一种梯度组分薄膜与基体及其制备方法、光电器件与流程

本发明涉及半导体材料与光电器件领域，涉及一种梯度组分薄膜，尤其涉及一种梯度组分薄膜与基体及其制备方法、光电器件。

背景技术：

1、随着社会的发展，对新功能材料和电子器件的需求快速增长，开发新材料、新型材料制备工艺和多功能电子器件是解决这一问题的有效途径。梯度组分材料在不同的位置有不同的化学成分，从而表现出不同的光、电、磁等性质，相比单一组分材料，梯度组分材料可以实现更多功能。为了制备梯度组分薄膜，人们已经开发了一系列方法，第一种是将一种材料的薄膜浸泡到另一种溶液里面，通过离子交换形成组分梯度；第二种是化学气相沉积法；第三种是热蒸发法。这些方面存在操作复杂、组分梯度难于调控、适用材料有限等缺点。

2、cn111910149a公开了一种周期性多方向厚度梯度薄膜的制备方法，包括以下步骤：将掩模板悬空固定于基底上方，放入溅射仪的真空腔内，将靶材固定于阴极上，基底置于正对靶面的阳极上，抽真空后，通入惰性气体，采用溅射法制备周期性多方向厚度梯度薄膜；所述掩模板与基底的距离为h；所述掩模板具有网孔，所述网孔的尺寸记为w，肋宽记为d，所述h、w和d可调节；所述h＞0。但是，该周期性多方向厚度梯度薄膜的制备方法操作较为复杂，制备成本高，无法工业化推广使用。

3、cn101279761a公开了一种制备氧化铜掺杂二氧化钛梯度薄膜的方法，包括以下步骤：1)制备不同cu/ti摩尔比的溶胶；2)制备氧化铜掺杂二氧化钛梯度薄膜；本发明采用溶胶-凝胶法制备在薄膜厚度方向连续改变cu/ti摩尔百分比的氧化铜掺杂tio2梯度薄膜，具有工艺独特和操作方便等优点，易于大规模的工业化生产，同时，掺杂元素的含量容易控制，便于调节tio2薄膜的光电、光催化、亲水性能。但是，该制备氧化铜掺杂二氧化钛梯度薄膜的方法适用范围较窄，无法满足实际生产需要。

4、cn108179384a公开了一种表面梯度薄膜的制备方法，包括表面梯度薄膜制备装置，所述制备方法还包括以下步骤：首先将真空腔室抽真空，源内的靶材通过坩埚加热或电子束加热气化，成为离散态的微观粒子，向四周扩散；在经过遮板位置时，部分微观粒子会被遮挡，通过调节遮板的大小、方向来控制经过的微观粒子的含量和扩散的主次方向；遮板可以保持一定姿态，使各个方向源的辐射强度不同，在某个方向形成线性梯度，也可以在制备过程中保持转动，使各个方向源的辐射强度均匀。但是，该表面梯度薄膜的制备方法需要在真空条件下进行，对实验条件的要求较高。

5、目前公开的梯度组分薄膜与基体及其制备方法都有一定的缺陷，存在着操作复杂、组分梯度难于调控、适用材料有限与实验条件要求高的问题，因此，开发一种新型的梯度组分薄膜与基体及其制备方法、光电器件至关重要。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种梯度组分薄膜与基体及其制备方法、光电器件，本发明所述梯度组分薄膜包括梯度混合区，所述梯度混合区的不同位置有不同的化学成分，从而表现出不同的物理化学性质；所述梯度混合区可根据不同的生产需要进行调控，以满足不同的性能要求；与单一组分材料相比，所述梯度组分薄膜可以实现更多功能，从而满足新功能材料和电子器件要求。

2、为达到此发明目的，本发明采用以下技术方案：

3、第一方面，本发明提供了一种梯度组分薄膜，所述梯度组分薄膜的两端分别为a材料与b材料，中间部分为a材料与b材料的梯度混合区；

4、梯度混合区中，沿a材料至b材料的方向，a材料的含量逐渐减小，b材料的含量逐渐增大；

5、所述a材料与b材料不同，所述a材料与b材料分别独立地包括半导体材料。

6、本发明所述梯度组分薄膜包括梯度混合区，所述梯度混合区的不同位置有不同的化学成分，从而表现出不同的物理化学性质；所述梯度混合区可根据不同的生产需要进行调控，以满足不同的性能要求；与单一组分材料相比，所述梯度组分薄膜可以实现更多功能，从而满足新功能材料和电子器件要求。

7、优选地，所述梯度组分薄膜的平均厚度为1nm～100μm，例如可以是1nm、5nm、10nm、20nm、30nm、50nm、70nm、100nm、200nm、500nm、700nm、1μm、2μm、5μm、10μm、20μm、30μm、50μm、70μm或100μm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用，优选为10nm～1μm。

8、优选地，所述梯度混合区的宽度为0.1cm～100cm，例如可以是0.1cm、0.2cm、0.51cm、0.7cm、1cm、1.5cm、2cm、5cm、8cm、10cm、20cm、30cm、40cm、50cm、60cm、70cm、80cm、90cm或100cm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用，优选为0.1cm～10cm。

9、第二方面，本发明提供了一种第一方面所述梯度组分薄膜的制备方法，所述制备方法包括：a溶液与b溶液在水平方向接触后进行扩散，溶剂挥发得到所述梯度组分薄膜；

10、所述a溶液与b溶液的溶质不同，a溶液与b溶液的溶剂互溶；

11、所述a溶液与b溶液的溶质分别独立地包括半导体材料。

12、本发明所述a溶液与b溶液的溶质不同，这能够保证制备得到的梯度组分薄膜中的a材料与b材料不同，从而使梯度组分薄膜表现出不同的物理化学性质；所述a溶液与b溶液的溶剂互溶，能够保证a溶液与b溶液的溶质能够实现互相交换，从而成功制备出a材料与b材料的梯度混合区。

13、本发明所述梯度组分薄膜的制备方法较为简单，所述制备方法适用于所有能够以溶液法制备的材料，并且可以通过灵活调控梯度组分薄膜的梯度混合区宽度；同时，所述制备方法的适用范围极广且实验条件要求较低。

14、优选地，所述半导体材料包括pbi2、pbbr2、pbcl2、sni2、snbr2、sncl2、fapbbr3、fapbi3、cspbbr3、cspbi3、mapbbr3、mapbi3、fapbcl3、cspbcl3、mapbcl3、fasnbr3、fasni3、cssnbr3、cssni3、masnbr3、masni3、fasncl3、cssncl3、mapbi3、mapbbr3、mapbcl3、masncl3、cssnbri2、masn0.5pb0.5i3、masn0.5pb0.5br3、masncl3、(nh4)3bi2i9、ma3bi2i9、cs3bi2i9、fa3bi2i9、(nh4)3bi2br9、ma3bi2br9、cs3bi2br9、fa3bi2br9、(nh4)3bi2cl9、ma3bi2cl9、cs3bi2cl9、fa3bi2cl9、(nh4)3sb2i9、ma3sb2i9、cs3sb2i9、fa3sb2i9、(nh4)3sb2br9、ma3sb2br9、cs3sb2br9、fa3sb2br9、ma3sb2cl9、cs3sb2cl9或fa3sb2cl9中的任意一种或至少两种的组合，典型但非限制性的组合包括pbi2与pbbr2的组合，pbbr2与pbcl2的组合，sni2与snbr2的组合，fapbi3与cspbbr3的组合，mapbbr3与mapbi3的组合，fapbcl3与cspbcl3的组合，mapbcl3与fasnbr3的组合，(nh4)3bi2i9与ma3bi2i9的组合，ma3bi2br9与cs3bi2br9的组合，cs3sb2i9与fa3sb2i9的组合，pbi2、pbbr2与pbcl2的组合，sni2、snbr2、sncl2与fapbbr3的组合，或cssncl3、masncl3、(nh4)3bi2i9、ma3bi2i9与cs3bi2i9的组合。

15、优选地，所述a溶液与b溶液的溶剂分别独立地包括水、乙醇、甲醇、丙酮、苯、正己烷、氯仿、n,n-二甲基甲酰胺(dmf)、二甲基亚砜(dmso)、甲基吡咯烷酮或丁内酯中的任意一种或至少两种的组合，典型但非限制性的组合包括水与乙醇的组合，甲醇与丙酮的组合，苯与正己烷的组合，氯仿与二甲基甲酰胺的组合，二甲基亚砜与甲基吡咯烷酮的组合，甲基吡咯烷酮与丁内酯的组合，水、乙醇与甲醇的组合，或氯仿、二甲基甲酰胺与二甲基亚砜的组合。

16、优选地，所述a溶液与b溶液中溶质的浓度分别独立地为0.001mol/l～0.8mol/l，例如可以是0.001mol/l、0.002mol/l、0.005mol/l、0.01mol/l、0.015mol/l、0.02mol/l、0.03mol/l、0.04mol/l、0.05mol/l、0.08mol/l、0.1mol/l、0.11mol/l、0.12mol/l、0.13mol/l、0.14mol/l、0.15mol/l、0.16mol/l、0.17mol/l、0.18mol/l、0.19mol/l、0.2mol/l、0.3mol/l、0.4mol/l、0.5mol/l、0.6mol/l、0.7mol/l或0.8mol/l，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用；当a溶液与b溶液中半导体材料的浓度偏低时，会导致最终形成的梯度薄膜厚度低，薄膜光吸收能力降低，应用到光电器件中时，光电器件的平均外量子效率降低；当a溶液与b溶液中半导体材料的浓度偏高时，会导致最终形成的薄膜厚度过高，薄膜中产生孔洞和缺陷，应用到光电器件中时，光电器件中的光生载流子损失增加，光电器件的平均外量子效率降低。

17、优选地，所述a溶液与b溶液的体积分别独立地为0.1μl～10ml，例如可以是0.1μl、0.2μl、0.5μl、0.8μl、1μl、5μl、8μl、10μl、20μl、30μl、50μl、80μl、100μl、200μl、300μl、400μl、500μl、600μl、700μl、800μl、900μl、1ml、2ml、3ml、4ml、5ml、6ml、7ml、8ml、9ml、10ml，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用；可以根据实际应用中的需要调节a溶液与b溶液的体积，当a溶液与b溶液的体积增大时，得到的梯度组分薄膜的梯度区域会变宽；当a溶液与b溶液的体积减小时，得到的梯度组分薄膜的梯度区域会变窄。

18、优选地，所述扩散的温度为0℃～1000℃，例如可以是0℃、2℃、5℃、8℃、10℃、15℃、20℃、25℃、30℃、40℃、50℃、60℃、70℃、100℃、200℃、300℃、400℃、500℃、600℃、700℃、800℃、900℃或1000℃，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用；本发明所述扩散的温度为0℃～1000℃，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用，优选为20℃～200℃。

19、本发明限定了扩散的温度为0℃～1000℃，当扩散的温度偏低时，会导致a溶液与b溶液扩散速度过慢，无法形成梯度组分薄膜；当扩散的温度偏高时，会导致a溶液与b溶液中的溶剂快速蒸发，无法形成梯度组分薄膜。

20、优选地，所述溶剂挥发的方法包括自然干燥、压缩气体吹干、真空干燥或反溶剂提取中的任意一种或至少两种的组合，典型但非限制性的组合包括自然干燥与压缩气体吹干的组合，压缩气体吹干与真空干燥的组合，真空干燥与反溶剂提取的组合，自然干燥、压缩气体吹干与真空干燥的组合，或自然干燥、压缩气体吹干、真空干燥与反溶剂提取的组合。

21、本发明所述溶剂挥发的方法会影响光电器件的外量子效率，当溶液自然干燥时，包括所述梯度组分薄膜的光电器件的外量子效率较低；当溶液用氮气吹干或者真空干燥时，包括所述梯度组分薄膜的光电器件的外量子效率较高。

22、优选地，所述制备方法还包括溶剂挥发后的加热，所述加热的温度为80～150℃，时间为1～80min。

23、本发明限定了加热的温度为80～150℃，例如可以是80℃、90℃、100℃、110℃、120℃、130℃、140℃或150℃，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。

24、本发明限定了加热的时间为1～80min，例如可以是1min、2min、5min、8min、10min、15min、20min、30min、40min、50min、60min、70min或80min，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。

25、第三方面，本发明提供了一种包括第一方面所述梯度组分薄膜的基体，所述基体包括基底与覆盖在基底上的梯度组分薄膜。

26、本发明基体包括梯度组分薄膜，所述梯度组分薄膜的存在能够调控基体的性能，使基体能够满足更多的应用情景。

27、优选地，所述基底包括基材层，所述基材层的材质包括玻璃、单晶硅、金属、塑料或陶瓷的任意一种或至少两种的组合，典型但非限制性的组合包括玻璃与金属的组合，金属与塑料的组合，塑料与陶瓷的组合，或玻璃、金属与塑料的组合。

28、优选地，所述基底还包括基材层与梯度组分薄膜之间设置的透明电极层，所述透明电极层的材质为导电材料和/或半导体材料。

29、优选地，所述透明电极层的材质包括氧化铟锡、氟掺杂氧化锡、铝掺杂氧化锌、聚对苯二甲酸乙二醇酯、金属或石墨烯中的任意一种或至少两种的组合，典型但非限制性的组合包括氧化铟锡与氟掺杂氧化锡的组合，氟掺杂氧化锡与铝掺杂氧化锌的组合，铝掺杂氧化锌与聚对苯二甲酸乙二醇酯的组合，聚对苯二甲酸乙二醇酯与金属的组合，金属与石墨烯的组合，聚对苯二甲酸乙二醇酯、金属与石墨烯的组合，或氧化铟锡、氟掺杂氧化锡、铝掺杂氧化锌与聚对苯二甲酸乙二醇酯的组合。

30、优选地，所述基底还包括透明电极层与梯度组分薄膜之间设置的第一传输层，所述第一传输层的材质包括电子传输材料和/或空穴传输材料。

31、本发明所述电子传输层用于提取梯度组分薄膜中的电子。

32、本发明所述空穴传输层用于提取梯度组分薄膜中的空穴。

33、第四方面，本发明提供了一种如第三方面所述基体的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：置于基底上的a溶液与b溶液在水平方向接触后扩散，溶剂挥发得到包括梯度组分薄膜的基体；

34、所述a溶液与b溶液的溶质不同，a溶液与b溶液的溶剂互溶；

35、所述a溶液与b溶液的溶质分别独立地包括半导体材料。

36、本发明提供的包括梯度组分薄膜的基体的制备方法，具有简单易行的优点，易于调控梯度组分薄膜的成分分布，使用材料较为广泛且实验要求较低，具有较好应用前景。

37、优选地，所述半导体材料包括pbi2、pbbr2、pbcl2、sni2、snbr2、sncl2、fapbbr3、fapbi3、cspbbr3、cspbi3、mapbbr3、mapbi3、fapbcl3、cspbcl3、mapbcl3、fasnbr3、fasni3、cssnbr3、cssni3、masnbr3、masni3、fasncl3、cssncl3、mapbi3、mapbbr3、mapbcl3、masncl3、cssnbri2、masn0.5pb0.5i3、masn0.5pb0.5br3、masncl3、(nh4)3bi2i9、ma3bi2i9、cs3bi2i9、fa3bi2i9、(nh4)3bi2br9、ma3bi2br9、cs3bi2br9、fa3bi2br9、(nh4)3bi2cl9、ma3bi2cl9、cs3bi2cl9、fa3bi2cl9、(nh4)3sb2i9、ma3sb2i9、cs3sb2i9、fa3sb2i9、(nh4)3sb2br9、ma3sb2br9、cs3sb2br9、fa3sb2br9、ma3sb2cl9、cs3sb2cl9或fa3sb2cl9中的任意一种或至少两种的组合，典型但非限制性的组合包括pbi2与pbbr2的组合，pbbr2与pbcl2的组合，sni2与snbr2的组合，fapbi3与cspbbr3的组合，mapbbr3与mapbi3的组合，fapbcl3与cspbcl3的组合，mapbcl3与fasnbr3的组合，(nh4)3bi2i9与ma3bi2i9的组合，ma3bi2br9与cs3bi2br9的组合，cs3sb2i9与fa3sb2i9的组合，pbi2、pbbr2与pbcl2的组合，sni2、snbr2、sncl2与fapbbr3的组合，或cssncl3、masncl3、(nh4)3bi2i9、ma3bi2i9与cs3bi2i9的组合。

38、优选地，所述a溶液与b溶液的溶剂分别独立地包括水、乙醇、甲醇、丙酮、苯、正己烷、氯仿、n,n-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、甲基吡咯烷酮或丁内酯中的任意一种或至少两种的组合，典型但非限制性的组合包括水与乙醇的组合，甲醇与丙酮的组合，苯与正己烷的组合，氯仿与二甲基甲酰胺的组合，二甲基亚砜与甲基吡咯烷酮的组合，甲基吡咯烷酮与丁内酯的组合，水、乙醇与甲醇的组合，或氯仿、二甲基甲酰胺与二甲基亚砜的组合。

39、优选地，所述a溶液与b溶液中溶质的浓度分别独立地为0.001mol/l～0.2mol/l，例如可以是0.001mol/l、0.002mol/l、0.005mol/l、0.01mol/l、0.015mol/l、0.02mol/l、0.03mol/l、0.04mol/l、0.05mol/l、0.08mol/l、0.1mol/l、0.11mol/l、0.12mol/l、0.13mol/l、0.14mol/l、0.15mol/l、0.16mol/l、0.17mol/l、0.18mol/l、0.19mol/l、0.2mol/l、0.3mol/l、0.4mol/l、0.5mol/l、0.6mol/l、0.7mol/l或0.8mol/l，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用；当a溶液与b溶液中半导体材料的浓度偏低时，会导致最终形成的梯度薄膜厚度偏低，光吸收能力降低，光电器件的平均外量子效率降低；当a溶液与b溶液中半导体材料的浓度偏高时，会导致最终形成的梯度薄膜厚度偏高，光吸收增强，但是在光电器件中会导致光生载流子无法被充分提取，导致光电器件的平均外量子效率降低。

40、优选地，所述a溶液与b溶液的体积分别独立地为0.1μl～10ml，例如可以是0.1μl、0.2μl、0.5μl、0.8μl、1μl、5μl、8μl、10μl、20μl、30μl、50μl、80μl、100μl、200μl、300μl、400μl、500μl、600μl、700μl、800μl、900μl、1ml、2ml、3ml、4ml、5ml、6ml、7ml、8ml、9ml、10ml，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用；当a溶液与b溶液的体积增加时，最终形成的梯度薄膜梯度区域会变宽；当a溶液与b溶液的体积减小时，最终形成的梯度薄膜梯度区域会变窄。

41、优选地，所述基底的温度为0℃～1000℃，例如可以是0℃、2℃、5℃、8℃、10℃、15℃、20℃、25℃、30℃、40℃、50℃、60℃、70℃、100℃、200℃、300℃、400℃、500℃、600℃、700℃、800℃、900℃或1000℃，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用，优选为20℃～200℃。

42、本发明限定了基底的温度为0℃～1000℃，当基底的温度偏低时，会导致a溶液与b溶液扩散速度过慢，无法形成梯度组分薄膜；当基底的温度偏高时，会导致a溶液与b溶液中的溶剂快速蒸发，无法形成梯度组分薄膜。

43、优选地，所述溶剂挥发的方法包括自然干燥、压缩气体吹干、真空干燥或反溶剂提取中的任意一种或至少两种的组合，例如可以是自然干燥与压缩气体吹干的组合，压缩气体吹干与真空干燥的组合，真空干燥与反溶剂提取的组合，自然干燥、压缩气体吹干与真空干燥的组合，或自然干燥、压缩气体吹干、真空干燥与反溶剂提取的组合。

44、优选地，所述制备方法还包括溶剂挥发后的加热，所述加热的温度为80～150℃，时间为1～80min。

45、本发明限定了加热的温度为80～150℃，例如可以是80℃、90℃、100℃、110℃、120℃、130℃、140℃或150℃，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。

46、本发明限定了加热的时间为1～80min，例如可以是1min、2min、5min、8min、10min、15min、20min、30min、40min、50min、60min、70min或80min，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。

47、第五方面，本发明提供了一种光电器件，所述光电器件包括依次层叠的电极层、界面层、第二传输层与第三方面所述基体，所述基体的梯度组分薄膜与第二传输层相连。

48、优选地，所述电极层与第二传输层之间还设置有界面层。

49、本发明所述界面层用于改善电荷传输，提高光电器件的外量子效率。

50、优选地，所述第二传输层的材质包括电子传输材料和/或空穴传输材料。

51、本发明所述光电器件中的电子传输材料用于提取梯度组分薄膜中的电子，所述空穴传输材料用于提取梯度组分薄膜中的空穴，在电子传输材料和空穴传输材料的共同作用下使光电器件产生高效光谱效应。

52、优选地，所述电子传输材料包括氧化锡、氧化锌、二氧化钛、碳60或碳60衍生物中的任意一种或至少两种的组合，典型但非限制性的组合包括氧化锡与氧化锌的组合，氧化锌与二氧化钛的组合，二氧化钛与碳60的组合，氧化锡、氧化锌与二氧化钛的组合，或氧化锡、氧化锌、二氧化钛与碳60的组合。

53、优选地，所述空穴传输材料包括氧化亚铜、硫氰酸亚铜、pedot:pss、spiro-ometad、氧化石墨烯、镍的氧化物、钒的氧化物或p3ht中的任意一种或至少两种的组合，典型但非限制性的组合包括氧化亚铜与硫氰酸亚铜的组合，硫氰酸亚铜与pedot:pss的组合，pedot:pss与spiro-ometad的组合，spiro-ometad与p3ht的组合，氧化石墨烯与镍的氧化物的组合，钒的氧化物与p3ht的组合，氧化石墨烯、镍的氧化物与钒的氧化物的组合，或pedot:pss、氧化石墨烯与氧化镍的组合。

54、优选地，所述界面层的材质包括浴铜灵、聚乙烯亚胺或聚乙烯亚胺衍生物中的任意一种或至少两种的组合，典型但非限制性的组合包括浴铜灵与聚乙烯亚胺的组合，聚乙烯亚胺与聚乙烯亚胺衍生物的组合，或浴铜灵、聚乙烯亚胺与聚乙烯亚胺衍生物的组合。

55、优选地，所述电极层的材质包括金、银、铜、铝、镍、铬、锌或碳中的任意一种或至少两种的组合，典型但非限制性的组合包括金与银的组合，银与铜的组合，铜与铝的组合，镍与铬的组合，锌与碳的组合，金、银与铜的组合，或银、铜、铝与镍的组合。

56、优选地，所述电极层的厚度为10～200nm，例如可以是10nm、15nm、20nm、25nm、30nm、40nm、50nm、70nm、90nm、120nm、150nm、180nm或200nm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。

57、本发明所述电极层的厚度为10～200nm，在节约原料的同时，能够保证电极的导电性，使器件有良好的光电性能。

58、相对于现有技术，本发明具有以下有益效果：

59、(1)本发明所述梯度组分薄膜包括梯度混合区，所述梯度混合区的不同位置有不同的化学成分，从而表现出不同的物理化学性质；与单一组分材料相比，所述梯度组分薄膜可以实现更多功能，从而满足新功能材料和电子器件要求；

60、(2)本发明所述梯度组分薄膜的制备方法较为简单，所述制备方法适用于所有能够以溶液法制备的材料，并且可以通过灵活调控梯度组分薄膜的梯度混合区宽度；同时，所述制备方法的适用范围极广且实验条件要求较低；

61、(3)本发明所述光电器件中的电子传输材料用于提取梯度组分薄膜中的电子，所述空穴传输材料用于提取梯度组分薄膜中的空穴，在电子传输材料和空穴传输材料的共同作用下使光电器件产生高效光谱效应。