高韧性Mxene复合电磁屏蔽膜及制备方法和应用

技术特征：
1.高韧性mxene复合电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：s1、制备ti3c2t
x mxene，s2、通过带正电荷的pedot分子链与mxene表面极性官能团的静电作用，将pedot分子链均匀地堆积在mxene平面两侧制备，制得mxene与pedot复合膜。2.如权利要求1所述的高韧性mxene复合电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，所述s1，具体包括如下步骤：s11、向反应釜中加入lif和hcl；s12、将ti3alc2逐次加入反应釜中，在搅拌状态下反应；s13、反应结束后将产物离心处理，将离心处理后的下底部沉淀加入hcl中搅拌，得到浆液；s14、将上述浆液经过离心处理后，得到黏性沉淀和颜色发黑的上层液体；s15、取上述黏性沉淀，向其中加入去离子水，之后在惰性气氛保护下超声处理，超声结束后，离心处理，得到墨绿色的分散液，得到ti3c2t
x mxene凝胶溶液。s16、上述凝胶溶液通过水系滤膜抽滤，抽干后真空干燥处理，干燥后研磨成粉，称量ti3c2t
x
mxene凝胶溶液的浓度。3.如权利要求2所述的高韧性mxene复合电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，所述s2，具体包括如下步骤：s21、将pedot：pss水溶液与ti3c2t
x mxene凝胶溶液混合，s22、将上述混合凝胶抽滤制成薄膜，s23、用去离子水清洗薄膜。4.如权利要求1所述的高韧性mxene复合电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，制备每单位高韧性mxene复合电磁屏蔽膜的工艺如下：所述s1制备ti3c2t
x mxene的具体工艺包括以下步骤：s11、向聚四氟乙烯釜中加入1.56g lif和20ml 9mol/l的hcl溶液在30度下反应2h，以使lif得到充分反应；s12、称量1g ti3alc2，在10min内，分若干次缓慢加入聚四氟乙烯釜中，调整反应器转速在500rpm，在30度下反应24h；s13、反应结束后将产物离心处理，倒掉上层液体，将下底部沉淀加入2mol/l的hcl溶液中搅拌2h，得到浆液；s14、将上述浆液在5000rpm 5min条件下离心处理，直至出现黏性沉淀和上层液体发黑后，即可停止离心，上层液体倒掉；s15、向黏性沉淀中加入50ml去离子水后，在通惰性气氛保护下超声处理1.5h，超声结束后，在2500rpm 30min条件下离心处理，得到墨绿色的分散液，得到ti3c2t
x mxene凝胶溶液；s16、上述凝胶溶液通过用0.22微米的水系滤膜抽滤，抽干后在40度下真空干燥处理，干燥后研磨成粉，所得ti3c2t
x mxene凝胶溶液的溶度为5mg/ml；所述s2具体包括以下步骤：s21、pedot：pss水溶液，固含量为6％与ti3c2t
x mxene凝胶溶液，以体积比1:3混合，s22、将上述混合物抽滤制成薄膜，
s23、在用去离子水进行清洗薄膜，以使pss成分充分洗去，最终得到mxene与pedot的复合薄膜。5.使用如权利要求4所述的高韧性mxene复合电磁屏蔽膜的制备方法制备的高韧性mxene复合电磁屏蔽膜，其特征在于，所述mxene与pedot原位复合形成厚度为微米级的薄片。6.如权利要求5所述的高韧性mxene复合电磁屏蔽膜，其特征在于，所述纳米级的薄片中，pedot占重量含量为30％。7.如权利要求6所述的高韧性mxene复合电磁屏蔽膜，其特征在于，所述pedot的分子链是带正电荷的，带正电荷的pedot分子链与所述mxene表面极性官能团通过静电作用，均匀地堆积在mxene平面两侧。8.如权利要求5～7中任一项所述的高韧性mxene复合电磁屏蔽膜的应用，其特征在于，在微波暗室方面的应用。9.如权利要求5～7中任一项所述的高韧性mxene复合电磁屏蔽膜的应用，其特征在于，在可穿戴式电磁防护方面的应用。

技术总结
本发明属于电磁屏蔽材料领域，为解决传统Mxene材料阻抗匹配性能差和力学性能差的问题，本发明提供一种高韧性Mxene复合电磁屏蔽膜及制备方法和应用，制备方法为第一步制备Ti3C2T


技术研发人员：史月琴 郑鑫 徐旻轩 李馨 张骐
受保护的技术使用者：杭州电子科技大学
技术研发日：2021.12.25
技术公布日：2022/3/22