发光装置及包括发光装置的电子设备的制作方法

发光装置及包括发光装置的电子设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2021年8月17日提交的第10-2021-0108176号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请出于所有目的通过援引据此并入，如同在本文中完全阐述一样。
技术领域
3.本发明的实施方案总体上涉及发光装置及包括发光装置的电子设备。


背景技术：

4.发光装置是自发射装置，其具有广视角、高对比度和短响应时间，并且在亮度、驱动电压和响应速度方面表现出优异的特性。
5.在发光装置中，第一电极位于衬底上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次形成在第一电极上。从第一电极注入的空穴通过不会有助于在发射层内部产生的激子中的光发射的非发光激子传输区移动至发射层，并且从第二电极注入的电子穿过电子传输区至发射层。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而产生光。
6.本背景技术章节中公开的以上信息仅用于对本发明构思的背景的理解，并且因此它可以含有不构成现有技术的信息。


技术实现要素：

7.本发明的实施方案提供了具有改善的发光效率的发光装置以及包括所述发光装置的电子设备。
8.本发明构思的其它特征将在以下描述中阐述，并且在某种程度上根据所述描述将是显而易见的，或者可以通过本发明构思的实践而获悉。
9.本发明的实施方案提供了发光装置，其包括第一电极，面对所述第一电极的第二电极，位于所述第一电极与所述第二电极之间的m个发射单元，以及各自位于所述m个发射单元中的两个相邻发射单元之间并且包括n-型电荷产生层和p-型电荷产生层的m-1个电荷产生单元，其中m是2或大于2的整数。所述m个发射单元中的每一个包括依次布置的空穴传输区、发射层和电子传输区，所述发射层中的至少一个包括彼此接触的第一发射层和第二发射层，所述第一发射层包含第一主体、第二主体和第一掺杂剂，所述第二发射层包含第三主体、第四主体和第二掺杂剂，所述第一主体和所述第二主体形成第一激基复合物，所述第三主体和所述第四主体形成第二激基复合物，所述第一掺杂剂是延迟荧光掺杂剂，并且所述第二掺杂剂是磷光掺杂剂。
10.电子设备可以包括所述发光装置。
11.所述电子设备可以包括各自位于从所述发光装置发射的光的至少一个行进方向上的量子点或包含所述量子点的光学构件。
12.应理解，前述一般描述和以下详细描述两者是示例性且解释性的，并且旨在提供对要求保护的发明的进一步解释。
附图说明
13.包括附图以提供对本发明的进一步理解以及将附图并入本说明书中并且构成本说明书的一部分，附图例示出本发明的示例性实施方案，并且与描述一起用于解释本发明构思。
14.图1、图2和图3各自示出了根据实施方案的发光装置的示意性横截面视图。
15.图4是根据实施方案的电子设备的横截面视图。
16.图5例示出根据另一个实施方案的电子设备的横截面视图。
17.图6示出了根据实施方案的发光设备的横截面视图。
18.图7示出了根据另一个实施方案的发光设备的横截面视图。
具体实施方式
19.在以下描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以便提供对本发明的各种实施方案或实施方式的透彻理解。如本文使用，“实施方案”和“实施方式”是可互换的词语，其是采用本文公开的发明构思中的一种或多于一种的装置或方法的非限制性实例。然而，显而易见地，各种实施方案可以在没有这些具体细节的情况下实践，或者可以用一种或多于一种的等同布置来实践。在其它情况中，以框图形式示出公知的结构和装置，以便避免不必要地混淆各种实施方案。此外，各种实施方案可以是不同的，但不必是排它的。例如，在不背离本发明构思的情况下，实施方案的具体形状、配置和特性可以在另一个实施方案中使用或实施。
20.除非另外指明，例示的实施方案应被理解为提供其中可以在实践中实施本发明构思的一些方式的不同细节的示例性特征。因此，除非另外指明，在不背离本发明构思的情况下，各种实施方案的特征、组件、模块、层、膜、面板、区和/或方面等(在下文单独地或共同地被称为“元件”)可以以其它方式组合、分离、互换和/或重新布置。
21.通常提供交叉影线和/或阴影在附图中的使用以阐明相邻元件之间的界线。如此，交叉影线或阴影的存在或不存在均不表达或表明对特定材料、材料性质、尺寸、比例、例示的元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或需要，除非指明。此外，在附图中，出于清晰和/或描述性目的，可以放大元件的尺寸和相对尺寸。当实施方案可以不同地实施时，可以与描述的顺序不同地进行具体的过程顺序。例如，两个连续描述的过程可以基本上同时进行或以与描述的顺序相反的顺序进行。此外，相同的参考数字表示相同的元件。
22.当诸如层的元件被称为在另一个元件“上”、“连接至”另一个元件、或者“联接至”另一个元件时，其可以直接在另一个元件上、直接连接至另一个元件、或者直接联接至另一个元件，或者可以存在介于中间的元件。然而，当元件被称为“直接在”另一个元件“上”、“直接连接至”另一个元件、或者“直接联接至”另一个元件时，不存在介于中间的元件。为此，术语“连接的”可以是指物理连接、电连接和/或流体连接，具有或不具有介于中间的元件。此外，d1-轴、d2-轴和d3-轴不局限于直角坐标系的三个轴，例如x-轴、y-轴和z-轴，并且可以
以更广泛的含义解释。例如，d1-轴、d2-轴和d3-轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。出于本公开内容的目的，“x、y和z中的至少一个(种)”和“选自由x、y和z组成的组中的至少一个(种)”可以解释为仅x、仅y、仅z，或者x、y和z中的两个(种)或多于两个(种)的任意组合，例如，以xyz、xyy、yz和zz为例。如本文使用，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多于一个的任意组合和所有组合。
23.尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文用于描述各种类型的元件，但这些元件不应受到这些术语限制。这些术语用于区分一个元件与另一个元件。因此，在不背离本公开内容的教导的情况下，以下讨论的第一元件可以被称为第二元件。
24.诸如“之下”、“下方”、“下”、“较低”、“上方”、“上”、“之上”、“较高”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语可以在本文用于描述性目的，并且由此，以描述如附图中例示的一个元件与另一个元件的关系。空间相对术语旨在涵盖除了附图中描述的方向之外的在使用、操作和/或制造中的设备的不同方向。例如，如果附图中的设备被翻转，描述为在其它元件或特征“下方”或“之下”的元件则将被定向在其它元件或特征“上方”。因此，术语“下方”可以涵盖上方和下方的方向两者。此外，可以将设备以其它方式定向(例如，旋转90度或在其它方向上)，并且如此，本文使用的空间相对描述符被相应地解释。
25.本文使用的术语出于描述具体实施方案的目的，而不旨在限制。如本文使用，单数形式“一(a)”、“一(an)”和“所述(the)”旨在还包括复数形式，除非上下文另外明确说明。此外，术语“包含(comprises)”、“包含(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”当用于本说明书时指明规定的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在，但不排除一个或多于一个的其它的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在或增添。还注意，如本文使用，术语“基本上”、“约”和其它类似术语用作近似的术语而不用作程度的术语，并且如此，用于解释本领域普通技术人员会认识到的测量值、计算值和/或提供值中的固有偏差。
26.参考截面图示和/或分解图示在本文描述各种实施方案，所述截面图示和/或分解图示是理想化的实施方案和/或中间结构的示意性图示。如此，应预期由于例如制造技术和/或公差而产生的图示的形状的变化。因此，本文公开的实施方案不应必须被解释为局限于区的具体例示的形状，而应包括由例如制造产生的形状的偏差。以这种方式，附图中例示的区可以在本质上是示意性的，并且这些区的形状可以不反映装置的区的实际形状，并且如此，不必旨在限制。
27.除非另外定义，本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开内容作为其一部分的领域的普通技术人员通常理解的相同含义。术语(例如在常用词典中定义的那些术语)应解释为具有与其在相关领域的语境中的含义相符的含义，并且不应以理想化或过于形式的含义进行解释，除非在本文明确如此定义。
28.图1是根据实施方案的发光装置10的示意性横截面视图。
29.如图1中示出，根据实施方案的发光装置10可以包括：第一电极110；面对第一电极110的第二电极150；位于第一电极110与第二电极150之间的m个发射单元130-1、130-2、...和130-m；以及各自位于m个发射单元130-1、130-2、...和130-m中的两个相邻发射单元之间并且包括n-型电荷产生层134a-1、...或134a-m-1和p-型电荷产生层134b-1、...或134b-m-1的m-1个电荷产生单元134-1、...和134-m-1。
30.本文中的发射单元不受特别限制，只要发射单元具有能够发射光的功能即可。例如，发射单元可以包括一个或多于一个的发射层。当需要时，发射单元可以进一步包括除了发射层之外的有机层。
31.发光装置10可以包括m个堆叠的发射单元130-1、130-2、...和130-m，其中m可以是2或大于2的整数。例如，m可以是3或大于3的整数。发射单元的数量(m)可以根据目的而改变，并且数量的上限不受特别限制。在实施方案中，发光装置10可以包括2个、3个、4个、5个或6个发射单元。在一个或多于一个的实施方案中，发光装置10可以包括3个或4个发射单元。
32.发光装置10可以包括各自位于m个发射单元130-1、130-2、...和130-m中的两个相邻发射单元之间的电荷产生单元134-1、...和134-m-1。在此，术语“相邻”是指在被描述为“相邻”的层或单元中最接近的层或单元的位置关系。在实施方案中，“两个相邻发射单元”是指多个发射单元中彼此最接近定位的两个发射单元的位置关系。术语“相邻”可以是指其中两个层或单元彼此物理接触的情况以及其中未提及的另一个层或单元可以位于所述两个层或单元之间的情况。例如，“与第二电极相邻的发射单元”是指最接近第二电极定位的发射单元。此外，第二电极和与其相邻的发射单元可以物理接触。然而，在实施方案中，除了发射单元之外的其它层或单元可以位于第二电极和与其相邻的发射单元之间。在实施方案中，电子传输层可以位于第二电极和与其相邻的发射单元之间。然而，电荷产生单元可以位于两个相邻发射单元之间。
[0033]“电荷产生单元”可以相对于两个相邻发射单元中的一个产生电子以用作阴极，并且可以相对于两个相邻发射单元中的另一个产生空穴以用作阳极。在这点上，电荷产生单元可以使相邻发射单元彼此分开而不与电极直接接触。包括m个发射单元的发光装置可以包括m-1个电荷产生单元。
[0034]
在本发明构思的发光装置10中，电荷产生单元134-1、...和134-m-1中的每一个可以包括n-型电荷产生层134a-1、...或134a-m-1和p-型电荷产生层134b-1、...或134b-m-1。在此，n-型电荷产生层134a-1、...或134a-m-1可以直接接触p-型电荷产生层134b-1、...或134b-m-1以形成np结。由于np结，可以在n-型电荷产生层134a-1、...或134a-m-1与p-型电荷产生层134b-1、...或134b-m-1之间同时产生电子和空穴。产生的电子可以通过n-型电荷产生层134a-1、...或134a-m-1递送至两个相邻发射单元中的一个。产生的空穴可以通过p-型电荷产生层134b-1、...或134b-m-1递送至两个相邻发射单元中的另一个。此外，电荷产生单元134-1、...和134-m-1中的每一个可以包括一个n-型电荷产生层134a-1、...或134a-m-1和一个p-型电荷产生层134b-1、...或134b-m-1，使得包括m-1个电荷产生单元134-1、...和134-m-1的发光装置10可以包括m-1个n-型电荷产生层134a-1、...和134a-m-1以及m-1个p-型电荷产生层134b-1、...和134b-m-1。
[0035]
术语“n-型”是指n-型半导体特性，即，注入或传输电子的特性。术语“p-型”是指p-型半导体特性，即，注入或传输空穴的特性。
[0036]
包含在n-型电荷产生层134a-1、...或134a-m-1中的n-型电荷产生材料可以参考本说明书中的电子传输区的描述来理解，并且包含在p-型电荷产生层134b-1、...或134b-m-1中的p-型电荷产生材料可以参考本说明书中的空穴传输区的描述来理解。
[0037]
电荷产生单元134-1、...和134-m-1中的至少一个可以进一步包括位于n-型电荷
产生层134a-1、...或134a-m-1与p-型电荷产生层134b-1、...或134b-m-1之间的中间层(未示出)。中间层可以防止包含在n-型电荷产生层134a-1、...或134a-m-1中的材料扩散进入p-型电荷产生层134b-1、...或134b-m-1中。包含在中间层中的材料不受限制，只要能够执行上述作用即可，但可以具体是选自有机化合物、无机半导体化合物和无机绝缘体化合物的化合物。更具体地，包含在中间层中的材料可以是有机绝缘体化合物，例如稍后将描述的p-掺杂剂。
[0038]
m个发射单元130-1、130-2、...和130-m中的每一个可以包括空穴传输区131-1、131-2、...或131-m、发射层132-1、132-2、...或132-m以及电子传输区133-1、133-2、...或133-m。包括在m个发射单元130-1、130-2、...和130-m中的m个空穴传输区131-1、131-2、...和131-m可以各自包含空穴传输材料，并且包括在m个发射单元130-1、130-2、...和130-m中的m个电子传输区133-1、133-2、...和133-m可以各自包含电子传输材料。
[0039]
在这点上，包含在m个空穴传输区131-1、131-2、...和131-m中的空穴传输材料可以彼此相同或不同。在这点上，包含在m个电子传输区133-1、133-2、...和133-m中的电子传输材料可以彼此相同或不同。
[0040]
在实施方案中，空穴传输区131-1、131-2、...和131-m可以各自包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合，并且电子传输区133-1、133-2、...和133-m可以各自包括缓冲层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
[0041]
m个发射层132-1、132-2、...和132-m中的至少一个可以包括彼此接触的第一发射层132a-1和第二发射层132b-1。
[0042]
图1示出了其中m个发射单元130-1、130-2、...和130-m中的仅一个包括第一发射层132a-1和第二发射层132b-1的发光装置10的实施方案，并且更具体地，示出了其中与第一电极110相邻的发射单元130-1的发射层132-1包括第一发射层132a-1和第二发射层132b-1的发光装置10。然而，如稍后描述，各种修改是可用的。即，在图1中，第一发射层132a-1和第二发射层132b-1被包括在第一发射单元130-1中，并且第一发射单元130-1位于第一电极110与第一电荷产生单元134-1之间。
[0043]
此外，图1示出了其中第一发射层132a-1比第二发射层132b-1更靠近第一电极110定位的发光装置10的实施方案。然而，第一发射层132a-1和第二发射层132b-1的堆叠顺序可以改变。即，在一个或多于一个的实施方案中，第一发射层132a-1可以比第二发射层132b-1更靠近第二电极150定位。
[0044]
例如，m个发射层132-1、132-2、
…
和132-m中的包括第一发射层132a-1和第二发射层132b-1的至少一个发射层132-1可以包括：位于第一电极110与第二电极150之间的第一发射层132a-1以及位于第一发射层132a-1与第二电极150之间的第二发射层132b-1(参见图1)；或者位于第一电极110与第二电极150之间的第一发射层132a-1以及位于第一电极110与第一发射层132a-1之间的第二发射层132b-1(未示出)。
[0045]
在实施方案中，第一发射层132a-1可以包含第一主体、第二主体和第一掺杂剂，并且第二发射层132b-1可以包含第三主体、第四主体和第二掺杂剂，其中第一主体和第二主体可以形成第一激基复合物，第三主体和第四主体可以形成第二激基复合物，第一掺杂剂可以是延迟荧光掺杂剂，并且第二掺杂剂可以是磷光掺杂剂。
[0046]
第一主体和第三主体可以各自是空穴传输主体，并且第二主体和第四主体可以各
自是电子传输主体。
[0047]
在实施方案中，第一主体和第三主体可以各自独立地由式1表示：
[0048]
式1
[0049][0050]
在式1中，
[0051]
x
11
可以是o、s或n(r
13
)，
[0052]a11
和a
12
可以各自彼此独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0053]r11
至r
13
可以各自独立地是*-(l
11
)
a11-r
14
、氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)，其中r
11
至r
13
中的至少一个可以是*-(l
11
)
a11-r
14
，*表示与相邻原子的结合位点，
[0054]
b11和b12可以各自独立地是1至6的整数，
[0055]
l
11
可以是未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
1-c
60
杂环基团，
[0056]
a11可以是0至5的整数，
[0057]r14
可以是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)，
[0058]r10a
可以是：
[0059]
氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
[0060]
各自未取代的或者被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其任意组合取代的c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团或c
1-c
60
烷氧基基团；
[0061]
各自未取代的或者被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c
(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团或c
6-c
60
芳硫基基团；或者
[0062]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，以及
[0063]
q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可以各自独立地是：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基基团；氰基基团；硝基基团；c
1-c
60
烷基基团；c
2-c
60
烯基基团；c
2-c
60
炔基基团；c
1-c
60
烷氧基基团；或者各自未取代的或者被氘、-f、氰基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团。
[0064]
在实施方案中，第二主体和第四主体可以各自独立地由式3表示：
[0065]
式3
[0066][0067]
在式3中，
[0068]
x
31
可以是n或c(r
31
)；x
32
可以是n或c(r
32
)；x
33
可以是n或c(r
33
)；x
34
可以是n或c(r
34
)；x
35
可以是n或c(r
35
)；并且x
36
可以是n或c(r
36
)，
[0069]
x
31
至x
36
中的至少一个可以是n，
[0070]r31
至r
36
可以各自独立地是*-(l
31
)
a31-r
37
、氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)，其中r
31
至r
36
中的至少一个可以是*-(l
31
)
a31-r
37
，*表示与相邻原子的结合位点，
[0071]
l
31
可以是未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
1-c
60
杂环基团，
[0072]
a31可以是0至5的整数，
[0073]r37
可以是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)，
[0074]r10a
可以是：
[0075]
氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
[0076]
各自未取代的或者被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)
(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其任意组合取代的c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团或c
1-c
60
烷氧基基团；
[0077]
各自未取代的或者被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团或c
6-c
60
芳硫基基团；或者
[0078]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，以及
[0079]
q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可以各自独立地是：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基基团；氰基基团；硝基基团；c
1-c
60
烷基基团；c
2-c
60
烯基基团；c
2-c
60
炔基基团；c
1-c
60
烷氧基基团；或者各自未取代的或者被氘、-f、氰基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团。
[0080]
详细地，第一主体和第三主体可以各自独立地是mcp、ocbp、dcdpa或t-dcdba：
[0081][0082]
详细地，第二主体和第四主体可以各自独立地是bm-a10、po-t2t、dbftrz或b3pympm：
[0083][0084]
考虑到第一发射层132a-1发射延迟荧光并且第二发射层132b-1发射磷光，发射层132-1的内部量子效率可以理论上是100％。详细地，第一发射层132a-1和第二发射层132b-1中的每一个的内部量子效率可以理论上是50％。
[0085]
第一掺杂剂可以参考稍后将描述的延迟荧光材料的描述来理解，并且第二掺杂剂可以参考稍后将描述的磷光掺杂剂的描述来理解。详细地，第一掺杂剂可以包括稍后将描述的由式2表示的稠合环状化合物，并且第二掺杂剂可以包括稍后将描述的由式401表示的有机金属化合物。
[0086]
在实施方案中，第一掺杂剂和第二掺杂剂可以发射彼此不同颜色的光。在这点上，第一发射层132a-1可以发射第一颜色光，并且第二发射层132b-1可以发射第二颜色光，其中第一颜色光和第二颜色光可以彼此不同。在一个或多于一个的实施方案中，第一掺杂剂可以发射具有比第二掺杂剂更短的最大发射波长的光。在一个或多于一个的实施方案中，第一掺杂剂可以发射蓝色光，并且第二掺杂剂可以发射绿色光或红色光。在一个或多于一个的实施方案中，第一掺杂剂可以发射蓝色光，并且第二掺杂剂可以发射绿色光。
[0087]
在实施方案中，第一激基复合物的最低激发三重态能级(t1(ex1))和第二激基复合物的最低激发三重态能级(t1(ex2))可以各自大于2.7ev。当第一激基复合物和第二激基复合物的最低激发三重态能级满足以上描述的条件时，第一激基复合物和第二激基复合物的一些三重态激子可以通过德克斯特(dexter)能量转移分别转移至第一掺杂剂的三重态和第二掺杂剂的三重态。在第一掺杂剂的三重态激子通过反向系间窜越(risc)转换成单重态之后，可以发射延迟荧光，并且第二掺杂剂可以发射磷光。因此，发光装置10可以具有改善的发光效率。
[0088]
在实施方案中，第一激基复合物的最低激发单重态能级可以高于第一掺杂剂的最低激发单重态能级，并且第二激基复合物的最低激发单重态能级可以高于第二掺杂剂的最
低激发单重态能级。因此，第一掺杂剂的单重态能量不会移动至第一激基复合物的单重态能级，而第一激基复合物的单重态能量可以容易地转移至具有比第一激基复合物更低的单重态能级的第一掺杂剂。同样，第二激基复合物的单重态能量可以容易地转移至具有比第二激基复合物更低的单重态能级的第二掺杂剂。因此，由于通过第一掺杂剂和第二掺杂剂产生单重态激子的概率可能增加，因此第一掺杂剂可以通过荧光发射机制有效地使用单重态激子用于光发射，并且将单重态能量转移回三重态能量的第二掺杂剂可以通过磷光发射机制有效地使用三重态激子用于光发射。因此，发光装置10可以具有改善的内部量子效率。
[0089]
在实施方案中，第一主体和第三主体可以彼此相同，并且第二主体和第四主体可以彼此相同。在这点上，德克斯特能量可以容易地从第一发射层132a-1的第一激基复合物转移至第二发射层132b-1的第二激基复合物，从而改善第二发射层132b-1的发光效率。此外，与以上描述的实施方案相反的情况也是可用的。
[0090]
此外，在根据实施方案的发光装置10中，从第一发射层132a-1和第二发射层132b-1发射的光的强度可以根据电流密度的增加或降低而成比例地增加或降低，并且因此发光装置10可以具有从发光装置10发射的光的色度的小的变化，从而具有优异的颜色纯度。
[0091]
在实施方案中，基于100重量份的第一发射层132a-1，第一发射层132a-1中的第一掺杂剂的量可以是约0.01重量份至约5重量份。
[0092]
在实施方案中，基于100重量份的第二发射层132b-1，第二发射层132b-1中的第二掺杂剂的量可以是约0.01重量份至约30重量份。
[0093]
第一发射层132a-1和第二发射层132b-1中的每一个的厚度可以是约至约例如约至约当第一发射层132a-1和第二发射层132b-1中的每一个的厚度在这些范围内时，可以获得优异的发光特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0094]
在实施方案中，从m个发射单元130-1、130-2、...和130-m中的至少一个发射的光的最大发射波长可以与从剩余的m个发射单元中的至少一个发射的光的最大发射波长不同。由于第一发射单元130-1的发射层132-1具有如以上描述的多层结构，从第一发射单元130-1发射的光可以是混合颜色光，并且更具体地，第一发射单元130-1可以具有含至少两个峰的发射光谱。此外，第二发射单元130-2和第m个发射单元130-m的每个发射层132-2和132-m可以各自独立地具有i)由由单一材料构成的单个层构成的单层结构，ii)由由多种不同材料构成的单个层构成的单层结构，或者iii)具有由多种不同材料构成的多个层的多层结构。因此，从第二发射单元130-2和第m个发射单元130-m发射的光可以是单一颜色光或混合颜色光。在实施方案中，从第二发射单元130-2发射的光的最大发射波长可以与从第m个发射单元130-m发射的光的最大发射波长相同，但可以与从第一发射单元130-1发射的光的最大发射波长不同。在一个或多于一个的实施方案中，从第一发射单元130-1发射的光的最大发射波长、从第二发射单元130-2发射的光的最大发射波长和从第m个发射单元130-m发射的光的最大发射波长可以彼此不同。
[0095]
在实施方案中，分别包括在m-1个发射单元130-2、...和130-m中的m-1个发射层132-2、...和132-m可以各自独立地包含磷光掺杂剂、荧光掺杂剂、延迟荧光材料或其任意组合。
[0096]
在一个或多于一个的实施方案中，m-1个发射层132-2、...和132-m可以全部包含：磷光掺杂剂；荧光掺杂剂；或延迟荧光材料。
[0097]
在一个或多于一个的实施方案中，m-1个发射层132-2、...和132-m中的至少一个可以包含磷光掺杂剂，并且剩余的发射层可以包含荧光掺杂剂。在一个或多于一个的实施方案中，m-1个发射层132-2、...和132-m中的至少一个可以包含磷光掺杂剂，并且剩余的发射层可以包含延迟荧光材料。在一个或多于一个的实施方案中，m-1个发射层132-2、...和132-m中的至少一个可以包含荧光掺杂剂，并且剩余的发射层可以包含延迟荧光材料。
[0098]
在一个或多于一个的实施方案中，m-1个发射层132-2、...132-m中的至少一个可以包含磷光掺杂剂，剩余的发射层中的至少一个可以包含荧光掺杂剂，并且剩余的发射层可以包含延迟荧光材料。
[0099]
例如，包含在m-1个发射层132-2、...和132-m中的所有掺杂剂可以彼此相同或不同。
[0100]
在实施方案中，m可以是3或大于3的整数。
[0101]
在发光装置10中，m可以是3或4。
[0102]
特别地，当m是4并且考虑到第一发射单元130-1包括如以上描述的多层发射层132-1时，从第一发射单元130-1发射的光可以各自是混合颜色光，并且从第二发射单元130-2和第三发射单元(未示出)发射的光可以各自发射蓝色荧光，并且第四发射单元130-m可以发射绿色荧光。
[0103]
在实施方案中，第一电极110可以是阳极，并且第二电极150可以是阴极。
[0104]
[第一电极110]
[0105]
在图1中，衬底可以额外地位于第一电极110下或第二电极150上。在实施方案中，对于衬底，可以使用玻璃衬底或塑料衬底。在一个或多于一个的实施方案中，衬底可以是柔性衬底，并且例如，可以包含具有优异的耐热性和耐久性的塑料，例如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(par)、聚醚酰亚胺或其任意组合。
[0106]
可以通过例如在衬底上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成第一电极110。当第一电极110是阳极时，用于形成第一电极110的材料可以是促进空穴注入的高功函数材料。
[0107]
第一电极110可以是反射电极、半透反射电极或透射电极。在实施方案中，当第一电极110是透射电极时，用于形成第一电极110的材料可以包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)或其任意组合。在一个或多于一个的实施方案中，当第一电极110是半透反射电极或反射电极时，用于形成第一电极110的材料可以包括镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)或其任意组合。
[0108]
第一电极110可以具有由单个层构成的单层结构或者包括多个层的多层结构。例如，第一电极110可以具有ito/ag/ito的三层结构。
[0109]
[中间层130]
[0110]
中间层130位于第一电极110上。中间层130可以包括发射层132-1、132-2、...和132-m。
[0111]
中间层130可以包括分别在第一电极110与每个发射层132-1、132-2、...和132-m之间的空穴传输区131-1、131-2、...和131-m，以及分别在每个发射层132-1、132-2、...和132-m与第二电极150之间的电子传输区133-1、133-2、...和133-m。
[0112]
除了各种有机材料之外，中间层130可以进一步包含含金属的化合物(例如有机金属化合物)、无机材料(例如量子点)等。
[0113]
在实施方案中，如以上描述，中间层130可以包括i)依次堆叠在第一电极110与第二电极150之间的两个或多于两个的发射单元，以及ii)位于两个发射单元之间的电荷产生单元。当中间层130包括如以上描述的发射单元和电荷产生单元时，发光装置10可以是串联发光装置(参见图1)。
[0114]
[中间层130中的空穴传输区131-1、131-2、...或131-m]
[0115]
空穴传输区131-1、131-2、
…
或131-m可以具有：i)由由单一材料构成的单个层构成的单层结构，ii)由由多种不同材料构成的单个层构成的单层结构，或者iii)包括包含不同材料的多个层的多层结构。
[0116]
空穴传输区131-1、131-2、...和131-m中的多层空穴传输层可以具有以上描述的层配置。
[0117]
不包括多层空穴传输层的空穴传输区131-1可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合。
[0118]
例如，空穴传输区可以是不包括多层空穴传输层的空穴传输区131-1并且可以具有多层结构，例如空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构，其中每种结构的构成层从第一电极110按规定的顺序依次堆叠。
[0119]
空穴传输区131-1、131-2、...或131-m可以包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合：
[0120]
式201
[0121][0122]
式202
[0123][0124]
在式201和式202中，
[0125]
l
201
至l
204
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
1-c
60
杂环基团，
[0126]
l
205
可以是*-o-*'、*-s-*'、*-n(q
201
)-*'、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
亚烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
20
亚烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
3-c
60
碳环基团、或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
1-c
60
杂环基团，*和*'可以各自表示与相邻原子的结合位点，
[0127]
xa1至xa4可以各自独立地是0至5的整数，
[0128]
xa5可以是1至10的整数，
[0129]r201
至r
204
和q
201
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0130]r201
和r
202
可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团(例如，咔唑基团等)(例如，化合物ht16)，
[0131]r203
和r
204
可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团，以及
[0132]
na1可以是1至4的整数，r
10a
可以与本说明书中描述的相同。
[0133]
例如，式201和式202中的每一个可以包含由式cy201至式cy217表示的基团中的至少一种:
[0134][0135]
在式cy201至式cy217中，r
10b
和r
10c
可以各自与关于r
10a
描述的相同，环cy
201
至环cy
204
可以各自独立地是c
3-c
20
碳环基团或c
1-c
20
杂环基团，并且式cy201至式cy217中的至少一个氢可以是未取代的或被r
10a
取代，r
10a
可以与本说明书中描述的相同。
[0136]
在实施方案中，式cy201至式cy217中的环cy
201
至环cy
204
可以各自独立地是苯基团、萘基团、菲基团或蒽基团。
[0137]
在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以包含由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一种。
[0138]
在一个或多于一个的实施方案中，式201可以包含由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一种以及由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一种。
[0139]
在一个或多于一个的实施方案中，在式201中，xa1可以是1，r
201
可以是由式cy201至式cy203中的一种表示的基团，xa2可以是0，并且r
202
可以是由式cy204至式cy207中的一
种表示的基团。
[0140]
在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式cy201至式cy203表示的基团。
[0141]
在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式cy201至式cy203表示的基团，并且可以包含由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一种。
[0142]
在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式cy201至式cy217表示的基团。
[0143]
例如，空穴传输区131-1、131-2、...或131-m可以包含化合物ht1至化合物ht44、m-mtdata、tdata、2-tnata、npb(npd)、β-npb、tpd、螺-tpd、螺-npb、甲基化-npb、tapc、hmtpd、4,4',4
”‑
三(n-咔唑基)三苯胺(tcta)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(pedot/pss)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(pani/pss)中的一种或其任意组合：
[0144]
[0145]
[0146]
[0147][0148]
空穴传输区131-1、131-2、...或131-m的厚度可以是约至约例如，约至约当空穴传输区131-1、131-2、...或131-m包括空穴注入层、空穴传输层或其任意组合时，空穴注入层的厚度可以是约至约例如约至约并且空穴传输层的厚度可以是约至约例如约至约当空穴传输区131-1、131-2、...或131-m，空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的空穴传输特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0149]
发射辅助层可以通过根据由发射层发射的光的波长补偿光学共振距离来增加光发射效率，并且电子阻挡层可以阻挡来自电子传输区的电子的流动。发射辅助层和电子阻挡层可以包含如以上描述的材料。
[0150]
[p-掺杂剂]
[0151]
除了这些材料之外，空穴传输区131-1、131-2、...或131-m可以进一步包含用于改善传导性质的电荷产生材料。电荷产生材料可以均匀地或非均匀地分散在空穴传输区131-1、131-2、...或131-m中(例如，以由电荷产生材料构成的单个层的形式)。
[0152]
电荷产生材料可以是例如p-掺杂剂。
[0153]
例如，p-掺杂剂的最低未占据分子轨道(lumo)能级可以是约-3.5ev或小于-3.5ev。
[0154]
在实施方案中，p-掺杂剂可以包括醌衍生物、含氰基基团的化合物、含有元素el1和元素el2的化合物或其任意组合。
[0155]
醌衍生物的实例是tcnq、f4-tcnq等。
[0156]
含氰基基团的化合物的实例是hat-cn、由式221表示的化合物等：
[0157][0158]
式221
[0159][0160]
在式221中，
[0161]r221
至r
223
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，r
10a
可以与本说明书中描述的相同，以及
[0162]r221
至r
223
中的至少一个可以各自独立地是各自被氰基基团；-f；-cl；-br；-i；被氰基基团、-f、-cl、-br、-i或其任意组合取代的c
1-c
20
烷基基团；或者其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团。
[0163]
含氰基基团的化合物可以是例如p-d1：
[0164][0165]
在含有元素el1和元素el2的化合物中，元素el1可以是金属、准金属或其任意组合，并且元素el2可以是非金属、准金属或其任意组合。
[0166]
金属的实例是：碱金属(例如，锂(li)、钠(na)、钾(k)、铷(rb)、铯(cs)等)；碱土金属(例如，铍(be)、镁(mg)、钙(ca)、锶(sr)、钡(ba)等)；过渡金属(例如，钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、钒(v)、铌(nb)、钽(ta)、铬(cr)、钼(mo)、钨(w)、锰(mn)、锝(tc)、铼(re)、铁(fe)、钌(ru)、锇(os)、钴(co)、铑(rh)、铱(ir)、镍(ni)、钯(pd)、铂(pt)、铜(cu)、银(ag)、金(au)等)；后过渡金属(例如，锌(zn)、铟(in)、锡(sn)等)；以及镧系金属(例如，镧(la)、铈(ce)、镨(pr)、钕(nd)、钷(pm)、钐(sm)、铕(eu)、钆(gd)、铽(tb)、镝(dy)、钬(ho)、铒(er)、铥(tm)、镱(yb)、镥(lu)等)。
[0167]
准金属的实例是硅(si)、锑(sb)、碲(te)等。
[0168]
非金属的实例是氧(o)、卤素(例如，f、cl、br、i等)等。
[0169]
含有元素el1和元素el2的化合物的实例是金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物、金属碘化物等)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物、准金属碘化物等)、金属碲化物或其任意组合。
[0170]
金属氧化物的实例是钨氧化物(例如，wo、w2o3、wo2、wo3、w2o5等)、钒氧化物(例如，vo、v2o3、vo2、v2o5等)、钼氧化物(例如，moo、mo2o3、moo2、moo3、mo2o5等)、铼氧化物(例如，reo3等)等。
[0171]
金属卤化物的实例是碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物、镧系金属卤化物等。
[0172]
碱金属卤化物的实例是lif、naf、kf、rbf、csf、licl、nacl、kcl、rbcl、cscl、libr、nabr、kbr、rbbr、csbr、lii、nai、ki、rbi、csi等。
[0173]
碱土金属卤化物的实例是bef2、mgf2、caf2、srf2、baf2、becl2、mgcl2、cacl2、srcl2、bacl2、bebr2、mgbr2、cabr2、srbr2、babr2、bei2、mgi2、cai2、sri2、bai2等。
[0174]
过渡金属卤化物的实例是钛卤化物(例如，tif4、ticl4、tibr4、tii4等)、锆卤化物(例如，zrf4、zrcl4、zrbr4、zri4等)、铪卤化物(例如，hff4、hfcl4、hfbr4、hfi4等)、钒卤化物(例如，vf3、vcl3、vbr3、vi3等)、铌卤化物(例如，nbf3、nbcl3、nbbr3、nbi3等)、钽卤化物(例如，taf3、tacl3、tabr3、tai3等)、铬卤化物(例如，crf3、crcl3、crbr3、cri3等)、钼卤化物(例如，mof3、mocl3、mobr3、moi3等)、钨卤化物(例如，wf3、wcl3、wbr3、wi3等)、锰卤化物(例如，mnf2、
mncl2、mnbr2、mni2等)、锝卤化物(例如，tcf2、tccl2、tcbr2、tci2等)、铼卤化物(例如，ref2、recl2、rebr2、rei2等)、铁卤化物(例如，fef2、fecl2、febr2、fei2等)、钌卤化物(例如，ruf2、rucl2、rubr2、rui2等)、锇卤化物(例如，osf2、oscl2、osbr2、osi2等)、钴卤化物(例如，cof2、cocl2、cobr2、coi2等)、铑卤化物(例如，rhf2、rhcl2、rhbr2、rhi2等)、铱卤化物(例如，irf2、ircl2、irbr2、iri2等)、镍卤化物(例如，nif2、nicl2、nibr2、nii2等)、钯卤化物(例如，pdf2、pdcl2、pdbr2、pdi2等)、铂卤化物(例如，ptf2、ptcl2、ptbr2、pti2等)、铜卤化物(例如，cuf、cucl、cubr、cui等)、银卤化物(例如，agf、agcl、agbr、agi等)、金卤化物(例如，auf、aucl、aubr、aui等)等。
[0175]
后过渡金属卤化物的实例是锌卤化物(例如，znf2、zncl2、znbr2、zni2等)、铟卤化物(例如，ini3等)、锡卤化物(例如，sni2等)等。
[0176]
镧系金属卤化物的实例是ybf、ybf2、ybf3、smf3、ybcl、ybcl2、ybcl3、smcl3、ybbr、ybbr2、ybbr3、smbr3、ybi、ybi2、ybi3、smi3等。
[0177]
准金属卤化物的实例是锑卤化物(例如，sbcl5等)等。
[0178]
金属碲化物的实例是碱金属碲化物(例如，li2te、na2te、k2te、rb2te、cs2te等)、碱土金属碲化物(例如，bete、mgte、cate、srte、bate等)、过渡金属碲化物(例如，tite2、zrte2、hfte2、v2te3、nb2te3、ta2te3、cr2te3、mo2te3、w2te3、mnte、tcte、rete、fete、rute、oste、cote、rhte、irte、nite、pdte、ptte、cu2te、cute、ag2te、agte、au2te等)、后过渡金属碲化物(例如，znte等)、镧系金属碲化物(例如，late、cete、prte、ndte、pmte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute等)等。
[0179]
[中间层130中的发射层132-1、132-2、
…
或132-m]
[0180]
发射层132-1、132-2、
…
或132-m可以与本文描述的相同。
[0181]
除非在以上描述中另外定义，发射层132-1、132-2、...或132-m可以包含主体和掺杂剂。在这点上，掺杂剂可以包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂、延迟荧光材料或其任意组合。
[0182]
除非在以上描述中另外定义，基于100重量份的主体，发射层132-1、132-2、...或132-m中的掺杂剂的量可以是约0.01重量份至约15重量份。
[0183]
在实施方案中，发射层132-1、132-2、
…
或132-m可以包含量子点。
[0184]
在一个或多于一个的实施方案中，发射层132-1、132-2、
…
或132-m可以包含延迟荧光材料。延迟荧光材料可以用作发射层132-1、132-2、
…
或132-m中的主体或掺杂剂。
[0185]
发射层132-1、132-2、
…
或132-m的厚度可以是约至约至约例如，约至约当发射层132-1、132-2、
…
或132-m的厚度在这些范围内时，可以获得优异的发光特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0186]
[主体]
[0187]
在实施方案中，主体可以进一步包括由式301表示的化合物：
[0188]
式301
[0189]
[ar
301
]
xb11-[(l
301
)
xb1-r
301
]
xb21
[0190]
其中，在式301中，
[0191]
ar
301
可以是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，l
301
可以是未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
1-c
60
杂环基团，
[0192]
xb11可以是1、2或3，
[0193]
xb1可以是0至5的整数，
[0194]r301
可以是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
301
)(q
302
)(q
303
)、-n(q
301
)(q
302
)、-b(q
301
)(q
302
)、-c(＝o)(q
301
)、-s(＝o)2(q
301
)或-p(＝o)(q
301
)(q
302
)，
[0195]
xb21可以是1至5的整数，以及
[0196]q301
至q
303
可以各自与关于q1描述的相同，r
10a
可以与本说明书中描述的相同。
[0197]
例如，当式301中的xb11是2或大于2时，两个或多于两个的ar
301
可以经由单键连接在一起。
[0198]
在一个或多于一个的实施方案中，主体可以包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其任意组合：
[0199]
式301-1
[0200][0201]
式301-2
[0202][0203]
在式301-1和式301-2中，
[0204]
环a
301
至环a
304
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0205]
x
301
可以是o、s、n[(l
304
)
xb4-r
304
]、c(r
304
)(r
305
)或si(r
304
)(r
305
)，
[0206]
xb22和xb23可以各自独立地是0、1或2，
[0207]
l
301
、r
10a
、xb1和r
301
可以各自与本文描述的相同，
[0208]
l
302
至l
304
可以各自独立地与关于l
301
描述的相同，
[0209]
xb2至xb4可以各自独立地与关于xb1描述的相同，以及
[0210]r302
至r
305
以及r
311
至r
314
可以各自与关于r
301
描述的相同。
[0211]
在一个实施方案中，主体可以包括碱土金属络合物。例如，主体可以包括be络合物(例如，化合物h55)、mg络合物、zn络合物或其任意组合。
[0212]
在一个或多于一个的实施方案中，主体可以包括化合物h1至化合物h126、9,10-二(2-萘基)蒽(adn)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(madn)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(tbadn)、4,4'-双(n-咔唑基)-1,1'-联苯(cbp)、1,3-二(9-咔唑基)苯(mcp)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(tcp)、2,2',2
”‑
(1,3,5-苯三基)-三(1-苯基-1-h-苯并咪唑)(tpbi)中的一种或其任意组合，但本发明构思不限于此：
[0213]
[0214]
[0215]
[0216]
[0217]
[0218][0219]
[磷光掺杂剂]
[0220]
在实施方案中，磷光掺杂剂可以包含至少一种过渡金属作为中心金属。
[0221]
磷光掺杂剂可以包含单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任意组合。
[0222]
磷光掺杂剂可以是电中性的。
[0223]
在一个或多于一个的实施方案中，磷光掺杂剂可以包括由式401表示的有机金属化合物：
[0224]
式401
[0225]
m(l
401
)
xc1
(l
402
)
xc2
[0226]
式402
[0227]
[0228]
在式401和式402中，
[0229]
m可以是过渡金属(例如，铱(ir)、铂(pt)、钯(pd)、锇(os)、钛(ti)、金(au)、铪(hf)、铕(eu)、铽(tb)、铑(rh)、铼(re)或铥(tm))，
[0230]
l
401
可以是由式402表示的配体，并且xc1可以是1、2或3，其中当xc1是2或大于2时，两个或多于两个的l
401
可以彼此相同或不同，
[0231]
l
402
可以是有机配体，并且xc2可以是0、1、2、3或4，其中当xc2是2或大于2时，两个或多于两个的l
402
可以彼此相同或不同，
[0232]
x
401
和x
402
可以各自独立地是氮或碳，
[0233]
环a
401
和环a
402
可以各自独立地是c
3-c
60
碳环基团或者c
1-c
60
杂环基团，
[0234]
t
401
可以是单键、*-o-*'、*-s-*'、*-c(＝o)-*'、*-n(q
411
)-*'、*-c(q
411
)(q
412
)-*'、*-c(q
411
)＝c(q
412
)-*'、*-c(q
411
)＝*'或*＝c＝*'，
[0235]
x
403
和x
404
可以各自独立地是化学键(例如，共价键或配位键)、o、s、n(q
413
)、b(q
413
)、p(q
413
)、c(q
413
)(q
414
)或si(q
413
)(q
414
)，
[0236]q411
至q
414
可以各自与关于q1描述的相同，
[0237]r401
和r
402
可以各自独立地是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
401
)(q
402
)(q
403
)、-n(q
401
)(q
402
)、-b(q
401
)(q
402
)、-c(＝o)(q
401
)、-s(＝o)2(q
401
)或-p(＝o)(q
401
)(q
402
)，
[0238]q401
至q
403
可以各自与关于q1描述的相同，r
10a
可以与本说明书中描述的相同,
[0239]
xc11和xc12可以各自独立地是0至10的整数，以及
[0240]
式402中的*和*'各自表示与式401中的m的结合位点。
[0241]
例如，在式402中，i)x
401
可以是氮，并且x
402
可以是碳，或ii)x
401
和x
402
中的每一个可以是氮。
[0242]
在实施方案中，当式401中的xc1是2或大于2时，两个或多于两个的l
401
中的两个环a
401
可以任选地经由作为连接基团的t
402
彼此连接，并且两个环a
402
可以任选地经由作为连接基团的t
403
彼此连接(参见化合物pd1至化合物pd4和化合物pd7)。t
402
和t
403
可以各自与关于t
401
描述的相同。
[0243]
在式401中，l
402
可以是有机配体。例如，l
402
可以包括卤素基团、二酮基团(例如，乙酰丙酮酸酯基团)、羧酸基团(例如，吡啶甲酸酯基团)、-c(＝o)、异腈基团、-cn、含磷的基团(例如，膦基团、亚磷酸酯基团等)或其任意组合。
[0244]
磷光掺杂剂可以包括，例如，化合物pd1至化合物pd25中的一种或其任意组合：
[0245][0246][0247]
[荧光掺杂剂]
[0248]
荧光掺杂剂可以包括含胺基团的化合物、含苯乙烯基基团的化合物或其任意组合。
[0249]
例如，荧光掺杂剂可以包括由式501表示的化合物：
[0250]
式501
[0251][0252]
在式501中，
[0253]
ar
501
、r
501
和r
502
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，l
501
至l
503
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的二
价c
1-c
60
杂环基团，r
10a
可以与本说明书中描述的相同，
[0254]
xd1至xd3可以各自独立地是0、1、2或3，以及
[0255]
xd4可以是1、2、3、4、5或6。
[0256]
例如，式501中的ar
501
可以是其中三个或多于三个的单环基团稠合在一起的稠合环状基团(例如，蒽基团、基团、芘基团等)。
[0257]
例如，式501中的xd4可以是2。
[0258]
在实施方案中，荧光掺杂剂可以包括：化合物fd1至化合物fd37；dpvbi；dpavbi中的一种；或其任意组合：
[0259]
[0260]
[0261][0262]
[延迟荧光材料]
[0263]
在本说明书中，延迟荧光材料可以选自能够通过延迟荧光发射机制发射延迟荧光的化合物。
[0264]
根据包含在发射层中的其它材料的类型，包含在发射层中的延迟荧光材料可以充当主体或掺杂剂。
[0265]
详细地，包含在发射层132-1、132-2、...或132-m中的延迟荧光材料可以用作掺杂剂。
[0266]
在实施方案中，延迟荧光材料的三重态能级(ev)与延迟荧光材料的单重态能级(ev)之间的差可以是约0ev以上且约0.5ev以下。当延迟荧光材料的三重态能级(ev)与延迟荧光材料的单重态能级(ev)之间的差满足在上述范围内时，可以有效地发生延迟荧光材料的从三重态至单重态的向上转换，从而改善发光装置10的发光效率等。
[0267]
例如，延迟荧光材料可以包括：i)包含至少一个电子供体(例如，富π电子的c
3-c
60
环状基团等，例如咔唑基团)和至少一个电子受体(例如，亚砜基团、氰基基团、含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团等)的材料；以及ii)包含其中两个或多于两个的环状基团稠合同时共用硼(b)的c
8-c
60
多环基团的材料。
[0268]
例如，延迟荧光材料可以包括由式2表示的稠合环状化合物：
[0269]
式2
[0270][0271]
在式2中，
[0272]a21
至a
23
可以各自独立地是c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团，
[0273]
x
21
至x
23
可以各自独立地是o、s、n(r
24
)、c(r
24
)(r
25
)或si(r
24
)(r
25
)，
[0274]
n2可以是0或1，其中，当n2是0时，a
21
和a
22
可以彼此不连接，
[0275]r21
至r
25
可以各自独立地是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳硫基基团、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)，
[0276]
c21至c23可以各自独立地是1至6的整数，
[0277]r10a
可以与本文描述的相同，以及
[0278]
q1至q3可以各自独立地是：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基基团；氰基基团；硝基基团；c
1-c
60
烷基基团；c
2-c
60
烯基基团；c
2-c
60
炔基基团；c
1-c
60
烷氧基基团；或者各自未取代的或者被氘、-f、氰基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团。
[0279]
在实施方案中，式2中的a
21
至a
23
可以各自独立地是苯基团、萘基团、蒽基团、菲基团、苯并菲基团、芘基团、基团、环戊二烯基团、1,2,3,4-四氢萘基团、噻吩基团、呋喃基团、硒酚基团、吲哚基团、苯并硼杂环戊二烯基团、苯并磷杂环戊二烯基团、茚基团、苯并噻咯基团、苯并锗杂环戊二烯基团、苯并噻吩基团、苯并硒吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并硼杂环戊二烯基团、二苯并磷杂环戊二烯基团、芴基团、二苯并噻咯基团、二苯并锗杂环戊二烯基团、二苯并噻吩基团、二苯并硒吩基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩5-氧化物基团、9h-芴-9-酮基团、二苯并噻吩5,5-二氧化物基团、氮杂吲哚基团、氮杂苯并硼杂环戊二烯基团、氮杂苯并磷杂环戊二烯基团、氮杂茚基团、氮杂苯并噻咯基团、氮杂苯并锗杂环戊二烯基团、氮杂苯并噻吩基团、氮杂苯并硒吩基团、氮杂苯并呋喃基团、氮杂咔唑基团、氮杂二苯并硼杂环戊二烯基团、氮杂二苯并磷杂环戊二烯基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并锗杂环戊二烯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并硒吩基团、氮杂二苯并呋喃基团、氮杂二苯并噻吩5-氧化物基团、氮杂-9h-芴-9-酮基团、氮杂二苯并噻吩5,5-二氧化物基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉
基团、喹喔啉基团、喹唑啉基团、菲咯啉基团、吡咯基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噁二唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并噁二唑基团、苯并噻二唑基团、5,6,7,8-四氢异喹啉基团或5,6,7,8-四氢喹啉基团。
[0280]
在实施方案中，由式2表示的稠合环状化合物可以具有约0ev至约3.0ev，例如约0ev至约0.2ev的δe
st
。因此，稠合环状化合物可以通过延迟荧光发射机制使用三重态激子用于光发射。在这点上，第一发射层132a-1的内部量子效率可以大于荧光的最大内部量子效率(25％)。
[0281]
在实施方案中，由于由式2表示的稠合环状化合物具有几何形状的小变化，所以它具有小的斯托克斯位移特性，使得其半峰全宽(fwhm)可以是小的。例如，稠合环状化合物的fwhm可以是约5nm至约35nm。稠合环状化合物的fwhm可以是从稠合环状化合物的电致发光(el)光谱获得的值。因此，通过包含稠合环状化合物作为掺杂剂，发光装置10可以具有改善的颜色纯度。
[0282]
例如，延迟荧光材料可以包括由式2-1表示的稠合环状化合物：
[0283]
式2-1
[0284][0285]
在式2-1中，
[0286]
x
22
和x
23
可以各自独立地是o、s或n(r
24
)，
[0287]r21
至r
24
可以各自与式2中描述的相同，
[0288]
c21和c22可以各自独立地是1至4的整数，以及
[0289]
c23可以是1至3的整数。
[0290]
延迟荧光材料的实例是化合物df1至化合物df9中的至少一种：
[0291][0292]
[量子点]
[0293]
如本文使用的术语“量子点”是指半导体化合物的晶体，并且可以包括根据晶体的尺寸能够发射各种发射波长的光的任何材料。
[0294]
量子点的直径可以是例如约1nm至约10nm。
[0295]
可以通过湿法化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或与其类似的任何工艺合成量子点。
[0296]
湿法化学工艺是包括将前体材料与有机溶剂混合并且然后生长量子点颗粒晶体的方法。当晶体生长时，有机溶剂自然地充当配位在量子点晶体的表面上的分散剂并且控制晶体的生长，使得量子点颗粒的生长可以通过比气相沉积方法(例如金属有机化学气相沉积(mocvd)或分子束外延(mbe))更便宜且更容易的工艺来控制。
[0297]
量子点可以包括：ii-vi族半导体化合物；iii-v族半导体化合物；iii-vi族半导体化合物；i-iii-vi族半导体化合物；iv-vi族半导体化合物；iv族元素或化合物；或者其任意组合。
[0298]
ii-vi族半导体化合物的实例是：二元化合物，例如cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse、mgs等；三元化合物，例如cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse、mgzns等；四元化合物，例如cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、
cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete、hgznste等；或者其任意组合。
[0299]
iii-v族半导体化合物的实例是二元化合物，例如gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb等；三元化合物，例如ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、inalp、innas、innsb、inpas、inpsb等；四元化合物，例如gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb等；或者其任意组合。iii-v族半导体化合物可以进一步包含ii族元素。进一步包含ii族元素的iii-v族半导体化合物的实例是inznp、ingaznp、inalznp等。
[0300]
iii-vi族半导体化合物的实例是：二元化合物，例如gas、gase、ga2se3、gate、ins、inse、in2s3、in2se3、inte等；三元化合物，例如ingas3、ingase3等；或者其任意组合。
[0301]
i-iii-vi族半导体化合物的实例是：三元化合物，例如agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2、agalo2等；或者其任意组合。
[0302]
iv-vi族半导体化合物的实例是：二元化合物，例如sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte等；三元化合物，例如snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte等；四元化合物，例如snpbsse、snpbsete、snpbste等；或者其任意组合。
[0303]
iv族元素或化合物可以包括：单一元素，例如si、ge等；二元化合物，例如sic、sige等；或者其任意组合。
[0304]
包含在多元素化合物(例如二元化合物、三元化合物和四元化合物)中的每种元素可以以均匀的浓度或非均匀的浓度存在于其颗粒中。
[0305]
量子点可以具有单一结构或核-壳双结构。在量子点具有单一结构的情况下，包含在相应量子点中的每种元素的浓度可以是均匀的。例如，包含在核中的材料和包含在壳中的材料可以彼此不同。
[0306]
量子点的壳可以充当防止核的化学变性以保持半导体特性的保护层和/或向量子点赋予电泳特性的充电层。壳可以是单层或多层。核与壳之间的界面可以具有浓度梯度，其中壳中存在的元素的浓度朝向核的中心降低。
[0307]
量子点的壳的实例是金属、准金属或非金属的氧化物，半导体化合物或者其任意组合。金属、准金属或非金属的氧化物的实例是：二元化合物，例如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4、nio等；三元化合物，例如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4、comn2o4等；或者其任意组合。半导体化合物的实例是：如本文描述的ii-vi族半导体化合物；iii-v族半导体化合物；iii-vi族半导体化合物；i-iii-vi族半导体化合物；iv-vi族半导体化合物；或者其任意组合。半导体化合物的实例是cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb或其任意组合。
[0308]
量子点的发射波长光谱的fwhm可以是约45nm或小于45nm，例如约40nm或小于40nm，例如约30nm或小于30nm，并且在这些范围内，可以增加颜色纯度或颜色再现性。此外，由于通过量子点发射的光在所有方向上发射，因此可以改善广视角。
[0309]
此外，量子点可以具体是球形、角锥形、多臂或立方体的纳米颗粒；纳米管；纳米线；纳米纤维；或者纳米板。
[0310]
由于能带间隙可以通过控制量子点的尺寸来调节，因此可以从包含量子点的发射
层获得具有各种波长带的光。因此，通过使用不同尺寸的量子点，可以实现发射各种波长的光的发光装置。详细地，可以考虑发射红色光、绿色光和/或蓝色光来选择量子点的尺寸。此外，可以将量子点的尺寸配置成通过各种颜色的光的组合来发射白色光。
[0311]
[中间层130中的电子传输区133-1、133-2、
…
或133-m]
[0312]
电子传输区133-1、133-2、
…
或133-m可以具有：i)由由单一材料构成的单个层构成的单层结构，ii)由由多种不同材料构成的单个层构成的单层结构，或者iii)包括包含不同材料的多个层的多层结构。
[0313]
电子传输区133-1、133-2、
…
或133-m可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
[0314]
例如，电子传输区133-1、133-2、
…
或133-m可以具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构、或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中每种结构的构成层从发射层依次堆叠。
[0315]
电子传输区(例如，在电子传输区中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可以包含含有至少一个含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团的不含金属的化合物。
[0316]
在实施方案中，电子传输区133-1、133-2、...或133-m可以包含由式601表示的化合物：
[0317]
式601
[0318]
[ar
601
]
xe11-[(l
601
)
xe1-r
601
]
xe21
[0319]
其中，在式601中，
[0320]
ar
601
可以是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，l
601
可以是未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
1-c
60
杂环基团，
[0321]
xe11可以是1、2或3，
[0322]
xe1可以是0、1、2、3、4或5，
[0323]r601
可以是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
601
)(q
602
)(q
603
)、-c(＝o)(q
601
)、-s(＝o)2(q
601
)或-p(＝o)(q
601
)(q
602
)，
[0324]q601
至q
603
可以各自与关于q1描述的相同，
[0325]
xe21可以是1、2、3、4或5，以及
[0326]
可以满足以下条件中的至少一个：ar
601
可以是未取代的或被至少一个r
10a
取代的含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团；r
601
可以是未取代的或被至少一个r
10a
取代的含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团；以及l
601
可以是未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团，其中r
10a
可以与本说明书中描述的相同。
[0327]
在实施方案中，当式601中的xe11是2或大于2时，两个或多于两个的ar
601
可以经由单键连接在一起。
[0328]
在一个或多于一个的实施方案中，式601中的ar
601
可以是取代或未取代的蒽基团。
[0329]
在一个或多于一个的实施方案中，电子传输区133-1、133-2、...或133-m可以包含由式601-1表示的化合物：
[0330]
式601-1
[0331][0332]
在式601-1中，
[0333]
x
614
可以是n或c(r
614
)，x
615
可以是n或c(r
615
)，x
616
可以是n或c(r
616
)，并且x
614
至x
616
中的至少一个可以是n，
[0334]
l
611
至l
613
可以各自与关于l
601
描述的相同，
[0335]
xe611至xe613可以各自与关于xe1描述的相同，
[0336]r611
至r
613
可以各自与关于r
601
描述的相同，以及
[0337]r614
至r
616
可以各自独立地是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
20
烷基基团、c
1-c
20
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团。r
10a
可以与本说明书中描述的相同。
[0338]
例如，式601中的xe1和式601-1中的xe611至xe613可以各自独立地是0、1或2。
[0339]
电子传输区133-1、133-2、...或133-m可以包含化合物et1至化合物et47、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)、alq3、balq、taz、ntaz中的一种或其任意组合：
[0340]
[0341]
[0342][0343]
电子传输区133-1、133-2、...或133-m的厚度可以是约至约例如，约至约当电子传输区133-1、133-2、...或133-m包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或其任意组合时，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可以是约至约例如约至约并且电子传输层的厚度可以是约至约例如约至约当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子传输区的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的电子传输特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0344]
除了以上描述的材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可以进一步包含含金属的材料。
[0345]
含金属的材料可以包括碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。碱金属络合物的金属离子可以是li离子、na离子、k离子、rb离子或cs离子，并且碱土金属络合物的金属离子可以是be离子、mg离子、ca离子、sr离子或ba离子。与碱金属络合物或碱土金属络合物的金属离子配位的配体可以包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。
[0346]
例如，含金属的材料可以包括li络合物。li络合物可以包括例如化合物et-d1(liq)或化合物et-d2：
[0347][0348]
电子传输区133-1、133-2、...或133-m可以包括促进来自第二电极150的电子的注入的电子注入层。电子注入层可以直接接触第二电极150。
[0349]
电子注入层可以具有：i)由由单一材料构成的单个层构成的单层结构，ii)由由多种不同材料构成的单个层构成的单层结构，或者iii)包括包含不同材料的多个层的多层结构。
[0350]
电子注入层可以包含碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。
[0351]
碱金属可以包括li、na、k、rb、cs或其任意组合。碱土金属可以包括mg、ca、sr、ba或其任意组合。稀土金属可以包括sc、y、ce、tb、yb、gd或其任意组合。
[0352]
含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物和含稀土金属的化合物可以是碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物、碘化物等)或碲化物，或者其任意组合。
[0353]
含碱金属的化合物可以包括碱金属氧化物(例如li2o、cs2o、k2o等)、碱金属卤化物(例如lif、naf、csf、kf、lii、nai、csi、ki等)或其任意组合。含碱土金属的化合物可以包括碱土金属氧化物，例如bao、sro、cao、ba
x
sr
1-x
o(其中x是满足0《x《1的条件的实数)、ba
x
ca
1-x
o(其中x是满足0《x《1的条件的实数)等。含稀土金属的化合物可以包括ybf3、scf3、sc2o3、y2o3、ce2o3、gdf3、tbf3、ybi3、sci3、tbi3或其任意组合。例如，含稀土金属的化合物可以包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的实例是late、cete、prte、ndte、pmte、smte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute、la2te3、ce2te3、pr2te3、nd2te3、pm2te3、sm2te3、eu2te3、gd2te3、tb2te3、dy2te3、ho2te3、er2te3、tm2te3、yb2te3、lu2te3等。
[0354]
碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可以包含i)碱金属、碱土金属和稀土金属的离子中的一种，和ii)连接至金属离子的配体，例如羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。
[0355]
在实施方案中，电子注入层可以由以下构成：如以上描述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。在一个或多于一个的实施方案中，电子注入层可以进一步包含有机材料(例如，由式601表示的化合物)。
[0356]
在一个或多于一个的实施方案中，电子注入层可以由以下构成：i)含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)；或者ii)a)含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)，和b)碱金属、碱土金属、稀土金属，或其任意组合。在一个或多于一个的实施方案中，电子注入层可以是ki:yb共沉积层、rbi:yb共沉积层等。
[0357]
当电子注入层进一步包含有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合可以均匀地或非均匀地分散在包含有机材料的基体中。
[0358]
电子注入层的厚度可以是约至约例如，约至约当电子注入层的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的电子注入特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0359]
[第二电极150]
[0360]
第二电极150可以位于具有如以上描述的结构的中间层130上。第二电极150可以是作为电子注入电极的阴极，并且可以使用各自具有低功函数的金属、合金、导电化合物或其任意组合作为用于第二电极150的材料。
[0361]
第二电极150可以包含锂(li)、银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)、镱(yb)、银-镱(ag-yb)、ito、izo或其任意组合。第二电极150可以是透射电极、半透反射电极或反射电极。
[0362]
第二电极150可以具有单层结构或者包括多个层的多层结构。
[0363]
图2是根据另一个实施方案的发光装置20的示意性横截面视图。
[0364]
如图2中示出，根据实施方案的发光装置20可以包括：第一电极110；面对第一电极110的第二电极150；位于第一电极110与第二电极150之间的m个发射单元130-1、130-2、...和130-m；以及各自位于m个发射单元130-1、130-2、...和130-m中的两个相邻发射单元之间并且包括n-型电荷产生层134a-1、...或134a-m-1和p-型电荷产生层134b-1、...或134b-m-1的m-1个电荷产生单元134-1、...和134-m-1。
[0365]
图2示出了发光装置20的实施方案，其中m个发射单元130-1、130-2、...和130-m中的与第一电极110相邻的两个发射单元130-1和130-2分别包括发射层132-1和132-2，其中发射层132-1和132-2分别包括第一发射层132a-1和132a-2以及第二发射层132b-1和132b-2。然而，各种修改可以是可用的，包括其中发光装置20包括各自包括第一发射层和第二发射层的三个或多于三个的发射层的实施方案，或者其中包括第一发射层和第二发射层的发射层彼此间隔开而不是在相邻发射单元中的实施方案。
[0366]
发光装置20的每个组件具有与如以上描述的图1的发光装置10中的相应组件相同或类似的功能，所以将省略其详细描述。
[0367]
在实施方案中，从m个发射单元130-1、130-2、...和130-m中的至少一个发射的光的最大发射波长可以与从其它发射单元中的至少一个发射的光的最大发射波长不同。由于第一发射单元130-1和第二发射单元130-2分别包括如以上描述的多层发射层132-1和132-2，因此从第一发射单元130-1和第二发射单元130-2中的每一个发射的光可以是混合颜色光。详细地，从第一发射单元130-1和第二发射单元130-2中的每一个发射的光可以具有彼此相同的最大发射波长。此外，第m个发射单元130-m的发射层132-m可以具有i)包括含单一材料的单个层的单层结构，ii)包括含多种不同材料的单个层的单层结构，或者iii)具有含多种不同材料的多个层的多层结构。在这点上，从第m个发射单元130-m发射的光可以是单一颜色光或混合颜色光。在实施方案中，从第二发射单元130-2发射的光的最大发射波长可以与从第m个发射单元130-m发射的光的最大发射波长相同，但可以与从第一发射单元130-1发射的光的最大发射波长不同。
[0368]
在实施方案中，包括在m-2个发射单元中的m-2个发射层132-m可以各自独立地包含磷光掺杂剂、荧光掺杂剂、延迟荧光材料或其任意组合。
[0369]
在一个或多于一个的实施方案中，所有m-2个发射层132-m可以包含：磷光掺杂剂；荧光掺杂剂；或延迟荧光材料。
[0370]
在一个或多于一个的实施方案中，m-2个发射层132-m中的至少一个可以包含磷光掺杂剂，并且剩余的发射层可以包含荧光掺杂剂。在一个或多于一个的实施方案中，m-2个发射层132-m中的至少一个可以包含磷光掺杂剂，并且剩余的发射层可以包含延迟荧光材
料。在一个或多于一个的实施方案中，m-2个发射层132-m中的至少一个可以包含荧光掺杂剂，并且剩余的发射层可以包含延迟荧光材料。
[0371]
在一个或多于一个的实施方案中，m-2个发射层132-m中的至少一个可以包含磷光掺杂剂，剩余的发射层中的至少一个可以包含荧光掺杂剂，并且剩余的发射层可以包含延迟荧光材料。
[0372]
例如，包含在m-2个发射层132-m中的所有掺杂剂可以彼此相同或不同。
[0373]
特别地，当m是4并且考虑到第一发射单元130-1和第二发射单元130-2分别包括如以上描述的多层发射层132-1和132-2时，从第一发射单元130-1和第二发射单元130-2发射的光可以各自是混合颜色光，第三发射单元(未示出)可以发射蓝色荧光，并且第四发光单元130-m可以发射绿色磷光。
[0374]
图3是根据另一个实施方案的发光装置30的示意性横截面视图。
[0375]
如图3中示出，根据实施方案的发光装置30可以包括：第一电极110；面对第一电极110的第二电极150；位于第一电极110与第二电极150之间的m个发射单元130-1、130-2、...和130-m；以及各自位于m个发射单元130-1、130-2、...和130-m中的两个相邻发射单元之间并且包括n-型电荷产生层134a-1、...或134a-m-1和p-型电荷产生层134b-1、...或134b-m-1的m-1个电荷产生单元134-1、...和134-m-1。
[0376]
图3示出了发光装置30的实施方案，其中m个发射单元130-1、130-2、...和130-m中的m个发射层131-1、132-2、...和132-m分别包括第一发射层132a-1、...和132a-m和分别包括第二发射层132b-1、132b-2、...和132b-m。
[0377]
发光装置30的每个组件具有与如以上描述的图1的发光装置10中的相应组件相同或类似的功能，所以将省略其详细描述。
[0378]
在实施方案中，从m个发射单元130-1、130-2、...130-m中的每一个发射的光的最大发射波长可以彼此相同。
[0379]
由于m个发射单元130-1、130-2、...和130-m可以分别包括如以上描述的多层发射层132-1、132-2、...和132-m，因此从m个发射单元130-1、130-2、...和130-m中的每一个发射的光可以是混合颜色光。
[0380]
特别地，当m是4并且考虑到m个发射单元130-1、130-2、...和130-m分别包括如以上描述的多层发射层132-1、132-2、...和132-m时，从m个发射单元130-1、130-2、...和130-m中的每一个发射的光可以是混合颜色光。
[0381]
[覆盖层]
[0382]
第一覆盖层可以位于第一电极110外部，和/或第二覆盖层可以位于第二电极150外部。特别地，发光装置10可以具有其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130和第二电极150按规定的顺序依次堆叠的结构，其中第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层按规定的顺序依次堆叠的结构，或者其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层按规定的顺序依次堆叠的结构。
[0383]
发光装置10的中间层130的发射层中产生的光可以通过第一电极110(其是半透反射电极或透射电极)和第一覆盖层朝向外部引出。发光装置10的中间层130的发射层中产生的光可以通过第二电极150(其是半透反射电极或透射电极)和第二覆盖层朝向外部引出。
[0384]
第一覆盖层和第二覆盖层可以根据相长干涉的原理来增加外部发射效率。因此，
增加了发光装置10的出光效率，使得可以改善发光装置10的发光效率。
[0385]
第一覆盖层和第二覆盖层中的每一个可以包含具有1.6或大于1.6(在589nm处)的折射率的材料。
[0386]
第一覆盖层和第二覆盖层可以各自独立地是包含有机材料的有机覆盖层、包含无机材料的无机覆盖层、或者包含有机材料和无机材料的有机-无机复合覆盖层。
[0387]
在实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含碳环化合物、杂环化合物、含胺基团的化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基团的化合物可以各自被含有o、n、s、se、si、f、cl、br、i或其任意组合的取代基任选地取代。
[0388]
在一个或多于一个的实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含含胺基团的化合物。
[0389]
在一个或多于一个的实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合。
[0390]
在一个或多于一个的实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含化合物ht28至化合物ht33中的一种、化合物cp1至化合物cp6中的一种、β-npb或其任意组合：
[0391][0392]
[电子设备]
[0393]
在实施方案中，电子设备可以包含位于从发光装置发射的光的至少一个行进方向上的量子点或包含量子点的光学构件。
[0394]
发光装置可以被包括在各种电子设备中。例如，包括发光装置的电子设备可以是发光设备、验证设备等。
[0395]
除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可以进一步包括：i)光学过滤器，例如滤色器，ii)颜色转换层，或者iii)滤色器和颜色转换层两者。滤色器和/或颜色转换层可以位于从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。例如，从发光装置发射的光可以是蓝色光或白色光。发光装置的细节可以与本文描述的相同。在实施方案中，颜色转换层可以包含量子点。量子点可以例如与本文描述的相同。
[0396]
图4是根据实施方案的电子设备3的横截面视图。
[0397]
在电子设备3中，光学过滤器340可以位于从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。
[0398]
例如，发光装置可以包括：第一电极110；包括第一空穴传输区131-1、第一发射层132-1和第一电子传输区133-1的第一发射单元；第一电荷产生单元134-1；包括第二空穴传输区131-2、第二发射层132-2和第二电子传输区133-2的第二发射单元；以及第二电极150。已经具体描述了其中包括两个发射单元的实施方案，但本发明构思不限于此，所以可以包括三个或多于三个的发射单元。此外，第一电极110、第一空穴传输区131-1、第一发射层132-1、第一电子传输区133-1、第一电荷产生单元134-1、第二空穴传输区131-2、第二发射层132-2、第二电子传输区133-2和第二电极150可以各自与本文描述的相同。
[0399]
电子设备3可以包括包含彼此间隔开的多个子像素区域的第一衬底310。光学过滤器340可以包括彼此间隔开并且对应于多个子像素区域中的每一个的第一区341、第二区342和第三区343。光学过滤器340还可以包括第一滤色器至第三滤色器(未示出)和/或第一颜色转换层至第三颜色转换层(未示出)。
[0400]
像素限定层330可以位于多个子像素区之间以限定每个子像素区。在此，第一空穴传输区131-1、第一发射层132-1、第一电子传输区133-1、第一电荷产生单元134-1、第二空穴传输区131-2、第二发射层132-2、第二电子传输区133-2和第二电极150可以不被图案化，而是延伸至像素限定层330的上部以定位成第一区341、第二区342和第三区343上方的公共层形式。
[0401]
光学过滤器340可以进一步包括位于第一区341、第二区342和第三区343之间的遮光图案344。
[0402]
第一区341、第二区342和第三区343可以分别发射第一颜色光、第二颜色光和第三颜色光，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。例如，第一颜色光可以是红色光，第二颜色光可以是绿色光，并且第三颜色光可以是蓝色光。例如，第一滤色器至第三滤色器(或者，第一颜色转换层至第三颜色转换层)可以包含量子点。特别地，第一区可以包含红色量子点，第二区可以包含绿色量子点，并且第三区可以不包含量子点。量子点的细节与本文描述的相同。第一区、第二区和/或第三区可以各自包含散射体。
[0403]
例如，发光装置可以发射第一光，第一区可以吸收第一光以发射第一-第一颜色光，第二区可以吸收第一光以发射第二-第一颜色光，并且第三区可以吸收第一光以发射第三-第一颜色光。在这点上，第一-第一颜色光、第二-第一颜色光和第三-第一颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。特别地，第一光可以是蓝色光，第一-第一颜色光可以是红色
光，第二-第一颜色光可以是绿色光，并且第三-第一颜色光可以是蓝色光。
[0404]
图5是根据本发明的另一个实施方案的电子设备3的横截面视图。
[0405]
在图5中，电子设备3可以包括图案化成对应于第一区341、第二区342和第三区343中的每一个的第一发射层132-1和第二发射层132-2。在图5的电子设备3中，第一空穴传输区131-1、第一电子传输区133-1、第一电荷产生单元134-1、第二空穴传输区131-2、第二电子传输区133-2和第二电极150不被图案化，而是延伸至像素限定层330的上部以定位成第一区341、第二区342和第三区343上方的公共层形式。
[0406]
电子设备3的每个组件具有与如以上描述的图4的电子设备3中的相应组件相同或类似的功能，所以将省略其详细描述。
[0407]
除了如以上描述的发光装置之外，电子设备可以进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极和漏电极中的任一个可以电连接至发光装置的第一电极和第二电极中的任一个。
[0408]
薄膜晶体管可以进一步包括栅电极、栅绝缘膜等。
[0409]
有源层可以包含晶体硅、无定形硅、有机半导体、氧化物半导体等。
[0410]
电子设备可以进一步包括用于密封发光装置的密封部。密封部可以位于颜色转换层和/或滤色器与发光装置之间。密封部允许来自发光装置的光被引出至外部，并且同时地防止环境空气和湿气渗透进入发光装置中。密封部可以是包括透明玻璃衬底或塑料衬底的密封衬底。密封部可以是包括有机层和无机层中的至少一个层的薄膜封装层。当密封部是薄膜封装层时，电子设备可以是柔性的。
[0411]
根据电子设备的用途，除了滤色器和/或颜色转换层之外，各种功能层可以额外地位于密封部上。功能层的实例可以包括触摸屏层、偏振层等。触摸屏层可以是压敏触摸屏层、电容触摸屏层或红外触摸屏层。验证设备可以是例如通过使用生命体的生物测量信息(例如，指尖、瞳孔等)来验证个体的生物测量验证设备。
[0412]
除了如以上描述的发光装置之外，验证设备可以进一步包括生物测量信息收集器。
[0413]
电子设备可以应用于各种显示器、光源、照明设备、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数码相机、电子记事本、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置或内窥镜显示器)、探鱼仪、各种测量仪器、仪表(例如，用于车辆、飞行器和船舶的仪表)、投影仪等。
[0414]
图6是示出根据实施方案的发光设备的横截面视图。
[0415]
图6的发光设备包括衬底100、薄膜晶体管(tft)、发光装置和密封发光装置的封装部300。
[0416]
衬底100可以是柔性衬底、玻璃衬底或金属衬底。缓冲层210可以位于衬底100上。缓冲层210可以防止杂质渗透穿过衬底100，并且可以在衬底100上提供平坦表面。
[0417]
tft可以位于缓冲层210上。tft可以包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。
[0418]
有源层220可以包含无机半导体(例如硅或多晶硅)、有机半导体或氧化物半导体，并且可以包括源区、漏区和沟道区。
[0419]
用于使有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可以位于有源层220上，并且栅电极240可以位于栅绝缘膜230上。
[0420]
层间绝缘膜250可以位于栅电极240上。层间绝缘膜250可以位于栅电极240与源电极260之间以及在栅电极240与漏电极270之间，以便使彼此绝缘。
[0421]
源电极260和漏电极270可以位于层间绝缘膜250上。层间绝缘膜250和栅绝缘膜230可以形成为暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可以定位成与有源层220的源区和漏区的暴露部分接触。
[0422]
tft电连接至发光装置以驱动发光装置，并且被钝化层280覆盖和保护。钝化层280可以包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其任意组合。在钝化层280上提供发光装置。发光装置可以包括第一电极110、中间层130和第二电极150。
[0423]
第一电极110可以位于钝化层280上。钝化层280可以定位成暴露漏电极270的一部分，不完全覆盖漏电极270，并且第一电极110可以定位成连接至漏电极270的暴露部分。
[0424]
包含绝缘材料的像素限定层290可以位于第一电极110上。像素限定层290可以暴露第一电极110的某一区，并且可以在第一电极110的暴露区中形成中间层130。像素限定层290可以是聚酰亚胺或聚丙烯酸有机膜。尽管在图6中未示出，但中间层130的至少一些层可以延伸直至像素限定层290的上部以定位成公共层的形式。
[0425]
第二电极150可以位于中间层130上，并且可以在第二电极150上额外地形成覆盖层170。可以形成覆盖层170以覆盖第二电极150。
[0426]
封装部300可以位于覆盖层170上。封装部300可以位于发光装置上以保护发光装置免受湿气或氧气影响。封装部300可以包括：无机膜，所述无机膜包含硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、氧化铟锡、氧化铟锌或其任意组合；有机膜，所述有机膜包含聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、基于丙烯酸的树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)、基于环氧的树脂(例如，脂肪族缩水甘油醚(age)等)或其任意组合；或者无机膜和有机膜的任意组合。
[0427]
图7示出了示出根据实施方案的发光设备的横截面视图。
[0428]
图7的发光设备与图6的发光设备相同，但遮光图案500和功能区400额外地位于封装部300上。功能区400可以是i)滤色器区域，ii)颜色转换区域，或者iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在实施方案中，包括在图7的发光设备中的发光装置可以是串联发光装置。
[0429]
包括在空穴传输区中的层、发射层和包括在电子传输区中的层可以通过使用各种方法(例如真空沉积、旋涂、流延、兰格缪尔-布罗杰特(langmuir-blodgett，lb)沉积、喷墨印刷、激光印刷、激光诱导热成像等)形成在特定区中。
[0430]
当通过真空沉积形成构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层时，取决于待包含在待形成的层中的材料以及待形成的层的结构，可以以约100℃至约500℃的沉积温度、约10-8
托至约10-3
托的真空度和约至约的沉积速度进行沉积。
[0431]
如本文使用的术语“c
3-c
60
碳环基团”是指仅由碳作为成环原子组成并且具有3个至60个碳原子(例如，3个至30个、3个至20个或3个至10个碳原子)的环状基团，并且如本文使用的术语“c
1-c
60
杂环基团”是指具有1个至60个碳原子(例如，1个至30个、1个至20个或1
个至10个碳原子)并且进一步具有除了碳之外的杂原子的环状基团。c
3-c
60
碳环基团和c
1-c
60
杂环基团可以各自是由一个环构成的单环基团或者其中两个或多于两个的环彼此稠合的多环基团。例如，c
1-c
60
杂环基团的成环原子数可以是3至61，例如，3个至30个、3个至20个或3个至10个成环原子。
[0432]
如本文使用的“环状基团”可以包括c
3-c
60
碳环基团和c
1-c
60
杂环基团。
[0433]
如本文使用的术语“富π电子的c
3-c
60
环状基团”是指具有3个至60个碳原子(例如，3个至30个、3个至20个或3个至10个碳原子)并且不包含*-n＝*'作为成环部分的环状基团，并且如本文使用的术语“含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团”是指具有1个至60个碳原子(例如，1个至30个、1个至20个或1个至10个碳原子)并且包含*-n＝*'作为成环部分的杂环基团。
[0434]
例如，c
3-c
60
碳环基团可以是i)t1基团，或者ii)其中两个或多于两个的t1基团彼此稠合的稠合环状基团(例如，环戊二烯基团、金刚烷基团、降冰片烷基团、苯基团、戊搭烯基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊烯基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并菲基团、芘基团、基团、苝基团、五苯基团、庚搭烯基团、并四苯基团、苉基团、并六苯基团、并五苯基团、玉红省基团、蔻基团、卵苯基团、茚基团、芴基团、螺-二芴基团、苯并芴基团、茚并菲基团或茚并蒽基团)，
[0435]c1-c
60
杂环基团可以是i)t2基团，ii)其中两个或多于两个的t2基团彼此稠合的稠合环状基团，或者iii)其中至少一个t2基团和至少一个t1基团彼此稠合的稠合环状基团(例如，吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，
[0436]
富π电子的c
3-c
60
环状基团可以是i)t1基团，ii)其中两个或多于两个的t1基团彼此稠合的稠合环状基团，iii)t3基团，iv)其中两个或多于两个的t3基团彼此稠合的稠合环状基团，或者v)其中至少一个t3基团和至少一个t1基团彼此稠合的稠合环状基团(例如，c
3-c
60
碳环基团、吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并
呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团等)，
[0437]
含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团可以是i)t4基团，ii)其中两个或多于两个的t4基团彼此稠合的稠合环状基团，iii)其中至少一个t4基团和至少一个t1基团彼此稠合的稠合环状基团，iv)其中至少一个t4基团和至少一个t3基团彼此稠合的稠合环状基团，或者v)其中至少一个t4基团、至少一个t1基团和至少一个t3基团彼此稠合的稠合环状基团(例如，吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，
[0438]
t1基团可以是环丙烷基团、环丁烷基团、环戊烷基团、环己烷基团、环庚烷基团、环辛烷基团、环丁烯基团、环戊烯基团、环戊二烯基团、环己烯基团、环己二烯基团、环庚烯基团、金刚烷基团、降冰片烷基团(或双环[2.2.1]庚烷)、降冰片烯基团、双环[1.1.1]戊烷基团、双环[2.1.1]己烷基团、双环[2.2.2]辛烷基团或苯基团，
[0439]
t2基团可以是呋喃基团、噻吩基团、1h-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2h-吡咯基团、3h-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团，
[0440]
t3基团可以是呋喃基团、噻吩基团、1h-吡咯基团、噻咯基团或硼杂环戊二烯基团，以及
[0441]
t4基团可以是2h-吡咯基团、3h-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团。
[0442]
如本文使用的术语“环状基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、富π电子的c
3-c
60
环状基团或含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团”是指根据使用相应术语的式的结构，与任何环状基团稠合的基团、单价基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)。在实施方案中，“苯基团”可以是苯并基团、苯基基团、亚苯基基团等，其可以是本领域普通技术人员根据包括“苯基团”的式的结构容易理解的。
[0443]
单价c
3-c
60
碳环基团和单价c
1-c
60
杂环基团的实例是c
3-c
10
环烷基基团、c
1-c
10
杂环烷基基团、c
3-c
10
环烯基基团、c
1-c
10
杂环烯基基团、c
6-c
60
芳基基团、c
1-c
60
杂芳基基团、单价非芳香族稠合多环基团和单价非芳香族稠合杂多环基团。二价c
3-c
60
碳环基团和二价c
1-c
60
杂环基团的实例是c
3-c
10
亚环烷基基团、c
1-c
10
亚杂环烷基基团、c
3-c
10
亚环烯基基团、c
1-c
10
亚杂环烯基基团、c
6-c
60
亚芳基基团、c
1-c
60
亚杂芳基基团、二价非芳香族稠合多环基团和二价非芳香族稠合杂多环基团。
[0444]
如本文使用的术语“c
1-c
60
烷基基团”是指具有1个至60个碳原子(例如，1个至30个、1个至20个或1个至10个碳原子)的直链或支链脂肪族烃单价基团，并且其具体实例是甲
基基团、乙基基团、正丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、仲丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、正戊基基团、叔戊基基团、新戊基基团、异戊基基团、仲戊基基团、3-戊基基团、仲异戊基基团、正己基基团、异己基基团、仲己基基团、叔己基基团、正庚基基团、异庚基基团、仲庚基基团、叔庚基基团、正辛基基团、异辛基基团、仲辛基基团、叔辛基基团、正壬基基团、异壬基基团、仲壬基基团、叔壬基基团、正癸基基团、异癸基基团、仲癸基基团、叔癸基基团等。如本文使用的术语“c
1-c
60
亚烷基基团”是指具有与c
1-c
60
烷基基团相同的结构的二价基团。
[0445]
如本文使用的术语“c
2-c
60
烯基基团”是指在c
2-c
60
烷基基团的中间或末端处具有至少一个碳-碳双键的单价烃基团，并且其实例是乙烯基基团、丙烯基基团、丁烯基基团等。如本文使用的术语“c
2-c
60
亚烯基基团”是指具有与c
2-c
60
烯基基团相同的结构的二价基团。
[0446]
如本文使用的术语“c
2-c
60
炔基基团”是指在c
2-c
60
烷基基团的中间或末端处具有至少一个碳-碳叁键的单价烃基团，并且其实例是乙炔基基团、丙炔基基团等。如本文使用的术语“c
2-c
60
亚炔基基团”是指具有与c
2-c
60
炔基基团相同的结构的二价基团。
[0447]
如本文使用的术语“c
1-c
60
烷氧基基团”是指由-oa
101
(其中a
101
是c
1-c
60
烷基基团)表示的单价基团，并且其实例是甲氧基基团、乙氧基基团、异丙氧基基团等。
[0448]
如本文使用的术语“c
3-c
10
环烷基基团”是指具有3个至10个碳原子的单价饱和烃环状基团，并且其实例是环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团(或双环[2.2.1]庚基基团)、双环[1.1.1]戊基基团、双环[2.1.1]己基基团、双环[2.2.2]辛基基团等。如本文使用的术语“c
3-c
10
亚环烷基基团”是指具有与c
3-c
10
环烷基基团相同的结构的二价基团。
[0449]
如本文使用的术语“c
1-c
10
杂环烷基基团”是指进一步包含除了碳原子之外的至少一个杂原子作为成环原子的1个至10个碳原子的单价环状基团，并且具体实例是1,2,3,4-噁三唑烷基基团、四氢呋喃基基团、四氢噻吩基基团等。如本文使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烷基基团”是指具有与c
1-c
10
杂环烷基基团相同的结构的二价基团。
[0450]
本文使用的术语“c
3-c
10
环烯基基团”是指在其环中具有三个至十个碳原子和至少一个碳-碳双键且没有芳香性的单价环状基团，并且其具体实例是环戊烯基基团、环己烯基基团、环庚烯基基团等。如本文使用的术语“c
3-c
10
亚环烯基基团”是指具有与c
3-c
10
环烯基基团相同的结构的二价基团。
[0451]
如本文使用的术语“c
1-c
10
杂环烯基基团”是指在其环状结构中进一步包含除了碳原子之外的至少一个杂原子作为成环原子并且具有至少一个双键的1个至10个碳原子的单价环状基团。c
1-c
10
杂环烯基基团的实例是4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基基团、2,3-二氢呋喃基基团、2,3-二氢噻吩基基团等。如本文使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烯基基团”是指具有与c
1-c
10
杂环烯基基团相同的结构的二价基团。
[0452]
如本文使用的术语“c
6-c
60
芳基基团”是指具有6个至60个碳原子(例如，6个至30个、6个至20个或6个至10个碳原子)的碳环芳香族体系的单价基团，并且如本文使用的术语“c
6-c
60
亚芳基基团”是指具有6个至60个碳原子(例如，6个至30个、6个至20个或6个至10个碳原子)的碳环芳香族体系的二价基团。c
6-c
60
芳基基团的实例是苯基基团、戊搭烯基基团、萘基基团、甘菊环基基团、引达省基基团、苊基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、基基团、苝基基团、五苯基基团、庚搭烯基基团、并四苯基基团、苉基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、玉红省基基团、蔻基基团、卵苯基基
团等。当c
6-c
60
芳基基团和c
6-c
60
亚芳基基团各自包含两个或多于两个的环时，所述两个或多于两个的环可以彼此稠合。
[0453]
如本文使用的术语“c
1-c
60
杂芳基基团”是指具有进一步包含除了碳原子之外的至少一个杂原子作为成环原子的1个至60个碳原子(例如，1个至30个、1个至20个或1个至10个碳原子)的杂环芳香族体系的单价基团。如本文使用的术语“c
1-c
60
亚杂芳基基团”是指具有进一步包含除了碳原子之外的至少一个杂原子作为成环原子的1个至60个碳原子(例如，1个至30个、1个至20个或1个至10个碳原子)的杂环芳香族体系的二价基团。c
1-c
60
杂芳基基团的实例是吡啶基基团、嘧啶基基团、吡嗪基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团、苯并喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并异喹啉基基团、喹喔啉基基团、苯并喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、苯并喹唑啉基基团、噌啉基基团、菲咯啉基基团、酞嗪基基团、萘啶基基团等。当c
1-c
60
杂芳基基团和c
1-c
60
亚杂芳基基团各自包含两个或多于两个的环时，所述环可以彼此稠合。
[0454]
如本文使用的术语“单价非芳香族稠合多环基团”是指单价基团(例如，具有8个至60个碳原子，例如，8个至30个、8个至20个或8个至10个碳原子)，其具有彼此稠合的两个或多于两个的环、仅碳原子作为成环原子并且在其整个分子结构中无芳香性。单价非芳香族稠合多环基团的实例是茚基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、茚并菲基基团和茚并蒽基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合多环基团”是指具有与以上描述的单价非芳香族稠合多环基团相同的结构的二价基团。
[0455]
如本文使用的术语“单价非芳香族稠合杂多环基团”是指单价基团(例如，具有1个至60个碳原子，例如1个至30个、1个至20个或1个至10个碳原子)，其具有彼此稠合的两个或多于两个的环，进一步包含除了碳原子之外的至少一个杂原子作为成环原子并且在其整个分子结构中无芳香性。单价非芳香族稠合杂多环基团的实例是吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、吲哚基基团、苯并吲哚基基团、萘并吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并异吲哚基基团、萘并异吲哚基基团、苯并噻咯基基团、苯并噻吩基基团、苯并呋喃基基团、咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、二苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、氮杂咔唑基基团、氮杂芴基基团、氮杂二苯并噻咯基基团、氮杂二苯并噻吩基基团、氮杂二苯并呋喃基基团、吡唑基基团、咪唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁二唑基基团、噻二唑基基团、苯并吡唑基基团、苯并咪唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并噻唑基基团、苯并噁二唑基基团、苯并噻二唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、咪唑并三嗪基基团、咪唑并吡嗪基基团、咪唑并哒嗪基基团、茚并咔唑基基团、吲哚并咔唑基基团、苯并呋喃并咔唑基基团、苯并噻吩并咔唑基基团、苯并噻咯并咔唑基基团、苯并吲哚并咔唑基基团、苯并咔唑基基团、苯并萘并呋喃基基团、苯并萘并噻吩基基团、苯并萘并噻咯基基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基基团等。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合杂多环基团”是指具有与以上描述的单价非芳香族稠合杂多环基团相同的结构的二价基团。
[0456]
如本文使用的术语“c
6-c
60
芳氧基基团”表示-oa
102
(其中a
102
是c
6-c
60
芳基基团)，并且如本文使用的术语“c
6-c
60
芳硫基基团”表示-sa
103
(其中a
103
是c
6-c
60
芳基基团)。
[0457]
如本文使用的术语“r
10a”是指：
[0458]
氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
[0459]
各自未取代的或者被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其任意组合取代的c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团或c
1-c
60
烷氧基基团；
[0460]
各自未取代的或者被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团或c
6-c
60
芳硫基基团；或者
[0461]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)。
[0462]
在本说明书中，q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
以及q
31
至q
33
可以各自独立地是：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基基团；氰基基团；硝基基团；c
1-c
60
烷基基团；c
2-c
60
烯基基团；c
2-c
60
炔基基团；c
1-c
60
烷氧基基团；或者各自未取代的或者被氘、-f、氰基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团。
[0463]
如本文使用的术语“杂原子”是指除了碳原子和氢原子之外的任何原子，并且杂原子的数量可以为1至10，例如1、2、3、4或5。杂原子的实例是o、s、n、p、si、b、ge、se或其任意组合。
[0464]
如本文使用的术语“ph”是指苯基基团，如本文使用的术语“me”是指甲基基团，如本文使用的术语“et”是指乙基基团，如本文使用的术语“tert-bu”或“bu
t”是指叔丁基基团，并且如本文使用的术语“ome”是指甲氧基基团。
[0465]
如本文使用的术语“联苯基基团”是指“被苯基基团取代的苯基基团”。换而言之，“联苯基基团”是具有c
6-c
60
芳基基团作为取代基的取代的苯基基团。
[0466]
如本文使用的术语“三联苯基基团”是指“被联苯基基团取代的苯基基团”。换而言之，“三联苯基基团”是具有被c
6-c
60
芳基基团取代的c
6-c
60
芳基基团作为取代基的取代的苯基基团。
[0467]
除非另外定义，如本文使用的*和*'各自是指在相应的式中与相邻原子的结合位点。
[0468]
在下文，将参考实施例详细地描述根据实施方案的发光装置。
[0469]
[实施例]
[0470]
比较例1
[0471]
作为衬底也用作阳极，将具有15ω/cm2ito(由康宁公司(corning.inc.)制造)形成在其上的第一玻璃衬底、具有ag形成在其上的第二玻璃衬底以及具有15ω/cm2ito(由康宁公司制造)形成在其上的第三玻璃衬底切割成50mm
×
50mm
×
0.7mm的尺寸，并且用异丙醇和纯水超声处理，各自持续5分钟。然后，紫外光照射30分钟，并且将其暴露于臭氧进行清洁。随后，将得到的第一玻璃衬底、第二玻璃衬底和第三玻璃衬底依次堆叠以装载在真空沉积设备上。
[0472]
在阳极上，将hat-cn沉积至的厚度，将npb沉积至的厚度，将tcta沉积
至的厚度，并且将作为主体的化合物h8以及作为掺杂剂的fd37以98:2的重量比共沉积，从而形成具有的厚度的发射层。在发射层上，将et46沉积至的厚度，并且将et47和liq以5:5的重量比共沉积至的厚度，从而形成第一发射单元。
[0473]
在第一发射单元上，将bcp和li(其中li的量为1wt％)共沉积以形成具有的厚度的n-型电荷产生层，并且将hat-cn沉积以形成具有的厚度的p-型电荷产生层，从而形成第一电荷产生单元。
[0474]
在第一电荷产生单元上，将npb沉积至的厚度，将tcta沉积至的厚度，并且将作为主体的化合物h8以及作为掺杂剂的fd37以98:2的重量比共沉积，从而形成具有的厚度的发射层。在发射层上，将et46沉积至的厚度，并且将et47和liq以5:5的重量比共沉积至的厚度，从而形成第二发射单元。
[0475]
在第二发射单元上，将bcp和li(其中li的量为1wt％)共沉积以形成具有的厚度的n-型电荷产生层，并且将hat-cn沉积以形成具有的厚度的p-型电荷产生层，从而形成第二电荷产生单元。
[0476]
在第二电荷产生单元上，将npb沉积至的厚度，将tcta沉积至的厚度，并且将作为主体的化合物h8以及作为掺杂剂的fd37以98:2的重量比共沉积，从而形成具有的厚度的发射层。在发射层上，将et46沉积至的厚度，并且将et47和liq以5:5的重量比共沉积至的厚度，从而形成第三发射单元。
[0477]
在第三发射单元上，将bcp和li(其中li的量为1wt％)共沉积以形成具有的厚度的n-型电荷产生层，并且将hat-cn沉积以形成具有的厚度的p-型电荷产生层，从而形成第三电荷产生单元。
[0478]
在第三电荷产生单元上，将npb沉积至的厚度，将tcta沉积至的厚度，并且将化合物h39、化合物h126和pd13以40.5:40.5:9的重量比共沉积，从而形成具有的厚度的发射层。在发射层上，将et46沉积至的厚度，并且将et47和liq以5:5的重量比共沉积至的厚度，从而形成第四发射单元。
[0479]
在第四发射单元上，将yb沉积以形成具有的厚度的电子注入层，将ag和mg以9:1的重量比共沉积在电子注入层上以形成具有的厚度的阴极，以及将ht28沉积在阴极上以形成具有的厚度的覆盖层，从而完成发光装置的制造。
[0480]
实施例1
[0481]
以与比较例1中相同的方式制造发光装置，但使用如稍后描述的包括依次堆叠的第一发射层和第二发射层的双层发射层代替第一发射单元的发射层。
[0482]
将作为第一主体的化合物mcp、作为第二主体的化合物b3pympm、以及作为第一掺杂剂的化合物df9以49:49:2的重量比共沉积以形成具有的厚度的第一发射层。然后，在第一发射层上，将作为第三主体的化合物mcp、作为第四主体的化合物b3pympm和作为
第二掺杂剂的化合物pd13以40.5:40.5:9的重量比共沉积以形成具有的厚度的第二发射层。
[0483]
实施例2
[0484]
以与比较例1中相同的方式制造发光装置，但分别使用如稍后描述的包括依次堆叠的第一发射层和第二发射层的双层发射层代替第一发射单元的发射层和第二发射单元的发射层。
[0485]
将作为第一主体的化合物mcp、作为第二主体的化合物b3pympm、以及作为第一掺杂剂的化合物df9以49:49:2的重量比共沉积以形成具有的厚度的第一发射层。然后，在第一发射层上，将作为第三主体的化合物mcp、作为第四主体的化合物b3pympm和作为第二掺杂剂的化合物pd13以40.5:40.5:9的重量比共沉积以形成具有的厚度的第二发射层。
[0486]
实施例3
[0487]
以与比较例1中相同的方式制造发光装置，但分别使用如稍后描述的包括依次堆叠的第一发射层和第二发射层的双层发射层代替第一发射单元的发射层、第二发射单元的发射层和第三发射单元的发射层。
[0488]
将作为第一主体的化合物mcp、作为第二主体的化合物b3pympm、以及作为第一掺杂剂的化合物df9以49:49:2的重量比共沉积以形成具有的厚度的第一发射层。然后，在第一发射层上，将作为第三主体的化合物mcp、作为第四主体的化合物b3pympm和作为第二掺杂剂的化合物pd13以40.5:40.5:9的重量比共沉积以形成具有的厚度的第二发射层。
[0489]
实施例4
[0490]
以与比较例1中相同的方式制造发光装置，但分别使用如稍后描述的包括依次堆叠的第一发射层和第二发射层的双层发射层代替第一发射单元的发射层、第二发射单元的发射层和第三发射单元的发射层，以及使用如稍后描述的包括依次堆叠的第三发射层和第四发射层的双层发射层代替第四发射单元的发射层。
[0491]
将作为第一主体的化合物mcp、作为第二主体的化合物b3pympm、以及作为第一掺杂剂的化合物df9以49:49:2的重量比共沉积以形成具有的厚度的第一发射层。然后，在第一发射层上，将作为第三主体的化合物mcp、作为第四主体的化合物b3pympm和作为第二掺杂剂的化合物pd13以40.5:40.5:9的重量比共沉积以形成具有的厚度的第二发射层。
[0492]
将作为第一主体的化合物mcp、作为第二主体的化合物b3pympm、以及作为第一掺杂剂的化合物df9以49:49:2的重量比共沉积以形成具有的厚度的第三发射层。然后，在第三发射层上，将作为第三主体的化合物mcp、作为第四主体的化合物b3pympm和作为第二掺杂剂的化合物pd13以40.5:40.5:9的重量比共沉积以形成具有的厚度的第四发射层。
[0493]
评估例1
[0494]
关于根据比较例1和实施例1至实施例4制造的发光装置，通过使用颜色亮度计、吉
时利(keithley)源表设备和固定电流室温使用寿命设备测量在1,500尼特的亮度下的发光效率(cd/a/y)。其结果显示在表1中。
[0495]
实施例1至实施例4的每个发光装置的发光效率是基于100％的比较例1的发光装置的发光效率表示的相对值。
[0496]
表1
[0497][0498][0499]
参考表1，证实了与其中所有发射单元分别具有单层发射层结构的比较例1的发光装置相比，实施例1至实施例4的发光装置具有显著优异的发光效率。
[0500]
根据一个或多于一个的实施方案，发光装置可以具有高发光效率。
[0501]
尽管本文已经描述了某些实施方案和实施方式，但其它实施方案和修改从本说明书中将是显而易见的。因此，本发明构思不限于此类实施方案，而是限于所附权利要求以及对本领域普通技术人员将显而易见的各种明显的修改和等同布置的较宽范围。