连接器中介板的制作方法与流程

连接器中介板的制作方法
【技术领域】
1.本发明涉及一种连接器中介板的制作方法，尤其是涉及一种利于高频信号传输的连接器中介板的制作方法。


背景技术：

2.传统连接器中介板通常以既有的电镀侧壁填孔的方式来制作，连接器中介板基板由单层pi膜制成，制作过程中基板先贴铜箔再钻孔，因为基板表面贴有铜箔，钻孔时不能将铜箔贯穿，工艺难度较高，电镀侧壁填孔时，镀层从侧壁慢慢往中间靠拢，为保证电镀侧壁填孔形成的导通部中间没有空隙，导通部往往直径(大约0.1mm)较小，基板上表面及下表面具有由铜箔所形成的导电盘，这些导电盘要与其他电子元件相接，为避免接触不良，导电盘面积不能太小，进而导致整体提供信号传输的上导电盘、下导电盘与导通部呈现“工”字型配置。
3.而后面如专利cn202210172219.4揭露的连接器中介板的制作方法，其以镂空板(单铜双做)贴合蚀刻为主，连接器中介板由双层绝缘胶片以及夹在双层绝缘胶片中间的单层金属片制成，其中金属片被冲压或蚀刻成多个金属块作为导通部，上下两层绝缘胶片对应导通部位置处开有两窗孔，因为要将铜块夹在两pi膜间，窗孔直径小于导通部横截面积，从而电镀窗孔形成的两导电盘面积小于导通部横截面积。
4.受限于这两种工艺的技术瓶颈与制程能力，这两种方法制作的连接器中介板因为上下导电盘面积与导通部截面面积差距太大，使得连接器中介板在导电盘和导通部处阻抗不平衡，存在明显的特性阻抗突变现象，不利于高频信号的传输。
5.因此，有必要设计一种连接器中介板的制作方法，以克服上述问题。


技术实现要素：

6.针对背景技术所面临的问题，本发明提供了一种连接器中介板的制作方法，本方法制作出的连接器中介板，从盲孔底部电镀导电材料形成导通部，其导通部横截面直径大于0.3mm，在传输高频信号时表现优异。
7.为了达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
8.一种连接器中介板的制作方法，包括以下步骤：a.提供一基板；b.步骤b在步骤a之后，在所述基板上加工出直径大于0.3mm的多个通孔；c.步骤c在步骤b之后，提供一导电片，将所述导电片设在所述基板下表面，所述导电片遮住所述通孔下方，所述通孔与所述导电片形成一盲孔；d.步骤d在步骤c之后，自所述盲孔的底部开始电镀导电材料，直至所述导电材料填满所述盲孔形成导通部；e.步骤e在步骤d之后，去掉部分或全部所述导电片，使得多个所述导通部下表面之间彼此隔开，多个所述导通部与所述基板形成所述连接器中介板。
9.进一步，所述基板分为上下两层，所述基板上层为一层pi膜，所述基板下层为一层压接层，所述pi膜厚度大于或等于所述压接层厚度，步骤b中，加工出所述通孔的过程中，先从所述pi膜开始打孔，确定所述通孔的位置，然后击穿所述压接层，在所述基板上加工出多
个所述通孔，所述通孔向上贯穿所述pi膜，向下贯穿所述压接层。
10.进一步，步骤c中，所述导电片以热压的方式压接到所述压接层上，使得所述导电片与所述压接层紧密结合的同时，所述压接层厚度被压缩，处在所述pi膜中的所述盲孔体积大于处在所述压接层中的所述盲孔体积。
11.进一步，步骤d中，所述导通部为一实心铜柱，所述实心铜柱上表面几何中心和下表面几何中心的连线与所述基板上表面垂直，所述实心铜柱上表面高度高于所述基板上表面，所述实心铜柱上表面用于与一电子元件相连。
12.进一步，步骤e中，用研磨或者蚀刻或者cmp工艺去掉所述导电片，然后对所述基板上表面、所述基板下表面、所述导通部上表面、所述导通部下表面进行加工，使得所述基板上表面与所述导通部上表面齐平，所述基板下表面与所述导通部下表面齐平。
13.进一步，还包括步骤f1，步骤f1在步骤e后，在所述导通部上表面和/或所述导通部下表面分别电镀或化学镀一层衬垫，所述衬垫面积与所述导通部上表面面积以及所述导通部下表面面积相等。
14.进一步，步骤e中，先在所述基板上表面和所述导电片下表面分别贴上一层感光膜，然后实施对位曝光，显影工艺，再用蚀刻的方式去掉部分所述导电片，最后去掉所述感光膜，得到由所述导电片制成的多个导电盘。
15.进一步，在所述基板上表面和所述导电片下表面贴上一层所述感光膜前，对所述基板上表面和所述导通部上表面进行加工，使得所述基板上表面与所述导通部上表面齐平。
16.进一步，多个所述导电盘紧贴于多个所述导通部下表面，多个所述导电盘与多个所述导通部一一对应，每一所述导电盘下表面面积大于对应所述导通部下表面面积。
17.进一步，还包括步骤f2，在所述导通部上表面电镀或化学镀一层第一衬垫，在所述导电盘下表面电镀或化学镀一层第二衬垫，所述第一衬垫面积与所述导通部上表面面积相等，所述第二衬垫面积大于所述导通部下表面面积。
18.与现有技术相比，本发明设计的连接器中介板的制作方法有以下有益效果：
19.在所述基板上加工出直径大于0.3mm的多个通孔，热压导电片，用电镀底部填孔方式制出直径大于0.3mm的多个导通部，在所有所述导通部上表面面积和不变的情况下(即不影响连接器中介板总电阻的情况下)，所述导通部直径越大，相邻所述导通部之间的距离就能做的越大，这样可以减小所述导通部之间的互容和互感，从而减小串音，有利于高频信号的传输；
20.导线的导体损耗与线宽呈反比关系，所述导通部直径大，即线宽大，所述导通部的导体损耗就较小，所述导通部的插入损耗也较小，电镀或化学镀出的衬垫面积与导通部横截面积相近或相等，也让所述导通部与所述衬垫特性阻抗更接近，便于特性阻抗的匹配，有利于高频信号的传输。
【附图说明】
21.图1为本发明第一实施例步骤a至步骤c的制作流程示意图；
22.图2为本发明第一实施例步骤d至步骤f1的制作流程示意图；
23.图3为本发明第二实施例步骤e中对基板上表面和导通部上表面进行加工的示意
图；
24.图4为本发明第二实施例步骤e中实施贴膜、曝光、显影、蚀刻、贴膜工艺的流程示意图；
25.图5为本发明第二实施例步骤f2的示意图。
26.具体实施方式的附图标号说明：
27.连接器中介板100基板1pi膜11压接层12通孔13导电片2盲孔3导通部4感光膜5导电盘6衬垫7第一衬垫71第二衬垫72
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【具体实施方式】
28.为便于更好的理解本发明的目的、结构、特征以及功效等，现结合附图和具体实施方式对本发明作进一步说明。
29.如图1、图2为本发明连接器中介板100的制作方法的第一实施例，本实施例中导电片2为铜箔，往盲孔3中电镀的导电材料为纯铜，衬垫7的材料为金或镍，具体包括以下步骤：
30.步骤a，如图1所示，提供一基板1，所述基板1分为上下两层，上层为一层pi膜11，下层为一层压接层12，所述pi膜11厚度大于所述压接层12厚度。
31.本实施例中，所述pi膜11厚度为50μm，所述压接层12厚度为25μm，所述压接层12的材料为纯胶，遇热后易变形，粘性强，便于后续与所述导电片2热压。在其他实施例中，所述基板1可以由多层pi膜11和多层压接层12堆叠而成，所述pi膜11厚度/压接层12厚度还可以是12.5μm/12.5μm、25μm/12.5μm、25μm/25μm。
32.步骤b，如图1所示，步骤b在步骤a之后，从所述pi膜11开始打孔，确定所述通孔13的位置，然后击穿所述压接层12，在所述基板1上加工出多个直径为0.375mm所述通孔13，所述通孔13向上贯穿所述pi膜11，向下贯穿所述压接层12。在其他实施例中所述通孔13的直径也可以是0.325mm、0.4mm，只需大于0.3mm即可。
33.步骤c，如图1所示，步骤c在步骤b之后，提供一导电片2，所述导电片2以热压的方式压接到所述压接层12上，使得所述导电片2与所述压接层12紧密结合的同时，所述压接层12厚度被压缩；所述导电片2遮住所述通孔13下方，所述通孔13与所述导电片2形成一盲孔3，因为所述压接层12厚度被压缩的缘故，pi膜11厚度比压接层12厚度大很多，所述盲孔3大约有五分之四的体积处在pi膜11中。
34.步骤d，如图2所示，步骤d在步骤c之后，自所述盲孔3的底部开始电镀铜，直至铜填满所述盲孔3形成导通部4，所述导通部4为一实心铜柱，所述实心铜柱上表面几何中心和下表面几何中心的连线与所述基板1上表面垂直，所述实心铜柱上表面高度高于所述基板1上表面，所述实心铜柱上表面用于与一电子元件(未标示)相连。
35.步骤e，如图2所示，步骤e在步骤d之后，用研磨或者蚀刻或者cmp工艺去掉所述导电片2，使得多个所述导通部4下表面之间彼此隔开，然后对所述基板1上表面、所述基板1下表面、所述导通部4上表面、所述导通部4下表面进行加工，使得所述基板1上表面与所述导通部4上表面齐平，所述基板1下表面与所述导通部4下表面齐平。
36.步骤f1,如图2所示，步骤f1在步骤e后，在所述导通部4上表面和所述导通部4下表
面分别电镀或化学镀一层衬垫7，所述衬垫7面积与所述导通部4上表面面积以及所述导通部4下表面面积相等。
37.其他实施例中，可以只在所述导通部4上表面或下表面电镀或化学镀一层所述衬垫7。
38.如图1、图3、图4、图5为本发明的所述连接器中介板100的制作方法的第二实施例，具体包括以下步骤：
39.步骤a至步骤d，与第一实施例一致。
40.步骤e，如图3、图4所示，对所述基板1上表面和所述导通部4上表面进行加工，使得所述基板1上表面与所述导通部4上表面齐平，再往所述基板1上表面和所述导电片2下表面分别贴上一层感光膜5，然后实施对位曝光，显影工艺，在所述导电片2下表面的感光膜5上得到图案，露出没被图案覆盖的部分导电片2，再用蚀刻的方式去掉这部分导电片2，最后去掉所述感光膜5，得到由所述导电片2制成的多个导电盘6，多个所述导电盘6紧贴于多个所述导通部4下表面，多个所述导电盘6与多个所述导通部4一一对应，每一所述导电盘6下表面面积大于对应所述导通部4下表面面积。本实施例中，所述导电盘6直径为0.51mm或0.65mm。
41.步骤f2，如图5所示，在所述导通部4上表面电镀或化学镀一层第一衬垫71，在所述导电盘6下表面电镀或化学镀一层第二衬垫72，所述第一衬垫71面积与所述导通部4上表面面积相等，所述第二衬垫72面积大于所述导通部4下表面面积。本实施例中，所述第二衬垫72面积有两种，面积大的第二衬垫72用于电流流通，面积小的第二衬垫72面积大小接近于导通部4下表面面积，用于信号流通。
42.本发明的有益效果如下：
43.1.所述导通部4横截面积较大，即线宽较大，由(w为线宽，α
cond
为导体损耗)可知所述导通部4线宽较大时，其导体损耗较小，从而信号的插入损耗较小，另外在所有所述导通部4上表面面积之和不变的情况下(即不影响连接器中介板100总电阻的情况下)，所述导通部4横截面积越大，相邻所述导通部4之间的距离就能做的越大，由(r为两导体之间的距离)可知拉大所述导通部4之间的距离，可以减小所述导通部4之间的互感，同样由(d为两平板之间的间距)可知拉大所述导通部4之间的距离，可以减小所述导通部4之间的互容，这样可以减小所述导通部4之间互容和互感现象，从而减小串音，有利于高频信号的传输；
44.所述衬垫7面积与所述导通部4横截面积相等，也让所述导通部4与所述衬垫7特性阻抗更接近，便于特性阻抗的匹配，最终有利于高频信号的传输。
45.自所述盲孔3底部电镀铜可以在所述盲孔3直径较大时，将所述盲孔3填满，不会像电镀侧壁填孔时容易在孔的中间出现空隙，可以避免导电材料无法形成实心铜柱的问题，同时自所述盲孔3底部电镀铜相较于往盲孔3中填导电膏的方式，电镀的纯度更高，电阻率更低，导电性能更好，而且往盲孔3中填充的导电膏烧结固化时，溶剂会挥发从而导致导电膏体积收缩，无法将孔填满，电镀底部填孔可以解决这个问题。
46.2.所述基板1分为上下两层，所述基板1上层为pi膜11，所述基板1下层为压接层
12，所述pi膜11加工性能好，在所述基板1上钻孔时，钻出的孔有一定概率变形，先从所述pi膜11加工可以减小所述通孔13变形的概率，所述pi膜11还有着良好的化学稳定性，通过热压方式将所述导电片2压接到所述基板1上的同时，将所述压接层12挤压变薄，使得后续电镀铜时，酸液主要与所述pi膜11接触，对所述基板1的腐蚀较小，所述压接层12粘性好，热压所述导电片2时更容易与所述导电片2粘接。
47.3.所述导通部4与所述基板1垂直，使得电流从所述基板1上表面经所述导通部4流到所述基板1下表面所经的路程最短，受到的干扰更少，电镀底部填所述盲孔3过程中所述实心铜柱上表面高度高于所述基板1上表面，相较于让实心铜柱上表面高度等于所述基板1上表面，无需太高的电镀精度，实心铜柱多余的部分也可在后续的研磨步骤中除掉，可以降低工艺难度，还可以避免所述盲孔3没有被填满的情况。
48.4.利用贴膜、曝光、显影、蚀刻等工艺在所述导通部4下方得到多个比所述导通部4下表面积大的导电盘6，在连接器中介板100与其他电子元件相接时，可以通过调整所述导电盘6的大小在兼顾高频性能的同时与对应的电子元件匹配。
49.以上详细说明仅为本发明之较佳实施例的说明，非因此局限本发明之专利范围，所以，凡运用本创作说明书及图示内容所为之等效技术变化，均包含于本创作之专利范围内。