机钙钛矿型半导体、有机-无机杂化钙钛矿型半导体中的一种或多种；其中，所述无机钙钛矿型半导体的通式为amx3，其中a为cs
+
，m选自于pb
2+
、sn
2+
、cu
2+
、ni
2+
、cd
2+
、cr
2+
、mn
2+
、co
2+
、fe
2+
、ge
2+
、yb
2+
、eu
2+
中的一种，x选自于cl-、br-、i-中的一种；所述有机-无机杂化钙钛矿型半导体的通式为bmx3，其中b为有机胺阳离子，m选自于pb
2+
、sn
2+
、cu
2+
、ni
2+
、cd
2+
、cr
2+
、mn
2+
、co
2+
、fe
2+
、ge
2+
、yb
2+
、eu
2+
中的一种，x选自于cl-、br-、i-中的一种。8.根据权利要求1所述的显示器件功能层的制备方法，其特征在于，所述显示器件功能层为电荷传输层、电荷阻挡层中的一种。9.根据权利要求8所述的显示器件功能层的制备方法，其特征在于，所述电荷传输层为电子传输层或空穴传输层，所述电子传输层的材料选自zno、tio2、sno2、ta2o3、zro2、nio、tilio、znalo、znmgo、znsno、znlio、insno中的一种或多种，所述空穴传输层的材料选自聚(9,9-二辛基芴-co-n-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(n,n'-双(4-丁基苯基)-n,n'-双(苯基)联苯胺)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-n,n-苯基-1,4-苯二胺)、4,4’,4
”‑
三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、n,n
’‑
二苯基-n,n
’‑
二(3-甲基苯基)-1,1
’‑
联苯-4,4
’‑
二胺、15n,n
’‑
二苯基-n,n
’‑
(1-萘基)-1,1
’‑
联苯-4,4
’‑
二胺、石墨烯、c60中的一种或多种；
所述电荷阻挡层为电子阻挡层或空穴阻挡层，所述电子阻挡层的材料选自pvk、tfb、polytpb、npb、tapc、nio、v2o5、moo3、wo3中的一种或多种，所述空穴阻挡层的材料选自tpbi、bcp、net5、alq3、oxd-7、zno、tio2中的一种或多种。10.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：制备器件半成品，所述器件半成品包括第一电极和设置在所述第一电极上的量子点发光层；在所述量子点发光层上，利用交替技术沉积膜层，得到所述显示器件功能层；其中，所述交替技术包括喷雾热解后进行扫描退火，所述扫描退火选自电子束扫描、激光扫描中的一种或多种；在所述显示器件功能层上形成第二电极。
技术总结
本发明提供了一种显示器件功能层的制备方法及量子点发光二极管的制备方法，涉及显示技术领域。该显示器件功能层的制备方法包括：在量子点发光层上，利用交替技术沉积膜层，得到显示器件功能层；其中，交替技术包括喷雾热解后进行扫描退火，扫描退火选自电子束扫描、激光扫描中的一种或多种。本发明提供的显示器件功能层的制备方法能够有效改善基于量子点发光层的显示器件功能层的粗糙度问题。发光层的显示器件功能层的粗糙度问题。
技术研发人员：敖资通 张建新 严怡然 杨帆 莫新娣 洪佳婷
受保护的技术使用者：TCL科技集团股份有限公司
技术研发日：2021.09.14
技术公布日：2023/3/16