技术特征：
1.一种谐振器件，其特征在于，包括晶圆衬底、压电层以及叉指电极层；所述压电层位于所述晶圆衬底的一侧，所述压电层包括压电单晶材料，所述压电单晶材料包括互相垂直的第一晶轴、第二晶轴以及第三晶轴；所述叉指电极层位于所述压电层远离所述衬底的一侧，所述叉指电极层产生于所述压电层内的电场方向为器件方向；其中，所述第一晶轴垂直于所述晶圆衬底，且所述器件方向与所述第二晶轴的夹角为角a1，
‑
30
°
≤a1≤10
°
；或者，所述第一晶轴垂直于所述晶圆衬底，且所述器件方向与所述第二晶轴的夹角为角a2，170
°
≤a2≤210
°
；或者，所述第二晶轴与垂直于所述晶圆衬底的方向的夹角为角b1，
‑
20
°
≤b1≤40
°
，且所述器件方向与所述第一晶轴的夹角为角b2，
‑
20
°
≤b2≤20
°
。2.根据权利要求1所述的谐振器件，其特征在于，所述第一晶轴由所述晶圆衬底指向所述压电层，且所述器件方向沿逆时针方向旋转至与所述第二晶轴的夹角为所述角a1。3.根据权利要求1所述的谐振器件，其特征在于，所述第一晶轴由所述晶圆衬底指向所述压电层，且所述器件方向沿顺时针方向旋转至与所述第二晶轴的夹角为所述角a2。4.根据权利要求1所述的谐振器件，其特征在于，所述第一晶轴由所述压电层指向所述晶圆衬底，且所述器件方向沿顺时针方向旋转至与所述第二晶轴的夹角为所述角a1。5.根据权利要求1所述的谐振器件，其特征在于，所述第一晶轴由所述压电层指向所述晶圆衬底，且所述器件方向沿逆时针方向旋转至与所述第二晶轴的夹角为所述角a2。6.根据权利要求1所述的谐振器件，其特征在于，所述第二晶轴包括向沿相对方向延伸的正方向和反方向；当所述角b1等于0
°
时，所述第二晶轴的正方向由所述晶圆衬底指向所述压电层或者由所述压电层指向所述晶圆衬底，且所述器件方向沿顺时针方向旋转至与所述第一晶轴的夹角为所述角b2；或者，当所述角b1等于0
°
时，所述第二晶轴的正方向由所述晶圆衬底指向所述压电层或者由所述压电层指向所述晶圆衬底，且所述器件方向沿逆时针方向旋转至与所述第一晶轴的夹角为所述角b2。7.根据权利要求1所述的谐振器件，其特征在于，所述晶圆衬底的主定位边位于第一方向；由所述叉指电极层产生于所述压电层内的电场在所述压电层内激发的声波的传播方向，与所述第一方向的夹角为角c1，
‑
30
°
≤c1≤30
°
。8.根据权利要求1所述的谐振器件，其特征在于，所述叉指电极层包括多个第一叉指电极和多个第二叉指电极；多个所述第一叉指电极均连接至位于所述叉指电极层的第一侧的汇流条，且所述第一叉指电极均由所述叉指电极层的第一侧沿第二方向向所述叉指电极层的第二侧延伸，所述第一侧与所述第二侧相对；
多个所述第二叉指电极均连接至位于所述叉指电极层的第二侧的汇流条，且所述第二叉指电极均由所述第二侧沿所述第二方向向所述第一侧延伸；所述第一叉指电极和所述第二叉指电极在所述压电层上的垂直投影相交替，且所述第一叉指电极和所述第二叉指电极互相绝缘。9.根据权利要求8所述的谐振器件，其特征在于，还包括金属层和声反射栅；所述金属层位于所述叉指电极层远离所述晶圆衬底的一侧，所述金属层覆盖所述叉指电极层第一侧的汇流条的至少部分区域，并覆盖所述叉指电极层第二侧的汇流条的至少部分区域；所述声反射栅位于所述压电层远离所述晶圆衬底的一侧，所述声反射栅设置在所述叉指电极层沿所述第二方向的两侧，并与所述叉指电极层绝缘；每一侧的所述声反射栅均包括多个沿所述第二方向延伸的金属条；所述金属条在第三方向上的宽度大于所述第一叉指电极和所述第二叉指电极在所述第三方向的宽度的0.25倍，并小于所述第一叉指电极和所述第二叉指电极在所述第三方向的宽度的10倍；所述叉指电极层与相邻的所述金属条的间距大于所述第一叉指电极和所述第二叉指电极在所述第三方向的宽度的0.2倍，并小于所述第一叉指电极和所述第二叉指电极在所述第三方向的宽度的10倍；其中，所述第三方向平行于所述晶圆衬底，并垂直于所述第二方向。10.一种声学滤波器，其特征在于，包括如权利要求1
‑
9任一项所述的谐振器件。
技术总结
本实用新型实施例公开了一种谐振器件及声学滤波器。谐振器件包括晶圆衬底、压电层以及叉指电极层；压电层位于晶圆衬底的一侧，压电层包括压电单晶材料，压电单晶材料包括互相垂直的第一晶轴、第二晶轴以及第三晶轴；叉指电极层产生于压电层内的电场方向为器件方向；其中，第一晶轴垂直于晶圆衬底，且器件方向与第二晶轴的夹角为角A1，
技术研发人员：龚颂斌 杨岩松
受保护的技术使用者：偲百创（深圳）科技有限公司
技术研发日：2021.02.20
技术公布日：2021/9/21