电致发光器件及其制备方法、光电装置与流程

本技术涉及光电器件领域，具体涉及一种电致发光器件及其制备方法、光电装置。

背景技术：

1、电致发光又称电场发光，是通过加在两电极的电压产生电场，被电场激发的电子碰击发光中心，而引致电子在能级间的跃迁、变化、复合导致发光的一种物理现象。qled(quantum dots light-emitting diode，量子点发光器件)，是一种新兴的、基于无机半导体量子点的电致发光器件。

2、qled核心技术为“quantum dot(量子点)”，量子点由锌、镉、硒和硫原子构成，是一种粒子直径不足10nm的颗粒。这种物质有一个极其特别的性质：当量子点受到光电刺激时，就会发出有色的光线，颜色是由组成量子点的材料和它的大小、形状决定。因为它有这种特性，所以能够改变光源发出的光线的颜色。量子点的发光波长范围非常窄，颜色又比较的纯粹，还可以调节，因此量子点显示器的画面会比液晶显示器的画面更加的清晰明亮，有望成为下一代的平板显示器，具有广阔发展前景。

3、然而，以qled为代表的电致发光器件在研发过程中依旧存在着很多问题，例如在柔性面板领域，为了配合熔点低的柔性衬底，只能在低温下淀积各导电薄膜，制成的薄膜电阻率高、透明度差，与功能层之间的粘附性不好，在弯曲时易折裂，造成器件失效。在工作过程中，也会因为器件发热而导致导电薄膜脱落。

技术实现思路

1、本技术实施例提供一种电致发光器件及其制备方法、光电装置，旨在改善器件容易失效的问题。

2、第一方面，本技术实施例提供一种电致发光器件，包括：阴极、阳极以及设置在所述阴极与阳极之间的两层或两层以上的功能层，所述功能层包括发光层，且至少有两层相邻的功能层的材料中掺有光交联剂。

3、所述光交联剂选自：香豆素、香豆素衍生物、甲基丙烯酸羟乙酯、甲基丙烯酸羟丙酯、二乙烯基苯、n-羟甲基丙烯酰胺或双丙酮丙烯酰胺中的至少一种，所述光交联剂与所述功能层的材料通过化学键结合，所述光交联剂之间形成交联结构。

4、可选的，所述光交联剂与所述功能层材料的质量比为(1～3)：4。

5、可选的，掺有所述光交联剂的所述功能层由功能层的材料和光交联剂组成，所述光交联剂混合分散于所述功能层的材料中。

6、可选的，各所述功能层的材料中均掺有所述光交联剂，各所述功能层由功能层的材料和所述光交联剂组成，所述光交联剂混合分散于所述功能层的材料中。

7、可选的，所述功能层还包括空穴功能层和电子功能层，所述空穴功能层设置于所述发光层与所述阳极之间，所述电子功能层设置于所述发光层与所述阴极之间，所述光交联剂混合分散于所述电子功能层、空穴功能层和所述发光层中。

8、可选的，一层所述功能层包括远离相邻功能层的第一膜层，以及靠近相邻功能层的第二膜层和/或第三膜层；其中，所述第二膜层靠近相邻的下层功能层，所述第三膜层靠近相邻的上层功能层，所述光交联剂混合分散于所述第二膜层和/或第三膜层中。

9、可选的，所述功能层还包括空穴功能层和电子功能层，所述空穴功能层设置于所述发光层与所述阳极之间，所述电子功能层设置于所述发光层与所述阴极之间；其中，所述空穴功能层靠近所述发光层的一侧掺有所述光交联剂，所述发光层靠近所述空穴功能的一侧掺有所述光交联剂，和/或，所述电子功能层靠近所述发光层的一侧掺有所述光交联剂，所述发光层靠近所述电子功能层的一侧掺有所述光交联剂。

10、可选的，所述功能层还包括空穴功能层和电子功能层，所述空穴功能层包括空穴注入层，所述电子功能层包括电子注入层，所述空穴注入层的材料选自：聚(9,9-二辛基芴-co-n-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚合三芳胺、聚(n,n'双(4-丁基苯基)-n,n'-双(苯基)联苯胺)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-n,n-苯基-1,4-苯二胺)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、n,n’-二苯基-n,n’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、15n,n’-二苯基-n,n’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、石墨烯或c60中的至少一种；和/或，

11、所述发光层的材料选自：ii-vi族化合物、iii-v族化合物、ii-v族化合物、iii-vi化合物、iv-vi族化合物、i-iii-vi族化合物、ii-iv-vi族化合物、iv族单质；其中，所述ii-vi化合物选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、hgs、hgse、hgte、pbs、pbse或pbte中的至少一种，所述iii-v族化合物选自gap、gaas、inp或inas中的至少一种；或者，所述发光层的材料选自：掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体，和/或，有机-无机杂化钙钛矿型半导体；其中，所述无机钙钛矿型半导体的结构通式为amx3，a为cs+离子，m为二价金属阳离子，x为卤素阴离子，所述二价金属阳离子选自：pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+或eu2+，所述卤素阴离子选自cl-、br-或i-，所述有机-无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为bmx3，其中b为有机胺阳离子，所述有机胺阳离子选自ch3(ch2)n-2nh3+(n≥2)或nh3(ch2)nnh32+(n≥2)；和/或，

12、所述电子注入层的材料选自：zno、tio2、sno2、ta2o3、zro2、nio、tilio、znalo、znmgo、znsno、znlio或insno中的至少一种；和/或，

13、所述阳极材料选自：金属或非金属材料，所述金属或非金属材料选自镍、铂、金、银、铱或碳纳米管；或者选自掺杂的或未经掺杂的金属氧化物，所述掺杂的或未经掺杂的金属氧化物选自：氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟锡锌、氧化铟铜、氧化锡、氧化铟、镉:氧化锌、氟:氧化锡、铟:氧化锌、镓:氧化锡或锌:氧化铝；和/或，

14、所述阴极的材料选自金属材料、碳材料、金属氧化物中的一种或多种。其中，所述金属材料包括al、ag、cu、mo、au、ba、ca、mg中的一种或多种，所述碳材料包括石墨、碳纳米管、石墨烯、碳纤维中的一种或多种，所述金属氧化物选自掺杂/非掺杂金属氧化物，或者掺杂/非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，所述掺杂/非掺杂金属氧化物包括ito、fto、ato、azo、gzo、izo、mzo、amo中的至少一种，所述复合电极包括azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、tio2/ag/tio2、tio2/al/tio2、zns/ag/zns、zns/al/zns、tio2/ag/tio2、tio2/al/tio2中的一种或多种。

15、第二方面，本技术还提供一种电致发光器件的制备方法，所述方法包括：

16、在阳极上由下至上依次制备两层或两层以上的功能层；以及

17、在所述功能层上制备阴极，获得所述电致发光器件；

18、或者，在阴极上由下至上依次制备两层或两层以上的功能层；以及

19、在所述功能层上制备阳极，获得所述电致发光器件；

20、其中，所述功能层包括发光层，且至少有两层所述功能层的材料中掺有光交联剂，两层所述功能层为相邻设置。

21、可选的，所述两层或两层以上的功能层的制备方法包括：

22、将交联剂与功能层的材料溶液混合并加热得到混合溶液，利用所述混合溶液制得功能层；

23、依次进行下一功能层的制备，得到两层或两层以上的功能层；以及

24、将所述两层或两层以上的功能层进行紫外光辐照处理。

25、可选的，所述两层或两层以上的功能层的制备方法包括：

26、将交联剂与功能层的材料溶液混合并加热得到混合溶液，利用所述功能层的材料溶液制得第一膜层，利用所述混合溶液制得第二膜层和/或第三膜层，得到功能层；其中，所述第二膜层靠近相邻的下层功能层，所述第三膜层靠近相邻的上层功能层；

27、依次进行下一功能层的制备，得到两层或两层以上的功能层；以及

28、将所述两层或两层以上的功能层进行紫外光辐照处理。

29、可选的，在所述混合溶液中，所述光交联剂与所述功能层材料的质量比为(1～3)：4。

30、可选的，所述光交联剂选自：香豆素、香豆素衍生物、甲基丙烯酸羟乙酯、甲基丙烯酸羟丙酯、二乙烯基苯、n-羟甲基丙烯酰胺或双丙酮丙烯酰胺中的至少一种。

31、本技术还提供一种光电装置，包括第一方面所述的电致发光器件，或包括第二方面所述的制备方法制备的电致发光器件。

32、有益效果：

33、本技术通过在至少两层相邻的功能层的材料中掺有光交联剂，光交联剂一方面可以与各功能层材料通过化学键的方式结合，另一方面，光交联剂之间还可以形成交联结构，使相邻的各功能层之间贴合的更为牢固，避免柔性器件在使用过程中出现的膜层开裂以及膜层整体脱落的情况，从而改善器件容易失效的问题。