技术特征：
1.一种电路板结构，包括基板，其特征在于，所述基板表面包括覆盖有屏蔽膜的膜区域，所述膜区域设置有封闭在所述屏蔽膜内的连接器；所述基板内包括电磁带隙结构区域，所述电磁带隙结构区域设置有电磁带隙结构，所述电磁带隙结构区域和所述膜区域上下层叠设置，所述电磁带隙结构用于抑制基于所述连接器产生的干扰噪声。2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述电磁带隙结构区域包括多个电路单元，每个电路单元包括层叠设置的地平面层、电源平面层以及设置有电磁带隙结构的平板导电线的导电层，所述电磁带隙结构的平板导电线分别与所述电源平面层的电源平面、所述连接器电连接；所述膜区域还设置有封闭在所述屏蔽膜内的不规则微带平板导电线，所述不规则微带平板导电线分别与所述地平面所在的地网、所述电源平面所在的电源网电连接。3.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，所述不规则微带平板导电线包括与所述电源网电连接的第一不规则微带平板导电线和与所述地网电连接的第二不规则微带平板导电线，所述第一不规则微带平板导电线和所述第二不规则微带平板导电线上分别间隔设置有多个凸起；所述第一不规则微带平板导电线上的凸起的位置和所述第二不规则微带平板导电线上的凸起的位置相互错开；在所述第一不规则微带平板导电线上和所述第二不规则微带平板导电线上，相邻设置的两个凸起之间的间隔距离大于所述凸起的宽度。4.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，所述不规则微带平板导电线的两端分别与所述连接器和所述电磁带隙结构区域电连接；所述膜区域还设置有封闭在所述屏蔽膜内的无源器件，所述无源器件与所述电磁带隙结构区域电连接；第一不规则微带平板导电线与所述连接器的电源管脚电连接，第二不规则微带平板导电线与所述连接器的地管脚电连接。5.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，所述不规则微带平板导电线的一端与所述电磁带隙结构区域电连接；所述膜区域还设置有封闭在所述屏蔽膜内的无源器件，所述无源器件与所述不规则微带平板导电线的另一端电连接；或者，所述无源器件的一端与所述电磁带隙结构区域电连接，所述无源器件的另一端与所述不规则微带平板导电线的另一端电连接；或者，所述无源器件的两端分别与所述连接器和所述电磁带隙结构区域电连接。6.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述膜区域还设置有封闭在所述屏蔽膜内的火花隙，所述火花隙包括相对设置的第一电极和第二电极，所述第一电极设置在所述连接器的电源管脚的末端，所述第二电极设置在所述连接器的地管脚的末端；所述第一电极和所述第二电极相对的两末端分别呈三角形，两个三角形末端的顶点相对。7.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，所述电磁带隙结构的平板导电线的数量至少为四个，所述电源平面与所述电磁带隙结构的平板导电线上在对应位置分别设置有至少
一个电源孔，所述至少四个电磁带隙结构的平板导电线通过所述电源孔与所述电源平面电连接，所述地平面与所述电磁带隙结构的平板导电线上在对应位置分别设置有至少两个地孔。8.根据权利要求7所述的结构，其特征在于，至少两个所述电磁带隙结构的平板导电线与所述地孔的阴影重叠；所述电磁带隙结构的平板导电线的长度大于或等于第一长度阈值，小于或等于第二长度阈值，所述第一长度阈值为基准长度与长度误差之差，所述第二长度阈值为所述基准长度与所述长度误差之和，所述基准长度为被抑制频段的波长的四分之一；所述电磁带隙结构的平板导电线的数量为四个，四个所述电磁带隙结构的平板导电线相互垂直设置并形成四个末端，四个所述电磁带隙结构的平板导电线通过所述四个末端和所述电源孔与所述电源平面电连接。9.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述屏蔽膜通过镀膜的方式得到，所述屏蔽膜包括磁导率大于1的材料和金属材料。10.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，所述电源平面层在与所述连接器的电源管脚重叠的区域设置有净空区域；所述净空区域设置有弯折的、与所述电磁带隙结构的平板导电线交叉的带状导电线；所述带状导电线的长度大于或等于第一长度阈值，小于或等于第二长度阈值，所述第一长度阈值为基准长度与长度误差之差，所述第二长度阈值为所述基准长度与所述长度误差之和，所述基准长度为被抑制频段的波长的四分之一。
技术总结
本申请公开了一种电路板结构，该电路板结构包括基板，所述基板表面包括覆盖有屏蔽膜的膜区域，所述膜区域设置有封闭在所述屏蔽膜内的连接器；所述基板内包括电磁带隙结构区域，所述电磁带隙结构区域设置有电磁带隙结构，所述电磁带隙结构区域和所述膜区域上下层叠设置，所述电磁带隙结构用于抑制基于所述连接器产生的干扰噪声。通过这种方式，本申请能够在不额外增加空间的情况下，提升产品的电磁兼容能力。能力。能力。
技术研发人员：李劲松
受保护的技术使用者：深圳市大疆创新科技有限公司
技术研发日：2021.04.26
技术公布日：2022/5/10