1.一种磁性隧道结，其特征在于，所述磁性隧道结包括：
2.根据权利要求1所述的磁性隧道结，其特征在于，所述基底还包括参考层和设置于所述参考层上的隧穿势垒层，所述自由层设置于所述隧穿势垒层上；
3.根据权利要求1所述的磁性隧道结，其特征在于，所述自旋增强层包括：
4.根据权利要求3所述的磁性隧道结，其特征在于，所述自旋扩散层的厚度为0.2nm～6nm。
5.根据权利要求3所述的磁性隧道结，其特征在于，所述自旋扩散层的材料包括铜、银、金、锗、钛、锌、铝、镓、铟、钒、铬、锆、铌、钼、锝、钌、硅中的一种或者多种的组合。
6.根据权利要求3所述的磁性隧道结，其特征在于，所述垂直自旋层的厚度为0.5nm～3nm。
7.根据权利要求3所述的磁性隧道结，其特征在于，所述垂直自旋层的材料包括钴铁硼、钨、镁、钼、氧化镁、铁、铁硼、钴硼或钽。
8.根据权利要求7所述的磁性隧道结，其特征在于，所述垂直自旋层为多层结构，
9.根据权利要求2所述的磁性隧道结，其特征在于，所述基底还包括设置于所述参考层下方的钉扎层以及设置于所述钉扎层下方的底电极；
10.一种磁性隧道结的制作方法，其特征在于，所述磁性隧道结的制作方法包括：
11.根据权利要求10所述的磁性隧道结的制作方法，其特征在于，所述基底还包括参考层和设置于所述参考层上的隧穿势垒层，所述自由层设置于所述隧穿势垒层上；
12.根据权利要求10所述的磁性隧道结的制作方法，其特征在于，所述在所述基底上形成自旋增强层，包括：
13.根据权利要求12所述的磁性隧道结的制作方法，其特征在于，所述自旋扩散层的材料包括铜、银、金、锗、钛、锌、铝、镓、铟、钒、铬、锆、铌、钼、锝、钌、硅中的一种或者多种的组合；或者，
14.根据权利要求12所述的磁性隧道结的制作方法，其特征在于，所述垂直自旋层的材料包括钴铁硼、钨、镁、钼、氧化镁、铁、铁硼、钴硼或钽；
15.根据权利要求12所述的磁性隧道结的制作方法，其特征在于，所述在所述自旋扩散层上形成垂直自旋层，包括：
16.一种磁性随机存储器，其特征在于，包括磁性隧道结，所述磁性隧道结为如权利要求1至9任一项所述的磁性隧道结，或者，所述磁性隧道结采用如权利要求10至15任一项所述的制作方法制作。