一种电镀围坝结构的制作方法

1.本实用新型涉及基板制作领域技术，尤其是指一种电镀围坝结构。


背景技术：

2.传感器、晶体振荡器、谐振器、激光器、摄像装置、led光源等器件一般采用陶瓷基板封装方式，常用的封装结构是在带有线路层的陶瓷基板上设置围坝，围坝上设置盖板，盖板、围坝与陶瓷基板围设成密封腔室，该密封腔室内用于放置各类芯片等器件，通过向密封腔室内填充封装胶水、惰性气体或直接抽真空，实现器件的气密封装。
3.目前围坝种类比较多，但一般都是开口形的围坝，这种围坝在杀菌消毒和传感器领域有比较多的应用。一般固晶后上面再进行玻璃封盖，以达到密封的效果。但是在管壳类应用中，有些器件需要分腔制作，但底部又需连通，后续焊接金属条比较繁琐。
4.因此，需要研究一种新的技术方案来解决上述问题。


技术实现要素：

5.有鉴于此，本实用新型针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种电镀围坝结构，其结构简单，节省客户端焊接的成本，实现无缝分腔。
6.为实现上述目的，本实用新型采用如下之技术方案：
7.一种电镀围坝结构，包括有陶瓷片，所述陶瓷片上设置有陶瓷线路板，所述陶瓷线路板具有上线路板和下线路板，所述上线路板和下线路板分别设置于陶瓷片的上、下表面，所述陶瓷片内设置有导通孔，所述导通孔导通连接于对应的上线路板和下线路板，实现垂直电连接；
8.所述上线路板的上表面设置有镀铜围坝，所述镀铜围坝与陶瓷片围构成封装腔室，所述镀铜围坝的表面覆盖有一层沉铜层，所述沉铜层的表面设置有镀铜横梁，所述镀铜横梁通过沉铜层与镀铜围坝相连接导通，所述镀铜横梁将封装腔室分为两个以上腔室。
9.作为一种优选方案，所述镀铜围坝呈矩形环状，其包括有依次连接的第一边、第二边、第三边以及第四边，其横跨连接于第一边、第三边的顶部之间。
10.作为一种优选方案，所述镀铜横梁居中连接于第一边、第三边的顶部。
11.作为一种优选方案，所述镀铜横梁为一字形、十字形或s形。
12.本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言，由上述技术方案可知，其主要是通过陶瓷片的在上线路板的表面设置有镀铜围坝，并配合镀铜围坝与陶瓷片围构形成封装腔室，再通过在镀铜围坝的表面覆盖有一层沉铜层，再于沉铜层的表面采用电镀形成有镀铜横梁，所述镀铜横梁通过沉铜层与镀铜围坝相连接导通；其结构简单，节省客户端焊接的成本，实现无缝分腔。
13.为更清楚地阐述本实用新型的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对本实用新型进行详细说明。
附图说明
14.图1是本实用新型之实施例的制作过程的第一状态示意图；
15.图2是本实用新型之实施例的制作过程的第二状态示意图；
16.图3是本实用新型之实施例的制作过程的第三状态示意图；
17.图4是本实用新型之实施例的制作过程的第四状态示意图；
18.图5是本实用新型之实施例的制作过程的第五状态示意图；
19.图6是本实用新型之实施例的制作过程的第六状态示意图；
20.图7是本实用新型之实施例的制作过程的第七状态示意图；
21.图8是本实用新型之实施例的制作过程的第八状态示意图；
22.图9是本实用新型之实施例的制作过程的第九状态示意图（也指电镀围坝结构的成品结构示意图）。
23.附图标识说明：
24.10、陶瓷片
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11、陶瓷线路板
25.12、上线路板
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13、下线路板
26.14、导通孔
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15、镀铜围坝
27.151、沉铜层
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16、封装腔室
28.17、镀铜横梁。
具体实施方式
29.请参照图1至图9所示，其显示出了本实用新型之实施例的具体结构。
30.一种电镀围坝结构，包括有陶瓷片10，所述陶瓷片10上设置有陶瓷线路板11，所述陶瓷线路板11具有上线路板12和下线路板13，所述上线路板12和下线路板13分别设置于陶瓷片10的上、下表面，所述陶瓷片10内设置有导通孔14，所述导通孔14导通连接于对应的上线路板12和下线路板13，实现垂直电连接，在本实施例中，所述上线路板12为多个，相邻两上线路板12之间通过蚀刻工艺形成有间隙。
31.所述上线路板12的上表面设置有镀铜围坝15，所述镀铜围坝15的表面覆盖有一层沉铜层151，所述镀铜围坝15与陶瓷片10围构成封装腔室16，在本实施例中，所述沉铜层151采用沉铜工艺，所述沉铜层151的表面采用电镀形成有镀铜横梁17，所述镀铜横梁17位于沉铜层151的上表面，所述镀铜横梁17通过沉铜层与镀铜围坝15相连接导通；所述镀铜横梁17将封装腔室16分为两个以上腔室。
32.本实施例中，所述镀铜围坝17呈矩形环状，其包括有依次连接的第一边、第二边、第三边以及第四边，所述镀铜横梁17为一字形，其横跨连接于于第一边、第三边的顶部之间，例如可以居中设置，如此，所述镀铜横梁17将封装腔室分为两个腔室。在实际设计时，所述镀铜横梁17还可以为十字形或s形或其它形状，以将封装腔室16分为两个以上腔室。
33.详述本实施例的制作过程如下：
34.步骤1：如图1所示，取陶瓷片10，在陶瓷片10的表面采用电镀的方式形成薄膜；
35.步骤2：如图2所示，在陶瓷片10需要布线的地方做导通孔14，导通孔14贯穿陶瓷片10的上下表面；
36.步骤3：如图3所示，在陶瓷片10的表面设置陶瓷线路板11，即在陶瓷线路板11的
上、下表面分别设置上线路板12和下线路板13；
37.步骤4：如图4所示，对陶瓷片10进行曝光显影；
38.步骤5：如图5所示，对陶瓷片10进行电镀围坝15，获得所需要高度的镀铜围坝15；
39.步骤6：如图6所示，在镀铜围坝15的上表面进行沉铜处理，形成一层沉铜层151；
40.步骤7：如图7所示，对陶瓷片10进行曝光显影；
41.步骤8：如图8所示，在沉铜层151的表面采用电镀形成有镀铜横梁17；
42.步骤9：如图9所示，通过退膜蚀刻工艺，获得镀铜横梁17和镀铜围坝15，实现分腔结构。
43.本实用新型的设计重点在于：通过陶瓷片的在上线路板的表面设置有镀铜围坝，并配合镀铜围坝与陶瓷片围构形成封装腔室，再通过在镀铜围坝的表面覆盖有一层沉铜层，再于沉铜层的表面采用电镀形成有镀铜横梁，所述镀铜横梁通过沉铜层与镀铜围坝相连接导通；其结构简单，节省客户端焊接的成本，实现无缝分腔。
44.在本实用新型的描述中，需要说明的是，对于方位词，如有术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等指示方位和位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于叙述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定方位构造和操作，不能理解为限制本实用新型的具体保护范围。
45.以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型的技术范围作任何限制，故凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。