技术特征：
1.一种功率半导体装置，其具有：第1开关元件；第2开关元件，其与所述第1开关元件并联连接，短路耐量比所述第1开关元件高；驱动电路，其对所述第1开关元件及所述第2开关元件进行驱动；以及判定电路，其将流过所述第1开关元件及所述第2开关元件的电流的合计即对象电流与第1阈值及大于所述第1阈值的第2阈值进行比较，如果由所述判定电路判定为所述对象电流大于或等于所述第1阈值，则所述驱动电路将所述第1开关元件设为断开状态，如果由所述判定电路判定为所述对象电流大于或等于所述第2阈值，则所述驱动电路将所述第2开关元件设为断开状态。2.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其中，所述对象电流是流过所述第1开关元件及所述第2开关元件的主电流的合计。3.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其中，所述对象电流是流过所述第1开关元件及所述第2开关元件的感测电流的合计。4.根据权利要求1至3中任一项所述的功率半导体装置，其中，所述判定电路包含将所述对象电流与所述第1阈值进行比较的第1判定电路和将所述对象电流与所述第2阈值进行比较的第2判定电路。5.根据权利要求1至4中任一项所述的功率半导体装置，其中，所述第1开关元件使用宽带隙半导体作为半导体材料。
技术总结
本发明的目的在于降低功率半导体装置的损耗及提高短路耐量。本发明的功率半导体装置(101)具有：第1开关元件(SW1)；第2开关元件(SW2)，其与第1开关元件并联连接，短路耐量比第1开关元件高；驱动电路(23、24)，其对第1开关元件及第2开关元件进行驱动；以及判定电路(25、26)，其将流过第1开关元件及第2开关元件的电流的合计即对象电流与第1阈值及大于第1阈值的第2阈值进行比较。如果由判定电路判定为对象电流大于或等于第1阈值，则驱动电路将第1开关元件设为断开状态，如果由判定电路判定为对象电流大于或等于第2阈值，则驱动电路将第2开关元件设为断开状态。将第2开关元件设为断开状态。将第2开关元件设为断开状态。
技术研发人员：小田寿志
受保护的技术使用者：三菱电机株式会社
技术研发日：2022.05.26
技术公布日：2022/12/15