发光二极管及显示装置的制作方法

本技术涉及显示，尤其涉及一种发光二极管及包括所述发光二极管的显示装置。

背景技术：

1、目前广泛使用的发光二极管为有机发光二极管(oled)和量子点发光二极管(qled)。传统的oled和qled器件结构一般包括阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层及阴极。在电场的作用下，发光器件的阳极产生的空穴和阴极产生的电子发生移动，分别向空穴传输层和电子传输层注入，最终迁移到发光层，当二者在发光层相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光。

2、现有的发光二极管的电子传输层材料主要采用金属氧化物纳米颗粒，如zno、tio2、sno2等。金属氧化物纳米颗粒具有较优的电子传输性能，可以有效地提升发光二极管的发光效率。

3、然而，众所周知，金属氧化物纳米颗粒均具有固有的表面缺陷，使得电子传输层与阴极之间的界面存在严重的电荷势垒，导致电子传输效率低下；此外，氧空位是金属氧化物表面的主要缺陷，氧空位会作为电子陷阱诱导激子复合，而降低发光二极管的效率。

技术实现思路

1、有鉴于此，本技术提供一种发光二极管，旨在提高现有的发光二极管的发光效率。

2、本技术实施例是这样实现的，一种发光二极管，包括层叠设置的阳极、发光层、电子传输层、界面修饰层及阴极，所述界面修饰层中包含蒽醌类化合物，所述电子传输层中包含金属氧化物颗粒。

3、可选的，在本技术的一些实施例中，所述界面修饰层的材料由蒽醌类化合物组成，所述电子传输层的材料由金属氧化物颗粒组成。

4、可选的，在本技术的一些实施例中，所述蒽醌类化合物选自蒽醌、蒽酚、蒽酮、蒽醌衍生物、蒽酚衍生物及蒽酮衍生物中的至少一种。

5、可选的，在本技术的一些实施例中，所述蒽醌衍生物具有式(1)所示的结构：

6、

7、其中，n1、n2分别独立选自1、2、3或4；

8、r1、r2每次出现分别独立选自氢、氘、或具有1至20个c原子的直链烷基、或具有1至20个c原子的直链烷氧基、或具有1至20个c原子的直链硫代烷氧基、或具有3至20个c原子的支链烷基、或具有3至20个c原子的支链烷氧基、或具有3至20个c原子的支链硫代烷氧基、或具有3至20个c原子的环状烷基、或具有3至20个c原子的环状烷氧基、或具有3至20个c原子的环状硫代烷氧基、或甲硅烷基、或具有1至20个c原子的酮基、或具有2至20个c原子的烷氧基羰基、或具有7至20个c原子的芳氧基羰基、氰基、氨基甲酰基、卤甲酰基、甲酰基、异氰基、异氰酸酯基、硫氰酸酯基、异硫氰酸酯基、羟基、硝基、胺基、-cf3、-cl、-br、-f、-i、或具有2至20个c原子的烯烃基、或取代或未取代的环原子数为6至60的芳香基团、或取代或未取代的环原子数为5至60的杂芳香基团、或取代或未取代的环原子数为6至60的芳氧基基团、或取代或未取代的环原子数为5至60的杂芳氧基基团，或这些基团的组合；

9、所述n1个r1及n2个r2中至少有一个不选自氢。

10、可选的，在本技术的一些实施例中，所述蒽酚衍生物具有式(2)所示的结构：

11、

12、             

13、其中，n3、n4分别独立选自1、2、3或4；

14、r3、r4每次出现分别独立选自氢、氘、或具有1至20个c原子的直链烷基、或具有1至20个c原子的直链烷氧基、或具有1至20个c原子的直链硫代烷氧基、或具有3至20个c原子的支链烷基、或具有3至20个c原子的支链烷氧基、或具有3至20个c原子的支链硫代烷氧基、或具有3至20个c原子的环状烷基、或具有3至20个c原子的环状烷氧基、或具有3至20个c原子的环状硫代烷氧基、或甲硅烷基、或具有1至20个c原子的酮基、或具有2至20个c原子的烷氧基羰基、或具有7至20个c原子的芳氧基羰基、氰基、氨基甲酰基、卤甲酰基、甲酰基、异氰基、异氰酸酯基、硫氰酸酯基、异硫氰酸酯基、羟基、硝基、胺基、-cf3、-cl、-br、-f、-i、或具有2至20个c原子的烯烃基、或取代或未取代的环原子数为6至60的芳香基团、或取代或未取代的环原子数为5至60的杂芳香基团、或取代或未取代的环原子数为6至60的芳氧基基团、或取代或未取代的环原子数为5至60的杂芳氧基基团，或这些基团的组合；

15、所述n3个r3及n4个r4中至少有一个不选自氢。

16、可选的，在本技术的一些实施例中，所述蒽酮衍生物具有式(3)所示的结构：

17、

18、其中，n5、n6分别独立选自1、2、3或4；

19、r5、r6每次出现分别独立选自氢、氘、或具有1至20个c原子的直链烷基、或具有1至20个c原子的直链烷氧基、或具有1至20个c原子的直链硫代烷氧基、或具有3至20个c原子的支链烷基、或具有3至20个c原子的支链烷氧基、或具有3至20个c原子的支链硫代烷氧基、或具有3至20个c原子的环状烷基、或具有3至20个c原子的环状烷氧基、或具有3至20个c原子的环状硫代烷氧基、或甲硅烷基、或具有1至20个c原子的酮基、或具有2至20个c原子的烷氧基羰基、或具有7至20个c原子的芳氧基羰基、氰基、氨基甲酰基、卤甲酰基、甲酰基、异氰基、异氰酸酯基、硫氰酸酯基、异硫氰酸酯基、羟基、硝基、胺基、-cf3、-cl、-br、-f、-i、或具有2至20个c原子的烯烃基、或取代或未取代的环原子数为6至60的芳香基团、或取代或未取代的环原子数为5至60的杂芳香基团、或取代或未取代的环原子数为6至60的芳氧基基团、或取代或未取代的环原子数为5至60的杂芳氧基基团，或这些基团的组合；

20、所述n5个r5及n6个r6中至少有一个不选自氢。

21、可选的，在本技术的一些实施例中，所述n1个r1及n2个r2中包含至少一个o和/或至少一个n；或者

22、所述n3个r3及n4个r4中包含至少一个o和/或至少一个n；或者

23、所述n5个r5及n6个r6中包含至少一个o和/或至少一个n。

24、可选的，在本技术的一些实施例中，所述r1、r2每次出现分别独立选自氢、二氨基烷基、羟基、具有1至20个c原子的直链烷基、具有3至20个c原子的支链烷基中的一种或几种，且所述n1个r1及n2个r2中至少有一个不选自氢；或者

25、所述r3、r4每次出现分别独立选自氢、二氨基烷基、羟基、具有1至20个c原子的直链烷基、具有3至20个c原子的支链烷基中的一种或几种，且所述n3个r3及n4个r4中至少有一个不选自氢；或者

26、所述r5、r6每次出现分别独立选自氢、二氨基烷基、羟基、具有1至20个c原子的直链烷基、具有3至20个c原子的支链烷基中的一种或几种，且所述n5个r5及n6个r6中至少有一个不选自氢。

27、可选的，在本技术的一些实施例中，所述蒽醌衍生物选自具有如下结构式的化合物：

28、和/或

29、所述蒽酚衍生物选自具有如下结构的化合物：

30、和/或

31、所述蒽酮衍生物选自具有如下结构式的化合物：

32、

33、可选的，在本技术的一些实施例中，所述金属氧化物颗粒选自zno纳米颗粒、tio2纳米颗粒、zro2纳米颗粒、hfo2纳米颗粒、sno2纳米颗粒、ta2o3纳米颗粒、zro2纳米颗粒、nio纳米颗粒、srtio3纳米颗粒、batio3纳米颗粒、mgtio3纳米颗粒、tilio纳米颗粒、znalo纳米颗粒、znmgo纳米颗粒、znbeo纳米颗粒、znsno纳米颗粒、znlio纳米颗粒、insno纳米颗粒及lifcsco3纳米颗粒中的至少一种。

34、可选的，在本技术的一些实施例中，所述金属氧化物颗粒的平均粒径为5～10nm。

35、可选的，在本技术的一些实施例中，所述界面修饰层的厚度范围为5～20nm。

36、可选的，在本技术的一些实施例中，所述阳极及所述阴极分别独立选自掺杂金属氧化物电极、复合电极、石墨烯电极、碳纳米管电极、金属单质电极或合金电极，所述掺杂金属氧化物电极的材料选自铟掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、锑掺杂氧化锡、铝掺杂氧化锌镓掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌及铝掺杂氧化镁中的至少一种，所述复合电极选自azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、tio2/ag/tio2、tio2/al/tio2、zns/ag/zns或zns/al/zns，所述金属单质电极的材料选自ag、al、au、pt、si、ca及ba中的至少一种；或者

37、所述发光层的材料选自有机发光材料或量子点发光材料，所述有机发光材料选自4,4'-双(n-咔唑)-1,1'-联苯:三[2-(对甲苯基)吡啶-c2,n)合铱(iii)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(对甲苯基)吡啶-c2,n)合铱、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、tbpe荧光材料、ttpx荧光材料、tbrb荧光材料及dbp荧光材料中的至少一种，所述量子点发光材料选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点的材料、核壳结构量子点的核的材料及核壳结构量子点的壳的材料选自cdse、cds、cdte、znse、zns、cdte、znte、cdzns、cdznse、cdznte、znses、znsete、zntes、cdses、cdsete、cdtes、cdznsete、cdznste、inp、inxs、gxp、gxxs、gxsb、xln、xlp、inxsp、innp、innsb、gxxlnp、inxlnp、cuins2、cuinse2及agins2中的至少一种。

38、相应的，本技术实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括上述发光二极管。

39、本技术所述的发光二极管的界面修饰层中包括所述蒽醌类化合物，所述蒽醌类化合物具有导电性，且所述蒽醌类化合物中的o可以与所述金属氧化物颗粒表面的氧空位形成稳定的配位，可以有效地抑制或减少金属氧化物颗粒表面的氧空位，减少金属氧化物颗粒的表面缺陷，使电子可以快速通过，从而提高电子传输层的电导率，并降低阴极与电子传输层之间的功函数，而较低的功函数可以降低电子传输层与阴极之间的势垒，使阴极与电子传输层之间具有更好的能级对齐，从而以有利于电子从阴极进入电子传输层中，进而提高电子传输层的电子传输效率，提高发光二极管的发光效率，并降低发光二极管的开启电压。