一种减少定位性开路缺口报废的UV补线方法与流程

一种减少定位性开路缺口报废的uv补线方法
技术领域
1.本发明涉及pcb技术领域，具体为一种减少定位性开路缺口报废的uv补线方法。


背景技术：

2.pcb制造流程长，很多因素影响开路缺口，曝光过程的垃圾是主因之一，垃圾在菲林或者曝光玻璃表面，阻挡紫外光照射在感光干膜上，从而导致干膜无法发生聚合反应，最终形成定位性开路缺口不良。业内通常是通过在检修工序使用铜线或者铜浆补线，两者补线方法都有局限性，且铜线补线有脱落风险，漏失至客户端造成投诉，铜浆补线需要加烤，流程长。许多产品不允许线路成型后补线，造成品质成本增加。


技术实现要素：

3.本发明提供一种具有可靠性高、效率高、成本低及产品良率高的减少定位性开路缺口报废的uv补线方法。
4.为了实现上述目的，通过以下技术方案实现。
5.一种减少定位性开路缺口报废的uv补线方法，所述方法为利用图形转移原理，在板子未显影蚀刻前将线路开路/缺口处进行补曝曝光，对板子开路/缺口处进行修理，实现保护干膜下对应位置的铜面，使板子的开路/缺口消弭于显影前，以减少因定位性开路/缺口对板子的报废，且在补曝曝光进行转移图形前，先通过对首件和自主件检验进行识别定位性开路/缺口，然后对已生产出的产品，在显影前使用补曝的方法对其开路/缺口处进行补曝曝光，其中，所述首件指的是最先生产的一件或几件产品，所述自主件指的是在连续生产某一型号时，每生产固定数量的产品，其末尾的一件或几件产品。
6.本发明是根据线路制作的曝光原理及对工艺流程进行优化，得出的一种通过uv光在线路板未完成显影前进行补曝从而保证无开路缺口的工艺方法。具体地，本发明通过首件、自主件检验出定位性缺陷后，可以立即追溯所有已生产出的产品，在显影前使用补曝的方法对其开路/缺口的位置进行修理。本发明中所述补曝指的是使用特制的工治具，对定位性的开路/缺口位置进行修理，其区别于正常生产时的曝光作业，仅针对指定的位置进行曝光，也即是仅对有开路/缺口的位置进行曝光，使得原本被粘附在菲林/玻璃上的垃圾/异物挡光而未发生聚合反应的干膜，在uv紫外光照射下发生聚合反应，从而保护住干膜下对应位置的铜面，使其原本蚀刻后会发生的开路/缺口消弭于显影前，本发明有效避免现有技术中蚀刻再使用非原生的铜线、铜浆修理带来的流程长、可靠性低的问题，具有可靠性高、效率高、成本低及产品良率高等优点。
7.进一步地，本发明减少定位性开路缺口报废的uv补线方法，包括以下步骤，s1：pnl板的制作，在首件制作完成后，开始批量生产，在批量生产第n张pnl产品后，选取末尾的第（n-1）、n张pnl产品作为第一次自主件进行送样检查，并在第（n-1）、第n和
第（n+1）张pnl板边做标记“2“；重复上述步骤，从第（n+2）张pnl至第（2n-1）、2n张pnl产品进行下一批产品的生产和送样检查，其中，第（2n-1）、2n张pnl产品作为第二次自主件，并在第（2n-1）、第2n和第（2n+1）张pnl板边做标记“3”，依次类推直至完成所有产品的制作；s2：识别定位性开路/缺口，采用aoi对板子缺陷进行识别，当aoi扫描反馈标记”2”的pcb板有定位性开路/缺口，则先选取机台最后生产的那1张pnl板对比相同位置是否有不良，确保曝光机台上无异物，若无定位不良，则取机台上标记”2”的板核对，若无定位不良，则继续往前抽取排查挑选，将定位不良板全部挑出后统一隔离标识；s3：补曝曝光，对s2步骤中挑选出的定位不良板进行补线处理和曝光处理，使产品在补曝曝光的紫外光照射下发生聚合反应，实现保护干膜下对应位置的铜面，减少定位不良板上的定位性开路/缺口。
8.进一步地，上述s3步骤中所述补线处理包括补线资料设计，所述补线资料设计通过genesis工程软件设计补线资料，所述补线资料中的线与线间距为10cm，pad与pad间距为10cm。由于补线图形都是透光的，本发明中将两补线图形间保持10cm的间距，有效防止补线的紫外光发生折射和散射时，透过相领的补线图形在板面上制造出不需要的图形而产生不良品。
9.进一步地，所述补线资料中线宽设计从3.5mil-10mil，每种线长度为mm，每0.5mil一档；所述补线资料中pad直径设计从16mil-40mil，每0.5mil一档。上述线路和圆pad的大小，可以确保生产的95%以上的产品，都可以在补线资料上，找到与之对应的补线图形。
10.进一步地，上述s3步骤中所述补线处理包括补线图形载体的选择，在设计好补线资料后，需选择合适的图形载体将补线资料中的图形转化为实体的工治具。
11.进一步地，选取黑菲林底片的原料——银盐片，作为补线图形载体。银盐片具有阻光区的阻光率高，而透光区的阻光率低的特点，其相较于传统的黄菲林原料——重氮片，其阻光区的阻光率高，而透光区的阻光率低，能确保曝光时，有更少的光从阻光区透过，减少曝光不良的发生概率。
12.进一步地，所述银盐片的阻光率≥4.5d；透光区的阻光率≤0.15d。而传统的黄菲林原料——重氮片，其阻光区阻光率率通常只能达到≥4.0d，透光区的阻光率为≤0.2d。
13.进一步地，所述曝光处理采用uv光进行，所述uv光的曝光能量设定为机台能量的50%，曝光时，根据不同大小的缺陷选取对应的补线资料，使开路/缺口处的线垂直于屏幕下边方向，然后对不良板进行定位，定位后将设计有补线资料的菲林对准不良位置，与板面贴紧进行对不良位置进行补曝曝光。
14.进一步地，所述补曝曝光的uv曝光时间控制在1秒钟，其效率高，补曝效果好。
15.本发明减少定位性开路缺口报废的uv补线方法与现有技术相比，具有如下有益效果：本发明中所述补曝指的是使用特制的工治具，即本发明中的银盐片对定位性的开路/缺口位置进行补曝曝光修理，其区别于正常生产时的曝光作业，仅针对指定的位置进行曝光，也即是仅对有开路/缺口的位置进行曝光，使得原本被粘附在菲林/玻璃上的垃圾/异物挡光而未发生聚合反应的干膜，在uv紫外光照射下发生聚合反应，从而保护住干膜下对应位置的铜面，使其原本蚀刻后会发生的开路/缺口消弭于显影前，本发明有效避免现有技术中蚀刻再使用非原生的铜线、铜浆修理带来的流程长、可靠性低的问题，具有可靠性高、
效率高、成本低及产品良率高等优点，具体地，采用本发明方法，其板定位性开路/缺口的不良率降低了约50%。
附图说明
16.图1为现有技术铜线补线后出现的开路/缺口的不良位置图；图2为采用本发明减少定位性开路缺口报废的uv补线方法补线后的原不良位置的修理图；图3为本发明减少定位性开路缺口报废的uv补线方法的原理框图；图4为本发明减少定位性开路缺口报废的uv补线方法中的线与线位置关系图。
具体实施方式
17.下面将结合具体实施例及附图对本发明减少定位性开路缺口报废的uv补线方法作进一步详细描述。
18.参照图1至图4，本发明一非限制实施例，一种减少定位性开路缺口报废的uv补线方法，所述方法为利用图形转移原理，在板子未显影蚀刻前将线路开路/缺口处进行补曝曝光，对板子开路/缺口处进行修理，实现保护干膜下对应位置的铜面，使板子的开路/缺口消弭于显影前，以减少因定位性开路/缺口对板子的报废，且在补曝曝光进行转移图形前，先通过对首件和自主件检验进行识别定位性开路/缺口，然后对已生产出的产品，在显影前使用补曝的方法对其开路/缺口处进行补曝曝光，其中，所述首件指的是最先生产的一件或几件产品，所述自主件指的是在连续生产某一型号时，每生产固定数量的产品，其末尾的一件或几件产品。
19.参照图1至图4，本发明一非限制实施例，本发明是根据线路制作的曝光原理及对工艺流程进行优化，得出的一种通过uv光在线路板未完成显影前进行补曝从而保证无开路缺口的工艺方法。具体地，本发明通过首件、自主件检验出定位性缺陷后，可以立即追溯所有已生产出的产品，在显影前使用补曝的方法对其开路/缺口的位置进行修理。本发明中所述补曝指的是使用特制的工治具，对定位性的开路/缺口位置进行修理，其区别于正常生产时的曝光作业，仅针对指定的位置进行曝光，也即是仅对有开路/缺口的位置进行曝光，使得原本被粘附在菲林/玻璃上的垃圾/异物挡光而未发生聚合反应的干膜，在uv紫外光照射下发生聚合反应，从而保护住干膜下对应位置的铜面，使其原本蚀刻后会发生的开路/缺口消弭于显影前，本发明有效避免现有技术中蚀刻再使用非原生的铜线、铜浆修理带来的流程长、可靠性低的问题，具有可靠性高、效率高、成本低及产品良率高等优点。
20.参照图1至图4，本发明一非限制实施例，本发明减少定位性开路缺口报废的uv补线方法，包括以下步骤，s1：pnl板的制作，本实施例中，每生产60张pnl做一次自主件，具体地，根据要求制作首件，首件为最先生产的一件或几件产品应，在首件制作完成后，送专门的检验室用光学检验机器进行aoi检查，根据首件检验的结果对生产条件进行调整。待首件aoi检查合格后，开始批量生产，在批量生产第60张pnl产品后，抽出末尾的第59、60张pnl产品，在第59、第60pnl板边做标记“2“，表示第59、第60pnl板为第一次自主件，然后送专门的检验室，与首件
一样用光学检验机器进行aoi检查；产品检查合格后，重复上述步骤，在生产出第61张pnl板后，在第61张pnl板边沿也标记“2”，表示其与前面的产品均是与第一次自主件同批生产的。继续生出第62张pnl至第120张pnl板，在第119、第120pnl板边做标记“3“，表示第119、第120pnl板为第二次自主件，然后送专门的检验室，用光学检验机器进行aoi检查；产品检查合格后，重复上述步骤，在生产出第121张pnl板后，在第121张pnl板边沿也标记“3”，表示其与前面的产品均是与第二次自主件同批生产的，依次类推直至完成所有产品的制作；s2：识别定位性开路/缺口，采用aoi对板子缺陷进行识别，当aoi扫描反馈标记”2”的pcb板有定位性开路/缺口，则先选取机台最后生产的那1张pnl板对比相同位置是否有不良，确保曝光机台上无异物，若无定位不良，则取机台上标记”2”的板核对，若无定位不良，则继续往前抽取排查挑选，将定位不良板全部挑出后统一隔离标识；s3：补曝曝光，对s2步骤中挑选出的定位不良板进行补线处理和曝光处理，使产品在补曝曝光的紫外光照射下发生聚合反应，实现保护干膜下对应位置的铜面，减少定位不良板上的定位性开路/缺口。
21.参照图1至图4，本发明一非限制实施例，上述s3步骤中所述补线处理包括补线资料设计，所述补线资料设计通过genesis工程软件设计补线资料，所述补线资料中的线与线间距为10cm，pad与pad间距为10cm。由于补线图形都是透光的，本发明中将两补线图形间保持10cm的间距，有效防止补线的紫外光发生折射和散射时，透过相领的补线图形在板面上制造出不需要的图形而产生不良品。
22.参照图1至图4，本发明一非限制实施例，所述补线资料中线宽设计从3.5mil-10mil，每种线长度为mm，每0.5mil一档；所述补线资料中pad直径设计从16mil-40mil，每0.5mil一档。上述线路和圆pad的大小，可以确保生产的95%以上的产品，都可以在补线资料上，找到与之对应的补线图形。
23.参照图1至图4，本发明一非限制实施例，上述s3步骤中所述补线处理包括补线图形载体的选择，在设计好补线资料后，需选择合适的图形载体将补线资料中的图形转化为实体的工治具。
24.参照图1至图4，本发明一非限制实施例，选取黑菲林底片的原料——银盐片，作为补线图形载体。银盐片具有阻光区的阻光率高，而透光区的阻光率低的特点，其相较于传统的黄菲林原料——重氮片，其阻光区的阻光率高，而透光区的阻光率低，能确保曝光时，有更少的光从阻光区透过，减少曝光不良的发生概率。
25.参照图1至图4，本发明一非限制实施例，所述银盐片的阻光率≥4.5d；透光区的阻光率≤0.15d。而传统的黄菲林原料——重氮片，其阻光区阻光率率通常只能达到≥4.0d，透光区的阻光率为≤0.2d。
26.参照图1至图4，本发明一非限制实施例，所述曝光处理采用uv光进行，所述uv光的曝光能量设定为机台能量的50%，曝光时，根据不同大小的缺陷选取对应的补线资料，具体地，补线资料大小应比缺陷位置小0.5mil-1mil，并使开路/缺口处的线垂直于屏幕下边方向，然后对不良板进行定位，定位后将设计有补线资料的菲林对准不良位置，与板面贴紧进行对不良位置进行补曝曝光，本实施例中，对不良板的定位，首先在机台屏幕上使用三解标签标示定点，将不良板放置在机台上，然后使用2mm厚度垫片放置于不良板板边，利于更换板子时能够快速在屏幕上找到不良点，在找到不良点后，将设计有补线资料的菲林对准不
良位置，与板面贴紧进行对不良位置进行补曝曝光，在本实施例中，所述补曝曝光的uv曝光时间控制在1秒钟，其效率高，补曝效果好。
27.上述实施例仅为本发明的具体实施例，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些显而易见的替换形式均属于本发明的保护范围。