阵列基板的电容器组件，阵列基板及制造方法和显示面板与流程

本技术涉及显示设备，尤其涉及一种阵列基板的电容器组件，阵列基板及制造方法和显示面板。

背景技术：

1、薄膜晶体管阵列驱动电路，即tft电路是高分辨率显示屏非常重要的组成部分。现有技术中，tft多采用薄膜电容，薄膜电容是由tft电路中的两层导电薄膜中间夹一层绝缘介质薄膜形成。薄膜电容通常为规则的矩形平面设置在所述衬底上。其中，用户通常通过增加薄膜电容的面积来提高电容容量，即增加上下导电电极和介电层在截面方向上重叠的面积。

2、增加薄膜电容的面积容易影响阵列基板的出光，阵列基板的透光性较差，影响用户体验。

技术实现思路

1、本技术提供一种阵列基板的电容器组件，阵列基板及制造方法和显示面板，以解决现有技术中阵列基板的透光性较差的技术问题。

2、一方面，本技术提供一种用于阵列基板的电容器组件，所述电容器组件包括：

3、间隔设置的第一电极层和第二电极层；

4、所述电容器组件的至少一部分为卷曲结构，所述卷曲结构沿第一方向延伸，所述第一电极层和所述第二电极层在垂直于所述第一方向的平面上的正投影分别呈卷曲状。

5、在本技术一种可能的实现方式中，所述电容器组件具有固定端和自由端，所述自由端具有朝所述固定端卷曲的趋势，所述自由端抵接在所述固定端上。

6、在本技术一种可能的实现方式中，所述电容器组件包括：

7、第一卷曲层，所述第一卷曲层设置在所述第一电极层和所述第二电极层之间，所述第一卷曲层覆盖所述第一电极层；

8、第二卷曲层，所述第二卷曲层设置在所述第二电极层远离所述第一卷曲层的一侧；

9、第三卷曲层，所述第三卷曲层设置在所述第一电极层远离所述第一卷曲层的一侧；

10、牺牲层，所述牺牲层设置在所述第三卷曲层远离所述第一电极层的一侧。

11、在本技术一种可能的实现方式中，所述第一卷曲层、所述第二卷曲层、所述第三卷曲层的材料分别独立的包括铝氧化物、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、二氧化钛、二氧化铪、氧化锌、氧化镁、氧化锆中的至少一种；和/或

12、所述牺牲层的材料包括聚酰亚胺、酚醛树脂、甲基丙烯酸异丁脂、聚丙烯酰胺、肉桂酸脂中的至少一种；和/或

13、所述第一电极层和所述第二电极层的材料分别独立的包括氧化铟锡、氧化铟锌、3,4-乙烯二氧噻吩单体、铝、钼、钛、铜、银、金的至少一种；和/或

14、所述第一卷曲层、所述第二卷曲层、所述第三卷曲层的厚度分别独立的为0.02um～1um；和/或

15、所述牺牲层的厚度为0.01um～1um；和/或

16、所述第一电极层和所述第二电极层的厚度为50nm～300nm。

17、在本技术一种可能的实现方式中，所述电容器组件的至少一部分呈圆柱形，所述圆柱形具有中空内腔，所述中空内腔的直径为0.1um～5.5um。

18、另一方面，本技术还提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：

19、衬底；

20、薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述衬底上；

21、公共电极线，所述公共电极线设置在所述衬底上，且与所述薄膜晶体管间隔设置；

22、平坦层，所述平坦层覆盖所述薄膜晶体管以及所述公共电极线；

23、如上文所述的电容器组件，所述电容器组件设置在所述平坦层上，所述第一电极层电连接所述公共电极线，所述第二电极层电连接所述薄膜晶体管中的第一电极。

24、在本技术一种可能的实现方式中，所述阵列基板还包括：

25、像素界定层，所述像素界定层沿所述第一方向延伸设置在所述平坦层上，且覆盖所述电容器组件，相邻的两个所述像素界定层限定出开口；

26、像素电极，所述像素电极设置在所述开口中，所述像素电极电连接所述第一电极。

27、在本技术一种可能的实现方式中，在垂直于所述第一方向的截面上，所述电容器组件在所述像素界定层中的面积比小于等于80％。

28、另一方面，本技术还提供一种阵列基板的制造方法，包括：

29、提供阵列基板预制件；

30、在所述阵列基板预制件上形成电容器组件，所述电容器组件包括间隔设置的第一电极层和第二电极层，所述电容器组件的至少一部分为卷曲结构，所述卷曲结构沿第一方向延伸，所述第一电极层和所述第二电极层在垂直于所述第一方向的平面上的正投影分别呈卷曲状。

31、在本技术一种可能的实现方式中，所述阵列基板预制件包括衬底、间隔设置在所述衬底上的薄膜晶体管和公共电极线，以及覆盖所述薄膜晶体管和所述公共电极线的平坦层；

32、在所述阵列基板预制件上形成电容器组件的步骤，包括：

33、在所述平坦层上形成牺牲层前驱薄膜，对所述牺牲层前驱薄膜进行图案化改性，以形成相连的牺牲层和改性层；

34、在所述牺牲层和所述改性层上形成待卷曲前驱薄膜，并对所述待卷曲前驱薄膜图案化处理，以形成待卷曲薄膜，所述待卷曲薄膜覆盖所述牺牲层的至少一部分以及覆盖所述改性层的至少一部分，其中，所述待卷曲薄膜包括依次层叠设置的第三卷曲前驱层、所述第一电极前驱层、第一卷曲前驱层、所述第二电极前驱层和第二卷曲前驱层；

35、沿所述改性层远离所述牺牲层一侧的端部朝向所述牺牲层的方向，依次进行刻蚀处理去除所述改性层，所述待卷曲薄膜由远离所述牺牲层一侧向朝向所述牺牲层一侧卷起以形成所述电容器组件，所述牺牲层形成固定层，所述第三卷曲前驱层形成第三卷曲层，所述第一电极前驱层形成第一电极层、所述第一卷曲前驱层形成第一卷曲层、所述第二电极前驱层形成第二电极层，所述第二卷曲前驱层形成第二卷曲层。

36、在本技术一种可能的实现方式中，所述改性层的材料与所述待卷曲薄膜的材料的蚀刻选择比不小于200：1；和/或

37、所述刻蚀处理为各向同性刻蚀处理。

38、在本技术一种可能的实现方式中，在所述衬底上形成所述牺牲层前驱薄膜之前，该方法还包括：在所述平坦层上形成像素电极，所述像素电极电连接第一电极；和/或

39、在所述阵列基板预制件上形成电容器组件之后，该方法还包括：形成像素界定层，所述像素界定层沿所述第一方向延伸设置在所述平坦层上，且覆盖所述电容器组件，相邻的两个所述像素界定层限定出开口。

40、另一方面，本技术还提供一种显示面板，所述显示面板包括：

41、如上文所述的阵列基板或上文所述的制造方法制备得到的阵列基板；

42、发光层，所述发光层设置在所述阵列基板具有所述电容器组件的一侧上；

43、顶电极，所述顶电极设置在发光层远离所述像素电极的一侧上。

44、本技术提供的一种阵列基板的电容器组件，阵列基板及制造方法和显示面板，包括：间隔设置的第一电极层和第二电极层；电容器组件的至少一部分为卷曲结构，卷曲结构沿第一方向延伸，第一电极层和第二电极层在垂直于第一方向的平面上的正投影分别呈卷曲状。通过设置卷曲结构的电容器组件，相对于平面电容，可以减少电容器组件在阵列基板上的投影面积，提高了阵列基板的透光性，进而提高了显示效果；且卷曲形状的电容器组件可以增大第一电极层和第二电极层的面积，即进一步提高电容器组件的容量，提高了阵列基板的显示效果。