1.一种雪崩二极管控制电路，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的雪崩二极管控制电路，其特征在于，所述像元组中的像元设置为n个，n≥2；所述n个像元的正极分别耦接负偏压，负极共同耦接同一信号检出电路，并通过共同或分别配置的复位/淬灭电路耦接正偏压；所述第一使能电路设置为对应像元组中像元的n个，并分别配置于像元负极与信号检出电路之间，或者像元正极与负偏压之间。
3.如权利要求1所述的雪崩二极管控制电路，其特征在于，所述像元组中的像元设置为n个，n≥2；所述n个像元的负极分别耦接正偏压，正极共同耦接同一信号检出电路，并通过共同或分别配置的复位/淬灭电路耦接电源地；所述第一使能电路设置为对应像元组中像元的n个，并分别配置于像元正极与信号检出电路之间，或者像元负极与正偏压之间。
4.如权利要求1-3任一项所述的雪崩二极管控制电路，其特征在于，所述使能电路包括一场效应管或三极管，所述场效应管或三极管与所述像元串联耦接，并通过栅极或基极耦接使能信号。
5.如权利要求1-3任一项所述的雪崩二极管控制电路，其特征在于，还包括至少一个控制电路，所述控制电路耦接至少两个所述第一使能电路，用于向与之耦接的第一使能电路输出使能信号，进而控制对应像元与信号检出电路之间的电气连接状态。
6.如权利要求1-3任一项所述的雪崩二极管控制电路，其特征在于，还包括控制电路，所述控制电路分别耦接对应像元组中每个像元的第一使能电路，用于向所述第一使能电路输出使能信号，使得同一时刻只有一个像元与所述信号检出电路联通。
7.如权利要求1所述的雪崩二极管控制电路，其特征在于，所述像元组中的像元设置为p行q列的像元阵列，p≥2，q≥2；所述第一使能电路对应所述像元阵列中的单行或若干行像元设置，用于基于使能信号控制单行或若干行像元与对应信号检出电路之间的电气连接状态。
8.如权利要求7所述的雪崩二极管控制电路，其特征在于，还包括第二使能电路，所述第二使能电路对应所述像元阵列中的单列或若干列像元设置，用于基于使能信号控制单列或若干列像元与信号检出电路之间的电气连接状态。
9.如权利要求8所述的雪崩二极管控制电路，其特征在于，所述信号检出电路设置为m个，1≤m≤p；每个信号检出电路对应所述像元阵列中的一行像元；所述信号检出电路还被配置为接收对应其它行像元的信号检出电路产生的输入中续信号，并基于所述输入中续信号和检测到的本地电信号产生输出中续信号。
10.如权利要求9所述的雪崩二极管控制电路，其特征在于，所述信号检出电路中同时使用高压mos和低压mos，并且存在一条从电源到gnd的电路路径，该路径包含至少一个高压mos和至少一个低压mos。
11.如权利要求9所述的雪崩二极管控制电路，其特征在于，所述m个信号检出电路包括配置有与非门的第一类信号检出电路和配置有或非门的第二类信号检出电路，所述第一类信号检出电路和第二类信号检出电路交替配置，用于接收前置信号检出电路输出的中续信号，基于所述中续信号和检测到的本地信号产生新的中续信号并输出至后置信号检出电路。
12.如权利要求1所述的雪崩二极管控制电路，其特征在于，所述复位/淬灭电路和信号检出电路使用同一个电源。
13.如权利要求1所述的雪崩二极管控制电路，其特征在于，还包括像元保护电路，所述像元保护电路对应像元组中的每个像元设置，用于保护使能电路和信号检测电路。
14.如权利要求1-3任一项所述的雪崩二极管控制电路，其特征在于，还包括使能信号生成电路，用于根据多个使能信号基于预设逻辑输出一路使能信号。
15.如权利要求1-3任一项所述的雪崩二极管控制电路，其特征在于，所述像元组、信号检出电路、复位/淬灭电路和第一使能电路均设置于同一个基板上。
16.如权利要求1-3任一项所述的雪崩二极管控制电路，其特征在于，所述像元组设置于第一基板上，所述第一使能电路、信号检出电路和复位/淬灭电路设置于第二基板上，所述第一使能电路和像元组中的像元之间通过堆叠式工艺连接。
17.如权利要求1-3任一项所述的雪崩二极管控制电路，其特征在于，所述像元组和第一使能电路设置于第一基板上，所述信号检出电路和复位/淬灭电路设置于第二基板上，所述第一基板和第二基板上的电路之间通过堆叠式工艺连接。