用于具有反馈电阻器的栅极驱动器的电路装置的制作方法

1.本技术涉及电路装置、驱动器块和驱动电路装置的方法。


背景技术：

2.为了驱动电机或致动器，能够采用栅极驱动器来控制连接到电机或致动器的驱动晶体管。所述栅极驱动器能够是用于驱动晶体管的栅极的控制器的一部分。通常，能够采用栅极驱动器以为电容性负载供应电荷。
3.在大多数情况下，在栅极驱动器中需要产生电压电平，以避免栅极驱动器的输出电压受到电源电压的限制。这能够通过可能昂贵且消耗空间的附加的电路来实现。
4.此外，栅极驱动器的输出电压必须与电源电压兼容。除此之外，对于大多数应用来说，需要对负载进行有效且快速的充电。
5.一个目的是提供一种能够有效运行的电路装置。另一个目的是提供一种能够有效运行的栅极驱动器。另一个目的是提供一种驱动电路装置的有效方法。
6.这些目的通过独立权利要求的主题来实现。在从属权利要求中描述了另外的发展和实施例。


技术实现要素：

7.根据电路装置的至少一个实施例，电路装置包括第一支路和第二支路。第一支路和第二支路每一个都能够导电。表述“支路”是指电路装置内的路径。例如，第一支路和第二支路每一个都是电路装置内的电流路径。在第一支路和第二支路内，能够分别设置电路装置的一个或更多个部件。这意味着，第一支路和第二支路每一个都是电路装置内的导电路径。第一支路和第二支路能够彼此平行设置。
8.所述电路装置还包括设置在第一支路中的电流源。电流源能够是可控电流源。电流源能够包括另一电流镜。电流源能够被配置为向第一支路供应电流。
9.所述电路装置还包括将第一支路的电流镜像到第二支路中的电流镜。这意味着，第一支路至少经由电流镜连接到第二支路。电流镜能够包括设置在第一支路内的部件和设置在第二支路内的另一部件。
10.所述电路装置还包括设置在第二支路中的第一晶体管。第一晶体管不由电流镜组成。第一晶体管连接到电流镜。
11.所述电路装置还包括设置在第一支路中的参考元件。参考元件能够是电阻器。
12.所电路装置还包括设置在电流镜和参考元件之间的第一支路的参考节点。参考节点能够连接到电流镜。参考节点也能够连接到参考元件。
13.所电路装置还包括连接到第二支路的内部节点的输出端子，所述内部节点设置在电流镜和第一晶体管之间。输出端子能够被配置为连接到外部设备。例如，输出端子能够被配置为连接到外部负载。外部负载能够是电容性负载。
14.电流镜包括参考晶体管和第二晶体管。参考晶体管能够连接到第二晶体管。参考
晶体管能够连接到电流源。第二晶体管能够连接到第二支路的内部节点。第二晶体管能够大于参考晶体管。第二晶体管越大，第二晶体管所能提供的电流就越大。因此，能够根据输出端子处所需的电流来选择第二晶体管的尺寸。第二晶体管能够与参考晶体管匹配。这可能意味着，参考晶体管和第二晶体管是相同类型的晶体管。参考晶体管和第二晶体管还能够具有相似的几何特性。第一晶体管也能够是与参考晶体管和第二晶体管相同类型的晶体管。
15.反馈电阻器设置在第二支路的内部节点与参考节点之间。反馈电阻器连接到第二支路的内部节点并且连接到参考节点。这意味着，反馈电阻器连接在第二支路的内部节点和参考节点之间。反馈电阻器设置在第一支路与第二支路之间。出于esd目的，二极管能够连接在第二晶体管的控制端子和反馈电阻器之间。第二晶体管的控制端子能够是栅极端子。
16.所描述的电路装置能够用于在输出端子提供电流或电压。输出端子能够通过第一晶体管被下拉到第一电压电平，或者能够将输出端子被上拉到驱动电压。为此，电流由第一支路中的电流源提供。该电流被镜像到第二支路，并从而由电流镜的第二晶体管镜像到输出端子。由第二晶体管提供的电压通过允许由电流源提供的电流流过参考元件来获得。参考元件上的电压降限定了由第二晶体管提供给输出端子的电压。这意味着，参考元件上的电压降限定了在输出端子处提供的驱动电压。在参考节点处的电压电平由电流镜镜像。因此，为了在输出端子处提供驱动电压，必须在参考节点处建立驱动电压。这是通过由电流源提供电流并通过允许该电流流过参考元件来实现的。
17.在输出端子提供驱动电压的沉降(settling)速度取决于驱动电压的沉降速度。该沉降速度取决于由电流源提供的电流和第一支路中参考节点上的总寄生电容。在向输出端子提供电荷期间，反馈电阻器将其阻抗耦合到参考节点，从而降低参考节点的阻抗。如果输出端子连接到电容性负载，则反馈电阻器将在电容性负载充电期间降低输出阻抗。电路装置的减小的输出阻抗使得驱动电压的沉降速度更快。这允许了电容性负载的加快的充电速度。在输出端子处提供的电压越接近驱动电压，减小的阻抗的效果就逐渐减小。当在输出端子处提供的电压达到驱动电压的值时，电路装置的阻抗高于反馈电阻器的阻抗。因此，反馈电阻器能够在充电过程中提高沉降速度。这意味着，反馈电阻器实现了电路装置的有效运行。
18.由于在输出端子处用于提供驱动电压的沉降速度取决于由电流源提供的电流，从而取决于由第二晶体管提供的电流，第二晶体管的尺寸能够相对于用于提供驱动电压的速度要求来选择。
19.一旦电容性负载完全充电，第二晶体管将关闭。在这种情况下，电流经由反馈电阻器提供给第二晶体管。此电流通过反馈电阻器并因此控制第二晶体管。以这种方式，第二晶体管使输出端子的电压电平保持接近于驱动电压。这意味着，输出端子处的电压电平保持稳定。通过这种电流再利用，由于仅消耗由电流源提供的小电流，电路装置非常省电。然而，如果由于电压降，在输出端子处需要更多的电荷，则第二晶体管能够基于由参考晶体管提供的电压以及电流源的电流来提供所需的电荷，使得在输出端子处仍然提供驱动电压的电压电平。在第二晶体管的另外的充电期间，由于反馈电阻器，阻抗再次减小。因此，沉降速度增加并且在输出端子处提供的电压再次快速上升到驱动电压。因此，反馈电阻器实现了快
速充电过程并因此实现了电路装置的有效运行。此外，由于电路装置对干扰快速作出反应，所以在输出端子处提供的电压能够保持稳定。这种反应速度不是通过附加的控制或开关来实现的，而是电路装置的固有特性。
20.因此，具有反馈电阻器的电路装置的设置使输出端子处的驱动电压的沉降速度更快，并在该充电过程之后实现低电流消耗。为了实现这些特征，不需要另外的控制来调节位于输出端子处的驱动电压的供应。这两个特征导致电路装置的有效运行。
21.电路装置的设置另外具有以下优点：不需要附加的电路、不需要另外的外部部件以及不需要稳压器以用于产生电压电平。这些附加的部件将增加此处避免的电路装置的复杂性和尺寸。相反，通过允许由电流源提供的电流流过参考元件来获得驱动电压的电压电平。
22.根据电路装置的至少一个实施例，参考晶体管设置在第一支路中并且第二晶体管设置在第二支路中。这意味着，参考晶体管电连接到第一支路并且第二晶体管电连接到第二支路。这种设置使得由电流源提供到参考晶体管的电流能够镜像到第二晶体管。
23.根据电路装置的至少一个实施例，第一晶体管的第一端子和第二晶体管的第一端子连接到第二支路的内部节点。所述第一晶体管的第一端能够是第一晶体管的漏极端子。所述第二晶体管的第一端能够是第二晶体管的源极端子。通过所述第一晶体管和所第二晶体管的这种设置，输出端子能够通过第一晶体管被下拉到第一电压电平，或者输出端子能够通过第二晶体管被上拉到驱动电压。
24.根据电路装置的至少一个实施例，参考晶体管的控制端子连接到第二晶体管的控制端子。参考晶体管的控制端能够是参考晶体管的栅极端子。第二晶体管的控制端子能够是第二晶体管的栅极端子。以这种方式，参考晶体管和第二晶体管形成电流镜。
25.根据电路装置的至少一个实施例，电流源连接到参考晶体管的第一端子和控制端子。参考晶体管的第一端能够是参考晶体管的漏极端子。通过这种连接，电流源能够向电流镜提供电流。
26.根据电路装置的至少一个实施例，参考晶体管的第二端子连接到第一支路的参考节点。参考晶体管的第二端子能够是参考晶体管的源极端子。这种连接允许电流源提供的电流流过参考元件。
27.根据电路装置的至少一个实施例，第一晶体管的控制端子连接到电压控制电路并且电流源连接到控制块。第一晶体管的控制端子能够是第一晶体管的栅极端子。电压控制电路能够被配置为控制施加到第一晶体管的控制端子的电压。控制块能够被配置为控制由电流源提供的电流。电压控制电路和控制块能够彼此连接。电压控制电路和控制块能够相对于彼此反向运行。这可能意味着，要么将电压施加到第一晶体管上的控制端子，要么电流源提供电流。这种设置使得输出端子能够通过第一晶体管被下拉到第一电压电平，或者输出端子能够被上拉到驱动电压。
28.根据电路装置的至少一个实施例，第一支路和第二支路每一个都设置在第一功率轨和第二功率轨之间。第一功率轨能够处于第一电压电平。第二功率轨能够处于第二电压电平。第二电压电平能够高于第一电压电平。第一功率轨和第二功率轨每一个都是电源线。
29.根据电路装置的至少一个实施例，参考元件和第一晶体管的第二端子连接到第一功率轨，并且电流源和第二晶体管的第二端子连接到第二功率轨。第一晶体管的第二端子
能够是第一晶体管的源极端子。第二晶体管的第二端子能够是第二晶体管的漏极端子。利用这种设置，第一支路和第二支路每一个都设置在第一功率轨和第二功率轨之间。
30.根据电路装置的至少一个实施例，参考元件包括连接到第一支路的参考节点并且连接到第一功率轨的镜像电阻器。镜像电阻器使得参考元件上的电压降限定了由第二晶体管提供给输出端子的电压。
31.根据电路装置的至少一个实施例，第一晶体管、第二晶体管和参考晶体管每一个都是n型金属氧化物半导体晶体管、p型金属氧化物半导体晶体管、npn双极晶体管或pnp双极晶体管。这意味着，第一晶体管、第二晶体管和参考晶体管是相同类型的晶体管。这些类型的晶体管使电路装置能够有效地运行。
32.此外，提供了驱动块。驱动器块包括本文所述的至少一种电路装置。驱动器块能够是栅极驱动器，例如用于电机控制器的栅极驱动器。驱动器块还可能是用于外部场效应晶体管的驱动器或者驱动器块是电容性负载驱动器。包括电路装置，驱动器块能够有效地运行。驱动块示出输出端子处的驱动电压的快速沉降速度和充电过程后的低电流消耗。驱动块能够用于驱动电机或致动器。例如，驱动器块能够被配置为驱动外部驱动器的一个或多个栅极或用于电机或致动器的外部驱动器。
33.根据驱动器块的至少一个实施例，驱动器块包括至少两个电路装置，其中所述至少两个电路装置中的第一个的第一晶体管、第二晶体管和参考晶体管每一个都是n型金属氧化物半导体晶体管或npn双极晶体管，并且所述至少两个电路装置中的第二个的第一晶体管、第二晶体管和参考晶体管每一个都是p型金属氧化物半导体晶体管或pnp双极晶体管。驱动器块能够包括一个或更多个输出端子。驱动器块能够被配置为将输出端子中的第一个下拉到第一电压电平或将输出端子中的第一个上拉到驱动电压。驱动器块能够另外被配置为将输出端子中的第二个下拉到驱动电压或将输出端子中的第二个上拉到第二电压电平。第一电压电平能够是接地电位的电压电平。第二电压电平能够是电池的电池电压电平。因此，通过采用具有晶体管的第一极性的第一电路装置和具有晶体管的第二极性的第二电路装置，能够采用驱动器块来控制电机或致动器的半桥。
34.此外，提供了一种驱动电路装置的方法。所述电路装置能够优选地用于驱动本文所述的电路装置的方法。这意味着针对电路装置公开的所有特征也针对驱动电路装置的方法公开，反之亦然。
35.根据驱动电路装置的方法的至少一个实施例，所述方法包括由电流源向电流镜提供电流，其中电流源设置在第一支路中。电流源能够由连接到电流源的控制块控制。
36.所述方法还包括采用电流镜以将第一支路的电流镜像到第二支路中，其中第二支路的内部节点连接到输出端子。在输出端子处提供由电流镜从第一支路镜像到第二支路中的电流。这是电路装置的第一运行模式。
37.所述方法还包括采用第一晶体管以将输出端子拉到功率轨的电压电平。在电路装置的该第二运行模式中，功率轨的电压电平经由第一晶体管提供给输出端子。电压电平能够是第一电压电平或第二电压电平。功率轨能够是第一功率轨或第二功率轨。
38.第一晶体管设置在第二支路中。第二支路的内部节点设置在电流镜和第一晶体管之间。电流镜包括参考晶体管和第二晶体管。参考元件设置在第一支路中。第一支路的参考节点设置在电流镜和参考元件之间。反馈电阻器设置在第二支路的内部节点与参考节点之
间。
39.在电路装置的第一运行模式中，电流源被接通。这意味着，电流源向第一支路提供电流。电流流过参考元件。以这种方式，在参考节点处建立电压电平。该电压电平是驱动电压。电流镜将参考节点处提供的电流镜像到第二支路的内部节点。因此，在输出端子提供电流。输出端子处的电压电平由驱动电压决定。第一晶体管在第一运行模式中是非导电的。在这种运行模式下，电荷被供应给输出端子。因此，例如能够加载电容性负载。由于反馈电阻器的设置，加载电容性负载的沉降速度得到优化。此外，一旦对电容性负载充电，则电流消耗较低。这意味着，电流源只需要提供很小的电流。这使得驱动电路装置的方法有效。此外，不需要附加的电路、不需要外部部件以及不需要稳压器以用于生成电压电平。
40.在电路装置的第二运行模式中，输出端子由连接到第一功率轨的第一晶体管下拉到第一电压电平。在这种运行模式下，第一晶体管是导电的。电流源不向电流镜提供电流或仅向电流镜提供很小的电流。通过这两种运行模式，能够控制驱动电机或致动器的晶体管的控制端子。
41.根据所述方法的至少一个实施例，连接到第一晶体管的控制端子的电压控制电路相对于连接到电流源的控制块反向运行。所述电压控制电路相对于控制块反向运行能够意味着，当控制块使电流源不提供电流或几乎不提供电流时，电压控制电路使第一晶体管是导电的。此外，当控制块使电流源提供电流时，电压控制电路使第一晶体管是非导电的。这意味着，电压控制电路使第一晶体管在两种不同的状态下运行，即导电状态和非导电状态。控制块使电流源在两种不同的状态下运行，即不提供电流或几乎不提供电流的状态和提供电流的状态。电压控制电路能够耦合到控制块从而实现反向运行。以这种方式，实现了电路装置的所述两种运行模式。
附图说明
42.以下对附图的描述可以另外说明和解释示例性实施例。相同的附图标记表示功能相同或具有相同效果的部件。相同或实际上相同的部件可能仅针对最先出现的附图进行描述。它们的描述不必在连续的图中重复。
43.图1示出了用于具有栅极驱动器的负载的驱动器。
44.图2示出了电路装置的示例性实施例。
45.图3示出了电路装置的另一个示例性实施例。
46.图4示出了驱动电路装置的方法的示例性实施例。
47.图5示出了驱动器块的示例性实施例。
48.图6示出了两个电路装置的示例性实施例。
具体实施方式
49.图1示出了用于具有栅极驱动器12的负载11的驱动器10。负载11能够是电机或致动器。负载11由连接到负载11的外部场效应晶体管13驱动。外部场效应晶体管13由驱动器10组成。驱动器10另外包括控制器14。控制器14包括连接到栅极驱动器12的控制单元15。每个栅极驱动器12包括两个输出端子16。输出端子16每一个都与场效应晶体管13之一连接。成对的两个场效应晶体管13每一个都形成用于驱动负载11的半桥。场效应晶体管13能够是
功率mosfet。以这种方式，场效应晶体管13能够向负载11提供所需的功率。为了控制外部场效应晶体管13，需要控制器14。为了控制场效应晶体管13，需要栅极驱动器12以提供足够的电荷。此外，期望栅极驱动器12能够在短时间内提供电荷。
50.在图2中，示出了电路装置17的示例性实施例。电路装置17包括平行于电路装置17的第二支路19的第一支路18。第一支路18和第二支路19每一个都设置在第一功率轨20和第二功率轨21之间。第一功率轨20处于第一电压电平并且第二功率轨21处于第二电压电平。
51.电路装置17还包括设置在第一支路18中的电流源22。电流源22连接到控制块23。电流源22还连接到第二功率轨21。电路装置17还包括电流镜24，以将第一支路18的电流镜像到第二支路19中。电流镜24连接到电流源22。电流镜24包括参考晶体管25和第二晶体管26。参考晶体管25设置在第一支路18中。电流源22连接到参考晶体管25的第一端子27并且连接到参考晶体管25的控制端子28。为此，电流源22连接到第一支路18的上部内部节点29。参考晶体管25的第一端子27和控制端子28也连接到上部内部节点29。
52.电路装置17还包括设置在第一支路18中的参考元件30。第一支路18的参考节点31设置在电流镜24和参考元件30之间。参考晶体管25的第二端子32连接到第一支路18的参考节点31。参考元件30连接到第一功率轨20。这意味着，参考元件30设置在第一功率轨20和参考节点31之间。参考元件30包括连接到第一支路18的参考节点31和连接到第一功率轨20的镜像电阻器。
53.第二晶体管26设置在第二支路19中。参考晶体管25的控制端子28连接到第二晶体管26的控制端子28。为此，第二晶体管26的控制端子28连接到设置在第一支路18和第二支路19之间的第一中间节点33。参考晶体管25的控制端子28也连接到第一中间节点33。此外，第一中间节点33连接到上部内部节点29。第二晶体管26的第二端子32连接到第二功率轨21。第二晶体管26的第一端子27连接到第二支路19的内部节点34。
54.电路装置17还包括设置在第二支路19中的第一晶体管35。第二支路19的内部节点34设置在电流镜24和第一晶体管35之间。第一晶体管35的第一端子27连接到内部节点34。第一晶体管35的控制端子28连接到电压控制电路36。第一晶体管35的第二端子32连接到第一功率轨20。
55.电路装置17还包括连接到第二支路19的内部节点34的输出端子16。输出端子16能够连接到外部电容性负载11。电容性负载11能够连接到输出端子16并且连接到第一功率轨20。第一功率轨20连接到接地电位37。
56.电路装置17还包括设置在第二支路19的内部节点34和参考节点31之间的反馈电阻器38。反馈电阻器38连接到第二中间节点39并且连接到参考节点31。出于esd保护的目的，二极管40可以设置在第一中间节点33和第二中间节点39之间。
57.第一晶体管35、第二晶体管26和参考晶体管25每一个都能够是n型金属氧化物半导体晶体管、p型金属氧化物半导体晶体管、npn双极晶体管或pnp双极晶体管。
58.在电路装置17的运行期间，由电流源22提供的电流被电流镜24镜像到第二支路19。以这种方式，连接到输出端子16的负载11能够被加载。一旦输出端子16处的电压电平达到驱动电压，在反馈电阻器38和第二晶体管26的第一端子27之间就存在直流通路。通过该电流，位于输出端子16的电压电平保持恒定。通过这种电流再利用，在这种运行模式下电流消耗保持较小。
59.利用本文描述的电路装置17，能够在短时间内提供电压电平。有利地，不需要电荷泵或专用稳压器。
60.图3示出了电路装置17的另一个示例性实施例。电路装置17具有与相对于第一功率轨20和第二功率轨21镜像的图2中所示的电路装置17相同的设置。这意味着，第一功率轨20和第二功率轨21相对于图2中的电路装置17交换。与图2所示的电路装置17的晶体管相比，电路装置17的晶体管具有相反的极性。
61.如图4所示，能够运行电路装置17以用于驱动输出端子处的电压(步骤s1)和用于使输出端子放电(步骤s2)。
62.图5示出了驱动块41的示例性实施例。驱动块41包括两个电路装置17。位于顶部的电路装置17具有图3所示的设置。位于底部的电路装置17具有图2所示的设置。与图2和图3相比，所述两个电路装置17转动了90
°
。具有图2的设置的电路装置17被称为第一电路装置42。具有图3的设置的电路装置17被称为第二电路装置43。第一电路装置42和第二电路装置43包括相同的第一功率轨20和相同的第二功率轨21。这意味着，第一电路装置42和第二电路装置43经由第一功率轨20和第二功率轨21彼此连接。第一电路装置42的输出端子16连接到第一负载44。第一负载44设置为在输出端子16和接地电位37之间。第二电路装置43的输出端子16连接到第二负载45。第二负载45设置在输出端子16和另一电位46(例如电池具有的电池电压电平)之间。接地电位37能够是负电源并且另一电位46能够是正电源。驱动块41被配置为驱动连接到输出端子16的所述两个负载44、45。所述两个负载44、45能够是电容性负载。
63.第一电路装置42的第一晶体管35、第二晶体管26和参考晶体管25每一个都是n型金属氧化物半导体晶体管或npn双极晶体管。第二电路装置43的第一晶体管35、第二晶体管26和参考晶体管25每一个都是p型金属氧化物半导体晶体管或pnp双极晶体管。这意味着，驱动器块41包括两个电路装置17，其中第一电路装置42具有n型构造而第二电路装置43具有p型构造。
64.图6示出了两个电路装置42、43的示例性实施例。所述两个电路装置42、43以与图5所示相同的方式彼此连接。所述两个电路装置42、43一起能够形成驱动器块41。
65.在该实施例中，电路装置42、43连接到的所述两个负载44、45中的每一个(图5中示出)是场效应晶体管47、48。第一电路装置42的输出端子16连接到第一场效应晶体管47的控制端子28。第二电路装置43的输出端子16连接到第二场效应晶体管48的控制端子28。所述两个场效应晶体管47、48能够用于驱动如图1所示的电机或致动器。这意味着，所述两个电路装置42、43能够由外部栅极驱动器12组成。所述两个电路装置42、43被配置为分别打开和关闭所述两个场效应晶体管47、48,。
66.设置在图6底部部分中的第一电路装置42包括电路部分58，所述电路部分58具有与图2所示几乎相同的设置，但不包括电流源22。该电路部分58由虚线包围。在这部分中，与图2所示设置的唯一区别是二极管40被保护晶体管49代替，所述保护晶体管49能够是场效应晶体管。保护晶体管49的栅极端子50和源极端子51连接到反馈电阻器38。保护晶体管49的漏极端子52连接到第二晶体管26的控制端子28。此外，附加电阻器53设置在参考晶体管25的控制端子28和第二晶体管26的控制端子28之间。附加电阻器53提高了电磁兼容性。
67.电流源22包括另一电流镜54。另一电流镜54包括第三晶体管55和第四晶体管56。
第五晶体管67充当用于另一电流镜54的开关。第四和第五晶体管56、67设置在第一支路18中。第四晶体管56的第一端子27连接到第二功率轨21。第四晶体管56的第一端子27能够是源极端子51。第四晶体管56的第二端子32连接到第五晶体管67的第一端子27。第四晶体管56的第二端子32能够是漏极端子52。第五晶体管67的第一端子27能够是源极端子51。第五晶体管67的第二端子32连接到内部节点34。第五晶体管67的第二端子32能够是漏极端子52。这意味着，第五晶体管67连接到参考晶体管25。第五晶体管67的控制端子28能够连接到电平转换器57。第五晶体管67的控制端子28能够是栅极端子50。电平转换器57能够被配置为控制第五晶体管67。当电池电压电平明显高于接地电位37的电压电平时，需要电平转换器57。在这种情况下，连接到第一晶体管35的电压控制电路36包括连接到第一功率轨20的缓冲器。第五晶体管67能够是p型金属氧化物半导体晶体管或pnp双极晶体管。
68.第四晶体管56的控制端子28连接到第三晶体管55的控制端子28。控制端子28能够是栅极端子50。第三晶体管55的第一端子27连接到第二功率轨21。第三晶体管55的第一端子27能够是源极端子51。第三晶体管55的第二端子32、第三晶体管55的控制端子28和第四晶体管56的控制端子28连接到第四中间节点59。第三晶体管55的第二端子32能够是漏极端子52。
69.电流源22被供应参考电流。因此，参考电流源60连接到电流源22。参考电流源60包括放大器61、第六晶体管62和参考电阻器63。放大器61的输出68连接到第六晶体管62的控制端子28。第六晶体管62的控制端子28能够是栅极端子50。第六晶体管62的第一端子27连接到另一电流源22。为此，第六晶体管62的第一端子27连接到第四中间节点59。第六晶体管62的第一端子27能够是漏极端子52。参考电压被提供给放大器61的第一输入64。第六晶体管62的第二端子32连接到第五中间节点66。第六晶体管62的第二端子32能够是源极端子51。放大器61的第二输入65连接到第五中间节点66。此外，参考电阻器63连接到第五中间节点66。参考电阻器63设置在第五中间节点66和第一功率轨20之间。参考电阻器63能够与镜像电阻器匹配。以这种方式，有利地，在输出端子16处提供的电压电平在工艺和温度变化期间是恒定的。
70.图6中所示的第二电路装置43包括具有如图3所述的由虚线包围的设置的电路部分70，和如相对于第一电路装置42的所述的另外的部件。然而，第二电路装置43具有与第一电路装置42相反的构造。这意味着，第二电路装置43相对于第一和第二功率轨20、21镜像。此外，如图6所示，电路装置43包括具有与电路装置42的电流源22相比不同构造的电流源70。晶体管69的控制端子连接到晶体管55的控制端子28。
71.本文所述的所有电连接都能够是直接连接。在直接连接中，在所述两个直接连接的部件之间不设置其他部件。
72.应当理解，本公开不限于所公开的实施例以及上文已经具体示出和描述的内容。相反，可以有利地组合单独的从属权利要求或说明书中记载的特征。此外，本公开的范围包括那些将对本领域技术人员来说显而易见的变化和修改。在权利要求或说明书中使用的术语“包括”不排除相应特征或过程的其他元件或步骤。在结合特征使用术语“一”或“一个”的情况下，其不排除多个这样的特征。此外，权利要求中的任何附图标记不应被解释为对范围的限制。
73.本专利申请要求欧洲专利申请no.20179287.6的优先权，其公开内容通过引用并
入本文。
74.附图标记
75.10 驱动器
76.11 负载
77.12 栅极驱动器
78.13 场效应晶体管
79.14 控制器
80.15 控制单元
81.16 输出端子
82.17 电路装置
83.18 第一支路
84.19 第二支路
85.20 第一功率轨
86.21 第二功率轨
87.22 电流源
88.23 控制块
89.24 电流镜
90.25 参考晶体管
91.26 第二晶体管
92.27 第一端子
93.28 控制端子
94.29 上部内部节点
95.30 参考元件
96.31 参考节点
97.32 第二端子
98.33 第一中间节点
99.34 内部节点
100.35 第一晶体管
101.36 电压控制电路
102.37 接地电位
103.38 反馈电阻器
104.39 第三中间节点
105.40 二极管
106.41 驱动器块
107.42 第一电路装置
108.43 第二电路装置
109.44 第一负载
110.45 第二负载
111.46 另一电位
112.47 第一场效应晶体管
113.48 第二场效应晶体管
114.49 保护晶体管
115.50 栅极端子
116.51 源极端子
117.52 漏极端子
118.53 附加电阻器
119.54 另一电流镜
120.55 第三晶体管
121.56 第四晶体管
122.57 电平转换器
123.58 电路部分
124.59 第四中间节点
125.60 参考电流源
126.61 放大器
127.62 第六晶体管
128.63 参考电阻器
129.64 第一输入
130.65 第二输入
131.66 第五中间节点
132.67 第五晶体管
133.68 输出
134.69 晶体管
135.s1-s2 步骤