MEMS传感器用PCB板的制作方法

文档序号:27406332发布日期:2021-11-16 00:02阅读:488来源:国知局
MEMS传感器用PCB板的制作方法
mems传感器用pcb板
技术领域
1.本实用新型涉及pcb板结构领域,尤其涉及一种mems传感器用pcb板。


背景技术:

2.如图1所示,在麦克风行业,mems传感器(microelectro mechanical systems,微机电系统)的pcb板中,电容的一端通常通过第一焊盘1'连接大片铜箔4',另一端通过第二焊盘2'连接线路3'。传统技术中,第一焊盘1'和第二焊盘2'通常在焊接过程中直接在对应的大片铜箔4'和线路3'上阻焊开窗形成,软熔焊接时,焊盘引脚升温锡膏熔化,大片铜箔一端的第一焊盘1'因铜箔面积大导致传热速度慢,焊接升温缓慢,而另一端线路3'上的第二焊盘2'因线路3'面积小而升温快,使得电容两端受力不均,容易导致立碑,严重影响电容的焊接效率和焊接成本。


技术实现要素:

3.本实用新型的目的在于提出一种mems传感器用pcb板,以克服传统mems传感器的pcb板的电容焊接过程中容易出现立碑的技术问题。
4.为达此目的,本实用新型采用以下技术方案:
5.一种mems传感器用pcb板,包括:基底铜箔、线路和电子元件,所述基底铜箔上设置有第一焊盘引脚,所述线路上设置有第二焊盘引脚,所述第一焊盘引脚的面积和所述第二焊盘引脚的面积的差值不大于20%,所述电子元件分别通过所述第一焊盘引脚和所述第二焊盘引脚与对应的所述基底铜箔和所述线路连接。
6.在其中一个实施例中,所述第一焊盘引脚采用蚀刻方式制作形成。
7.在其中一个实施例中,所述第一焊盘引脚包括引脚本体和导通铜箔,所述引脚本体上开设有第一导通孔,所述基底铜箔上开设有第二导通孔,所述导通铜箔分别与所述第一导通孔和所述第二导通孔电连接。
8.在其中一个实施例中,所述第二焊盘引脚采用蚀刻方式制作形成。
9.在其中一个实施例中,所述第一焊盘引脚的面积和所述第二焊盘引脚的面积相等。
10.在其中一个实施例中,所述第一焊盘引脚和所述第二焊盘引脚均为矩形。
11.在其中一个实施例中,所述电子元件为电容、电阻或电感中的一种或多种。
12.在其中一个实施例中,所述第一焊盘引脚为接地端。
13.上述的mems传感器用pcb板包括基底铜箔、线路和电子元件,基底铜箔上设置有第一焊盘引脚,线路上设置有第二焊盘引脚,第一焊盘引脚的面积和第二焊盘引脚的面积的差值不大于20%,电子元件分别通过第一焊盘引脚和第二焊盘引脚与对应的基底铜箔和线路连接。上述的mems传感器用pcb板分别在基底铜箔和线路上设置独立的第一焊盘引脚和第二焊盘引脚,第一焊盘引脚的面积和第二焊盘引脚的面积差异小,软熔焊接时第一焊盘引脚和第二焊盘引脚可以同步升温,电子元件两端受力均匀,能够有效避免立碑,可以有效
提高电子元件的焊接效率,节约焊接成本。
附图说明
14.图1是现有技术中mems传感器的pcb板的平面布局示意图;
15.图2是一个实施例中mems传感器用pcb板的平面布局示意图;
16.图3是另一个实施例中mems传感器用pcb板的平面布局示意图;
17.图4是图3所示的mems传感器用pcb板的剖面图。
18.附图标记说明:
19.1'

第一焊盘,2'

第二焊盘,3'

线路,4'

大片铜箔;
20.10

第一焊盘引脚,11

引脚本体,20

第二焊盘引脚,30

线路,40

基底铜箔,50

第一导通孔,60

第二导通孔,70

导通铜箔。
具体实施方式
21.下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。
22.在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
23.请参阅图2,一实施例的mems传感器用pcb板包括基底铜箔40、线路30和电子元件,基底铜箔40上设置有第一焊盘引脚10,线路30上设置有第二焊盘引脚20,第一焊盘引脚10的面积和第二焊盘引脚20的面积的差值不大于20%,电子元件分别通过第一焊盘引脚10和第二焊盘引脚20与对应的基底铜箔40和线路30连接。优选地,第一焊盘引脚10的面积和第二焊盘引脚20的面积相等。
24.上述的mems传感器用pcb板包括基底铜箔40、线路30和电子元件,基底铜箔40上设置有第一焊盘引脚10,线路30上设置有第二焊盘引脚20,第一焊盘引脚10的面积和第二焊盘引脚20的面积的差值不大于20%,电子元件分别通过第一焊盘引脚10和第二焊盘引脚20与对应的基底铜箔40和线路30连接。上述的mems传感器用pcb板分别在基底铜箔40和线路30上设置独立的第一焊盘引脚10和第二焊盘引脚20,第一焊盘引脚10的面积和第二焊盘引脚20的面积差异小,软熔焊接时第一焊盘引脚10和第二焊盘引脚20可以同步升温,电子元件两端受力均匀,能够有效避免立碑,可以有效提高电子元件的焊接效率,节约焊接成本。
25.在一个实施例中,第一焊盘引脚10采用蚀刻方式制作形成。进一步地,在一个实施例中,第二焊盘引脚20采用蚀刻方式制作形成。第一焊盘引脚10和第二焊盘引脚20均采用蚀刻方式制作形成,结构简单,制作方便。
26.在一个实施例中,第一焊盘引脚10和第二焊盘引脚20均为矩形,加工方便。
27.具体地,第一焊盘引脚10可以但不局限于为接地端,电子元件可以但不局限于为电容、电阻或电感中的一种或多种。进一步地,上述的实施例中,基底铜箔40为大面积铜箔,需要说明的是,上述的第一焊盘引脚10和第二焊盘引脚20结构不仅局限于应用于电子元件与大面积的基底铜箔40和线路30之间的焊接,电子元件与面积悬殊的两片铜箔焊接也同样适用。
28.在另一个实施例中,如图3、图4所示,第一焊盘引脚包括引脚本体11和导通铜箔70,引脚本体11上开设有第一导通孔50,基底铜箔40上开设有第二导通孔60,导通铜箔70分别与第一导通孔50和第二导通孔60电连接。本实施例中,引脚本体11通过第一通孔50经导通铜箔70与基底铜箔40上的第二通孔60导通,从而实现引脚本体11与基底铜箔40隔离设置,第一焊盘引脚10的面积和第二焊盘引脚20的面积差异小,软熔焊接时第一焊盘引脚10和第二焊盘引脚20可以同步升温,电容两端受力均匀,杜绝立碑。本实施例与上述实施例的区别仅在于第一焊盘引脚10的结构不同,其它结构及组成均相同,在此不再赘述。
29.以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
30.以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
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