技术特征：
1.一种宽阈值的mmic正电压控制单刀双掷开关，其特征在于：包括开关电路和控制逻辑转换电路；所述开关电路包括所述端口in和两路相同的输出电路；每一路输出电路均包括输出端口第一晶体管~第四晶体管；在每一路输出电路中，所述第一晶体管的源极与输入端口连接，第一晶体管的漏极与第四晶体管的源极连接，第四晶体管的漏极连接到输出该路输出电路的输出端口，所述第一晶体管的栅极通过第一栅极电阻接入控制电平v1；所述第四晶体的栅极通过第四栅极电阻接入控制电平v1，所述第四晶体管的源极和漏极之间还连接有电阻r
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；所述第二晶体管的漏极与第一晶体管的漏极连接，第二晶体管的源极通过隔直电容c1接地，第二晶体管的栅极通过第二栅极电阻接入控制电平v2，所述第三晶体管的漏极与第四晶体管的源极连接，第三晶体管的源极通过隔直电容c2接地，第三晶体管的栅极通过第三栅极电阻连接控制电平v2；所述第二晶体管的源极和第三晶体管的源极相连，且连接的公共端接入工作电压vs；所述控制逻辑转换电路用于在控制电压vc的控制下对vdd电源提供的电压进行转换，得到控制电平v1、控制电平v2提供给开关电路，以实现对开关电路的控制，并将vdd电源输出的电压作为工作电压vs，直接向所述开关电路提供工作电压。2.根据权利要求1所述的一种宽阈值的mmic正电压控制单刀双掷开关，其特征在于：所述第一晶体管~第四晶体管均为赝调制掺杂异质结场效应晶体管phemt。3.根据权利要求1所述的一种宽阈值的mmic正电压控制单刀双掷开关，其特征在于：所述第一栅极电阻~第四栅极电阻采用阻值相同的电阻rg。4.根据权利要求1所述的一种宽阈值的mmic正电压控制单刀双掷开关，其特征在于：所述电阻r
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采用50ω的电阻。5.根据权利要求1所述的一种宽阈值的mmic正电压控制单刀双掷开关，其特征在于：所述控制逻辑转换电路包括lef管、第一ldf管和第二ldf管，所述第一ldf管的漏极和栅极之间连接有第一电阻r1，所述第二ldf管的漏极和栅极之间连接有第二电阻r2，所述lef管的栅极通过第三电阻r3连接控制电压vc的输入端，所述第三电阻r3和控制电压vc输入端之间连接有控制电平v2的输出端口，用于向开关电路提供控制电平v2；所述lef管的源极与第一ldf管的栅极连接，且lef管的源极与第一ldf管的栅极之间连接有控制电平v1的输出端口，用于向开关电路提供控制电平v1；所述lef管的漏极与第二ldf管的栅极连接；所述第二ldf管的源极接地；所述第一ldf管的源极连接到vdd电源，且第一ldf管的源极还连接有工作电压vs的输出端口，用于向所述开关电路提供工作电压；其中，lef管为增强型fet管，第一ldf管和第二ldf管均为耗尽型fet管。6.根据权利要求5所述的一种宽阈值的mmic正电压控制单刀双掷开关，其特征在于：所述控制逻辑转换电路还包括第四电阻r4，所述第四电阻r4的一端连接在第三电阻r3和lef管的栅极之间，第四电阻r4的另一端接地。7.根据权利要求5所述的一种宽阈值的mmic正电压控制单刀双掷开关，其特征在于：所述控制逻辑转换电路还包括第五电阻r5，所述第五电阻r5的一端与vdd电源连接，第一电阻r5的与第一ldf管的源极连接。
技术总结
本发明公开了一种宽阈值的MMIC正电压控制单刀双掷开关，包括开关电路和控制逻辑转换电路；所述开关电路包括所述端口IN和两路相同的输出电路；所述控制逻辑转换电路用于在控制电压VC的控制下对VDD电源提供的电压进行转换，得到控制电平V1、控制电平V2和工作电压VS提供给开关电路，以实现对开关电路的控制。本发明提供的单刀双掷开关，仅使用正电压即可控制整个开关的切换，并且能够提高控制电压的阈值范围。值范围。值范围。
技术研发人员：田正莉 丛忠超 刘永建 王玉军
受保护的技术使用者：成都泰格微电子研究所有限责任公司
技术研发日：2022.08.09
技术公布日：2022/10/18