一种5G用LTCC双工器的制作方法

一种5g用ltcc双工器
技术领域
1.本发明涉及5g用新型ltcc双工器，用于5g移动通讯设备、平板电脑以及其他各种通讯设备的无线连接。


背景技术：

2.低温共烧陶瓷(low temperature co-fired ceramic，ltcc)技术即是将低温烧结陶瓷粉制成厚度精确而且致密的生瓷带，作为电路基板材料，在生瓷带上利用激光打孔、微孔注浆、精密导体浆料印刷等工艺制出所需要的电路图形，并将多个无源原件埋入其中，然后叠压在一起，在900℃左右烧结，制成独立的单个无源器件。
3.随着5g技术的普及推广，移动通讯对电子元器件的性能多样性、封装尺寸小型化、高可靠性等提出了迫切需求。以ltcc技术为基础设计和生产制造的射频微波元件包括滤波器、双工器、天线、耦合器、巴伦、接收前端模组、天线开关模组等，因其具有良好的高频特性、高速传输性、高集成度、高可靠性等优点，被广泛应用于各种通讯设备。


技术实现要素：

4.本发明提供一种5g用ltcc低插损、高抑制双工器，该双工器采用集总参数设计的特殊结构，由低通滤波器和带通滤波器组合而成，低通滤波器主要分离出低频段信号，带通滤波器主要分离出高频段信号，此款双工器具有低损耗、高抑制、高隔离度等优势。
5.本发明解决其技术问题采用的技术方案是：一种新型ltcc低插损、高抑制双工器，包括基体、设置在基体外侧四周的接线端头和设置在基体内部的电路层，所述的基体内部的电路层呈叠层结构。
6.本发明提供的5g用ltcc双工器，信号由
①
端口进入后至
②
端口输出，此条链路为第二低通滤波器，分离出低频段信号；信号由
①
端口进入到
③
端口输出，此条链路为带通滤波器，分出高频段信号。该高频段带通滤波器由一个第一高通滤波器和一个第一低通滤波器组合而成，其中第一高通滤波器由电感l1和电容c1、c2、c3构成，且c3为c1、c2的跨接电容，有效提高了高频段带通滤波器在低频段的阻带衰减；第一低通滤波器则是由电感l2、l3和电容c4、c5、c6、c7组构成，l2和c4、l3和c5分别形成并联谐振，在带通滤波器的高频段上形成两个阻带衰减零点，有效提高了带通滤波器在高频段的阻带衰减。低频段信号则由第二低通滤波器进行分离，其第二低通滤波器由电感l4、l5和电容c8、c9、c10构成，且电感l5与电容c8并联谐振形成一个传输零点，有效提高了低频段信号在高端的阻带衰减。
7.其中第一端口
①
构成双工器的公共端口，其中第二端口
②
为低频段输入/输出端口，第三端口
③
为高频段输入/输出端口。
8.所述双工器包括有包括基体，所述的基体外侧设有第一接地端口(p1)、第二接地端口(p3)、第三接地端口(p5)、公共端口(p2)、低频段带通输入/输出端口(p4)和高频段输入/输出端口(p6)，所述的基体内部介于公共端口(p2)和高频段输入/输出端口(p6)之间设有用于分出高频段信号第一带通滤波器，所述的基体内部介于公共端口(p2)和低频段带通
输入/输出端口(p4)之间设有分离出低频段信号的第二低通滤波器，mark为其方向标识，所述的基体内部设有十二层呈叠层结构的电路层；
9.一种5g用ltcc双工器，所述双工器包括有包括基体，所述的基体外侧设有第一接地端口(p1)、第二接地端口(p3)、第三接地端口(p5)、公共端口(p2)、低频段带通输入/输出端口(p4)和高频段输入/输出端口(p6)，所述的基体内部介于公共端口(p2)和高频段输入/输出端口(p6)之间设有用于分出高频段信号第一带通滤波器，所述的基体内部介于公共端口(p2)和低频段带通输入/输出端口(p4)之间设有分离出低频段信号的第二低通滤波器，所述的基体内部设有十二层呈叠层结构的电路层；其中，
10.第一层(1)，在陶瓷介质基板上印制三块相互独立的第一层第一金属导体电容基片(1-1)、第一层第二金属导体电容基片(1-2a&1-2b)、第一层第三金属导体电容基片(1-3)，该层设置的第一层第一连接端点(1a)、第一层第二连接端点(1b)、第一层第三连接端点(1c)、第一层第四连接端点(1d)、第一层第五连接端点(1e)、第一层第六连接端点(1f)分别与端口高频段输入/输出端口(p6)、第三接地端口(p5)、低频段带通输入/输出端口(p4)、第二接地端口(p3)、公共端口(p2)、第一接地端口(p1)连接；
11.第二层(2)，在陶瓷介质基板上印制有五块相互绝缘金属平面导体，分别为第二层第一电容基片(2-1)、第二层第二电容基片(2-2)、第二层第三电容基片(2-3)、第二层第四电容基片(2-4)和第二层第一假连接端(2b)，其中第二层第一电容基片(2-1)通过第二层第一连接端点(2a)与高频段输入/输出端口(p6)相连，第二层第二假连接端(2b)与第一接地端口(p1)相连；
12.第三层(3)，在陶瓷介质基板上印制有六块相互绝缘的金属平面导体，分别为第三层第一电容基片(3-1)、第三层第二电容基片(3-2)、第三层第三电容基片(3-3)、第三层第四电容基片(3-4)、第三层第五电容基片(3-5)和第三层第一假连接端(3c)，还设有第一金属过孔(13)和第二金属过孔(14)，其中第三层第一电容基片(3-1)与第四金属过孔(16)相连，第三层第一连接端点(3a)、第三层第二连接端点(3b)、第三层第一假连接端(3c)、第三层第四连接端点(3d)分别和第三接地端口(p5)、低频段带通输入/输出端口(p4)、第二接地端口(p3)、公共端口(p2)相连，第三层第五电容基片(3-5a)通过第三金属过孔(15)和第二层第二电容基片(2-2)相连；
13.第四层(4)，在陶瓷介质基板上印制有四块相互绝缘金属平面导体，分别为第四层第一电容基片(4-1)、第四层第二电容基片(4-2a&4-2b)、第四层第三电容基片(4-3)和第四层第四电容基片(4-4)，该层还通过有第四金属过孔(16)和第五金属过孔(17)，该层上的第四层第一连接端点(4a)与高频段输入/输出端口(p6)相连接，第四层第二连接端点(4b)与第三接地端口(p5)连接，第四层第三连接端点(4c)与第一接地端口(p1)连接，第四层第四连接端点(4d)与公共端口(p2)连接，第四层第一电容基片(4-1)通过第一金属过孔(13)连接到第二层第三电容基片(2-3)；
14.第五层(5)，在陶瓷介质基板上印制有两个相互绝缘的第五层第一电容基片(5-1)和第五层第二电容基片(5-2)，还通过有第五金属过孔(17)、第六金属通孔(18)和第七金属通孔(19)，第五层第一电容基片(5-1)和第四金属过孔(16)相连接，且第五层第一连接端点(5a)与低频段带通输入/输出端口(p4)相连接，第五层第二连接端点(5b)与低频段带通输入/输出端口(p4)相连接；
15.第六层(6)，在陶瓷介质基板上印制有两个相互绝缘金属线圈，分别为第六层第一电感线圈(6-1&6-2)和第六层第二电感线圈(6-3)，还设有第五金属过孔(17)和第七金属通孔(19)，其中该层的第六层第一连接端点(6-1a)、第六层第二连接端点(6-1b)、第六层第三连接端点(6-2a)分别与第八金属过孔(20)、第十金属过孔(22)、第九金属过孔(21)相连接，其中该层的第六层第四连接端点(6-3a)、第六层第五连接端点(6-3b)分别与第六金属通孔(18)、第十一金属过孔(24)相互连接；
16.第七层(7)，在陶瓷介质基板上印制有两个相互绝缘金属线圈，分别为第七层第一电感线圈(7-1)和第七层第二电感线圈(7-2)，该层的第七层第一连接端点(7-1a)、第七层第二连接端点(7-1b)、第七层第三连接端点(7-2a)、第七层第四连接端点(7-2b)分别与第十三连接点柱(26)、第十金属过孔(22)、第十四连接点柱(23)、第十二连接点柱(25)相连，该层还通过有第五金属过孔(17)、第七金属通孔(19)和第九金属过孔(21)；
17.第八层(8)，在陶瓷介质基板上印制有一个第八层第一假连接端(8a)和两个相互绝缘金属线圈，分别为第八层第一电感线圈(8-1)、第八层第二电感线圈(8-2)，还设有第八层第一连接端点(8-1a)、第八层第二连接端点(8-1b)、第八层第三连接端点(8-2a)、第八层第四连接端点(8b)；其中第八层第一连接端点(8-1a)、第八层第二连接端点(8-1b)与第十三连接点柱(26)、第七金属通孔19相连，第八层第一假连接端(8a)与低频段带通输入/输出端口(p4)相连，第八层第四连接端点(8b)与第二接地端口(p3)相连；
18.第九层(9)，在陶瓷介质基板上印制有第九金属过孔(21)、第九层第一金属线圈(9-1)和第九层第二金属线圈(9-2)，第九层第一连接端点(9-1a)、第九层第二连接端点(9-1b)、第九层第三连接端点(9-2a)、第九层第四连接端点(9-2b)分别与第十五金属过孔(27)、第十一金属过孔(24)、第五金属过孔(17)、第十六金属过孔(28)相连接；
19.第十层(10)，在陶瓷介质基板上印制有三个相互绝缘金属线圈，分别为第十层第一电感线圈(10-1)、第十层第二电感线圈(10-2)和第十层第三电感线圈(10-3)，位于该层的第十层第一连接端点(10-1a)、第十层第二连接端点(10-1b)、第十层第三连接端点(10-2a)、第十层第四连接端点(10-2b)、第十层第五连接端点(10-3a)、第十层第六连接端点(10-3b)分别与连接第七金属通孔(19)、第九金属过孔(21)、第十九金属过孔(31)、第十六金属过孔(28)、第十八金属过孔(30)、第十五金属过孔(27)相连接；
20.第十一层(11)，在陶瓷介质基板上印制有三个相互绝缘金属线圈，分别为第十一层第一电感线圈(11-1)、第十一层第二电感线圈(11-2)、第十一层第三电感线圈(11-3)，位于该层的第十一层第一连接端点(11-1a)、第十一层第二连接端点(11-1b)、第十一层第三连接端点(11-2a)、第十一层第四连接端点(11-2b)、第十一层第一五连接端点(11-3a)、第十一层第六连接端点(11-3b)分别与第二十金属过孔(32)、第十七金属过孔(29)、第十九金属过孔(31)、第二十二金属过孔(34)、第十八金属过孔(30)、第二十一金属过孔(33)相互连接；
21.第十二层(12)，在陶瓷介质基板上印制有三个相互绝缘金属线圈，分别为第十二层第一电感线圈(12-1)、第十二层第二电感线圈(12-2)、第十二层第三电感线圈(12-3)；位于该层的第十二层第一连接端点(12-1a)、第十二层第二连接端点(12-2a)、第十二层第三连接端点(12-3a)分别与第二十金属过孔(32)、第二十二金属过孔(34)、第二十一金属过孔(33)相互连接，第十二层第一连接端点(12a)、第十二层第二连接端点(12b)、第十二层第三
连接端点(12c)、第十二层第四连接端点(12d)、第十二层第五连接端点(12e)分别与高频段输入/输出端口(p6)、第三接地端口(p5)、第二接地端口(p3)、公共端口(p2)、第一接地端口(p1)相互连接。
22.本发明的有益效果是：本发明以ltcc(低温共烧陶瓷)技术为基础，采用集总参数模型设计实现一种新型5g用ltcc低插损、高抑制双工器的特殊电性能要求。本发明有效实现了低频信号和高频信号的分频功能，具有低损耗、高抑制、高隔离、高可靠性、低成本、一致性优良和适合于大规模的生产等优点，另外还适应了新的电子元件集成化、小型化的发展趋势。
23.下面将结合附图和具体实施方式对本发明做进一步说明。
附图说明
24.图1为本发明一种5g用新型ltcc双工器等效电路示意图；
25.图2为本发明一种5g用新型ltcc双工器外观结构立体示意图；
26.图3为本发明一种5g用新型ltcc双工器内部结构示意图；
27.图4为本发明一种5g用新型ltcc双工器电特性曲线；
28.图5为本发明第一层电路平面结构示意图；
29.图6为本发明第二层电路平面结构示意图；
30.图7为本发明第二层和第三层电路之间金属过孔连接平面结构示意图；
31.图8为本发明第三层电路平面结构示意图；
32.图9为本发明第三层和第四层电路之间金属过孔连接平面结构示意图；
33.图10为本发明第四层电路平面结构示意图；
34.图11为本发明第四层和第五层之间金属过孔连接平面结构示意图；
35.图12为本发明第五层电路平面结构示意图；
36.图13为本发明第五层与第六层之间金属过孔连接平面结构示意图；
37.图14为本发明第六层电路平面结构示意图；
38.图15为本发明第六层与第七层之间金属过孔连接平面结构示意图；
39.图16为本发明第七层电路平面结构示意图；
40.图17为本发明第七层与第八层之间金属过孔连接平面结构示意图；
41.图18为本发明第八层电路平面结构示意图；
42.图19为本发明第八层与第九层之间金属过孔平面结构示意图；
43.图20为本发明第九层电路平面结构示意图；
44.图21为本发明第九层与第十层之间金属过孔连接平面结构示意图；
45.图22为本发明第十层电路平面结构示意图；
46.图23为本发明第十层与第十一层之间金属过孔连接平面结构示意图；
47.图24为本发明第十一层电路平面结构示意图；
48.图25为本发明第十一层与第十二层之间金属过孔连接平面结构示意图；
49.图26为本发明第十二层电路平面结构示意图；
50.图中编号，第一层电路平面结构(1)，第二层电路平面结构(2)，第三层电路平面结构(3)，第四层电路平面结构(4)，第五层电路平面结构(5)，第六层电路平面结构(6)，第七
层电路平面结构(7)，第八层电路平面结构(8)，第九层电路平面结构(9)，第十层电路平面结构(10)，第十一层电路平面结构(11)，第十二层电路平面结构(12)，第一金属过孔(13)-用于连接第二层第三电容基片(2-3)与第四层第一电容基片(4-1)，第二金属过孔(14)-用于连接第二层第三电容基片(2-3)与电容基片4-2b之间的连接过孔，第三金属过孔(15)-用于连接第二层第二电容基片(2-2)与第三层第五电容基片(3-5a)，第四金属过孔(16)-用于连接第三层第一电容基片(3-1)与第五层第一电容基片(5-1)，第五金属过孔(17)-用于连接第三层第五电容基片(3-5)与第九层第二金属线圈(9-2)，第六金属通孔(18)-用于连接第四层第一电容基片(4-1)与第六层第二电感线圈(6-3)的第六层第五连接端点(6-3b)孔，第七金属通孔(19)-用于连接电容基片4-2b与第八层第一电感线圈(8-1)的第八层第二连接端点(8-1b)，第八金属过孔(20)-用于连接第五层第一电容基片(5-1)与第六层第一连接端点(6-1a)，第九金属过孔(21)-用于连接第六层第三连接端点(6-2a)与第十层第一电感线圈(10-1)连接端点第十层第二连接端点(10-1b)，第十金属过孔(22)-用于连接第六层第二连接端点(6-1b)与七层第二连接端点(7-1b)，第十四连接点柱(23)-用于连接第六层第四连接端点(6-3a)与第七层第三连接端点(7-2a)，第十一金属过孔(24)-用于连接第六层第五连接端点(6-3b)与第九层第二连接端点(9-1b)，第十二连接点柱(25)-用于连接第七层第四连接端点(7-2b)与第八层第三连接端点(8-2a)，第十三连接点柱(26)-用于连接第七层第一电感线圈(7-1)的第七层第一连接端点(7-1a)与第八层第一电感线圈(8-1)的第八层第一连接端点(8-1a)，第十五金属过孔(27)-用于连接第九层第一连接端点(9-1a)与第十层第六连接端点(10-3b)，第十六金属过孔(28)-用于连接第九层第四连接端点(9-2b)与第十层第四连接端点(10-2b)，第十七金属过孔(29)-用于连接第十层第一连接端点(10-1a)与第十一层第二连接端点(11-1b)，第十八金属过孔(30)-用于连接第十层第五连接端点(10-3a)与第十一层第一五连接端点(11-3a)，第十九金属过孔(31)-用于连接第十层第三连接端点(10-2a)与第十一层第三连接端点(11-2a)，第二十金属过孔(32)-用于连接第十一层第一连接端点(11-1a)与第十二层第一连接端点(12-1a)，第二十一金属过孔(33)-用于连接第十一层第六连接端点(11-3b)与第十二层第三连接端点(12-3a)，第二十二金属过孔(34)-用于连接第十一层第四连接端点(11-2b)与第十二层第二连接端点(12-2a)。
具体实施方式
51.图1是新型ltcc低插损、高抑制双工器等效电路图。以信号从公共端口
①
输入为例说明：信号由
①
端口进入后至
②
端口输出，此条链路为第二低通滤波器，分离出低频段信号；信号由
①
端口进入到
③
端口输出，此条链路为带通滤波器，分出高频段信号。该高频段带通滤波器由一个第一高通滤波器和一个第一低通滤波器组合而成，其中第一高通滤波器由电感l1和电容c1、c2、c3构成，且c3为c1、c2的跨接电容，有效提高了高频段带通滤波器在低频段的阻带衰减；第一低通滤波器则是由电感l2、l3和电容c4、c5、c6、c7组构成，l2和c4、l3和c5分别形成并联谐振，在带通滤波器的高频段上形成两个阻带衰减零点，有效提高了带通滤波器在高频段的阻带衰减。低频段信号则由第二低通滤波器进行分离，其第二低通滤波器由电感l4、l5和电容c8、c9、c10构成，且电感l5与电容c8并联谐振形成一个传输零点，有效提高了低频段信号在高端的阻带衰减。
52.其中第一端口
①
构成双工器的公共端口，其中第二端口
②
为低频段输入/输出端
口，第三端口
③
为高频段输入/输出端口。
53.图2是新型ltcc低插损、高抑制双工器的外观结构，其中p1、p3、p5为接地端口，p2为片式双工器公共端口，p4为低频段带通输入/输出端口，p6为高频段输入/输出端口，mark为其方向标识。
54.图4是新型ltcc低插损、高抑制双工器电特性曲线。
55.图3所示的为本发明的ltcc低插损、高抑制双工器内部结构，电路结构分布在陶瓷基体内部。电路结构一共有十二层。
56.第一层(1)，请参照图5，在陶瓷介质基板上印制三块相互独立的第一层第一金属导体电容基片(1-1)、第一层第二金属导体电容基片(1-2a&1-2b)、第一层第三金属导体电容基片(1-3)，该层设置的第一层第一连接端点(1a)、第一层第二连接端点(1b)、第一层第三连接端点(1c)、第一层第四连接端点(1d)、第一层第五连接端点(1e)、第一层第六连接端点(1f)分别与端口高频段输入/输出端口(p6)、第三接地端口(p5)、低频段带通输入/输出端口(p4)、第二接地端口(p3)、公共端口(p2)、第一接地端口(p1)连接；
57.第二层(2)，请参照图6，在陶瓷介质基板上印制有五块相互绝缘金属平面导体，分别为第二层第一电容基片(2-1)、第二层第二电容基片(2-2)、第二层第三电容基片(2-3)、第二层第四电容基片(2-4)和第二层第一假连接端(2b)，其中第二层第一电容基片(2-1)通过第二层第一连接端点(2a)与高频段输入/输出端口(p6)相连，第二层第二假连接端(2b)与第一接地端口(p1)相连；
58.图7为显示的是第二层和第三层电路之间金属过孔连接平面结构示意图。
59.第三层(3)，请参照图8，在陶瓷介质基板上印制有六块相互绝缘的金属平面导体，分别为第三层第一电容基片(3-1)、第三层第二电容基片(3-2)、第三层第三电容基片(3-3)、第三层第四电容基片(3-4)、第三层第五电容基片(3-5)和第三层第一假连接端(3c)，还设有第一金属过孔(13)和第二金属过孔(14)，其中第三层第一电容基片(3-1)与第四金属过孔(16)相连，第三层第一连接端点(3a)、第三层第二连接端点(3b)、第三层第一假连接端(3c)、第三层第四连接端点(3d)分别和第三接地端口(p5)、低频段带通输入/输出端口(p4)、第二接地端口(p3)、公共端口(p2)相连，第三层第五电容基片(3-5a)通过第三金属过孔(15)和第二层第二电容基片(2-2)相连；
60.图9为显示的是第三层和第四层电路之间金属过孔连接平面结构示意图。
61.第四层(4)，请参照图10，在陶瓷介质基板上印制有四块相互绝缘金属平面导体，分别为第四层第一电容基片(4-1)、第四层第二电容基片(4-2a&4-2b)、第四层第三电容基片(4-3)和第四层第四电容基片(4-4)，该层还通过有第四金属过孔(16)和第五金属过孔(17)，该层上的第四层第一连接端点(4a)与高频段输入/输出端口(p6)相连接，第四层第二连接端点(4b)与第三接地端口(p5)连接，第四层第三连接端点(4c)与第一接地端口(p1)连接，第四层第四连接端点(4d)与公共端口(p2)连接，第四层第一电容基片(4-1)通过第一金属过孔(13)连接到第二层第三电容基片(2-3)；
62.图11显示的是第四层和第五层之间金属过孔连接平面结构示意图。
63.第五层(5)，请参照图12，在陶瓷介质基板上印制有两个相互绝缘的第五层第一电容基片(5-1)和第五层第二电容基片(5-2)，还通过有第五金属过孔(17)、第六金属通孔(18)和第七金属通孔(19)，第五层第一电容基片(5-1)和第四金属过孔(16)相连接，且第五
层第一连接端点(5a)与低频段带通输入/输出端口(p4)相连接，第五层第二连接端点(5b)与低频段带通输入/输出端口(p4)相连接；
64.图13显示的是第五层与第六层之间金属过孔连接平面结构示意图。
65.第六层(6)，请参照图14，在陶瓷介质基板上印制有两个相互绝缘金属线圈，分别为第六层第一电感线圈(6-1&6-2)和第六层第二电感线圈(6-3)，还设有第五金属过孔(17)和第七金属通孔(19)，其中该层的第六层第一连接端点(6-1a)、第六层第二连接端点(6-1b)、第六层第三连接端点(6-2a)分别与第八金属过孔(20)、第十金属过孔(22)、第九金属过孔(21)相连接，其中该层的第六层第四连接端点(6-3a)、第六层第五连接端点(6-3b)分别与第六金属通孔(18)、第十一金属过孔(24)相互连接；
66.图15显示的是第六层与第七层之间金属过孔连接平面结构示意图；
67.第七层(7)，请参照图16，在陶瓷介质基板上印制有两个相互绝缘金属线圈，分别为第七层第一电感线圈(7-1)和第七层第二电感线圈(7-2)，该层的第七层第一连接端点(7-1a)、第七层第二连接端点(7-1b)、第七层第三连接端点(7-2a)、第七层第四连接端点(7-2b)分别与第十三连接点柱(26)、第十金属过孔(22)、第十四连接点柱(23)、第十二连接点柱(25)相连，该层还通过有第五金属过孔(17)、第七金属通孔(19)和第九金属过孔(21)；
68.图17显示的是第七层与第八层之间金属过孔连接平面结构示意图；
69.第八层(8)，请参照图18，在陶瓷介质基板上印制有一个第八层第一假连接端(8a)和两个相互绝缘金属线圈，分别为第八层第一电感线圈(8-1)、第八层第二电感线圈(8-2)，还设有第八层第一连接端点(8-1a)、第八层第二连接端点(8-1b)、第八层第三连接端点(8-2a)、第八层第四连接端点(8b)；其中第八层第一连接端点(8-1a)、第八层第二连接端点(8-1b)与第十三连接点柱(26)、第七金属通孔19相连，第八层第一假连接端(8a)与低频段带通输入/输出端口(p4)相连，第八层第四连接端点(8b)与第二接地端口(p3)相连；
70.图19显示的是第八层与第九层之间金属过孔平面结构示意图。
71.第九层(9)，请参照图20，在陶瓷介质基板上印制有第九金属过孔(21)、第九层第一金属线圈(9-1)和第九层第二金属线圈(9-2)，第九层第一连接端点(9-1a)、第九层第二连接端点(9-1b)、第九层第三连接端点(9-2a)、第九层第四连接端点(9-2b)分别与第十五金属过孔(27)、第十一金属过孔(24)、第五金属过孔(17)、第十六金属过孔(28)相连接；
72.图21显示的是第九层与第十层之间金属过孔连接平面结构示意图；
73.第十层(10)，请参照图22，在陶瓷介质基板上印制有三个相互绝缘金属线圈，分别为第十层第一电感线圈(10-1)、第十层第二电感线圈(10-2)和第十层第三电感线圈(10-3)，位于该层的第十层第一连接端点(10-1a)、第十层第二连接端点(10-1b)、第十层第三连接端点(10-2a)、第十层第四连接端点(10-2b)、第十层第五连接端点(10-3a)、第十层第六连接端点(10-3b)分别与连接第七金属通孔(19)、第九金属过孔(21)、第十九金属过孔(31)、第十六金属过孔(28)、第十八金属过孔(30)、第十五金属过孔(27)相连接；
74.图23显示的是第十层与第十一层之间金属过孔连接平面结构示意图；
75.第十一层(11)，请参照图24，在陶瓷介质基板上印制有三个相互绝缘金属线圈，分别为第十一层第一电感线圈(11-1)、第十一层第二电感线圈(11-2)、第十一层第三电感线圈(11-3)，位于该层的第十一层第一连接端点(11-1a)、第十一层第二连接端点(11-1b)、第十一层第三连接端点(11-2a)、第十一层第四连接端点(11-2b)、第十一层第一五连接端点
(11-3a)、第十一层第六连接端点(11-3b)分别与第二十金属过孔(32)、第十七金属过孔(29)、第十九金属过孔(31)、第二十二金属过孔(34)、第十八金属过孔(30)、第二十一金属过孔(33)相互连接；
76.图25显示的是第十一层与第十二层之间金属过孔连接平面结构示意图；
77.第十二层(12)，请参照图26，在陶瓷介质基板上印制有三个相互绝缘金属线圈，分别为第十二层第一电感线圈(12-1)、第十二层第二电感线圈(12-2)、第十二层第三电感线圈(12-3)；位于该层的第十二层第一连接端点(12-1a)、第十二层第二连接端点(12-2a)、第十二层第三连接端点(12-3a)分别与第二十金属过孔(32)、第二十二金属过孔(34)、第二十一金属过孔(33)相互连接，第十二层第一连接端点(12a)、第十二层第二连接端点(12b)、第十二层第三连接端点(12c)、第十二层第四连接端点(12d)、第十二层第五连接端点(12e)分别与高频段输入/输出端口(p6)、第三接地端口(p5)、第二接地端口(p3)、公共端口(p2)、第一接地端口(p1)相互连接。
78.其中，电路中电感l1由九层第二金属线圈(9-2)、第十层第二电感线圈(10-2)、第十一层第二电感线圈(11-2)和第十二层第二电感线圈(12-2)相互连接构成；电路中电感l2由部分第六层第一电感线圈(6-1)、第七层第一电感线圈(7-1)和第八层第一电感线圈(8-1)相互连接构成，电路中电感l3由部分的第六层第一电感线圈(6-2)、第十层第一电感线圈(10-1)、第十一层第一电感线圈(11-1)和第十二层第一电感线圈(12-1)相互连接构成，电路中电感l4由第九层第一金属线圈(9-1)、第十层第一电感线圈(10-1)和第十一层第一电感线圈(11-1)相互连接构成，电路中电感l5由第六层第二电感线圈(6-3)、第七层第二电感线圈(7-2)和第九层第一金属线圈(9-1)、第十层第三电感线圈(10-3)、第十一层第三电感线圈(11-3)和第十二层第三电感线圈(12-3)相互连接构成，电路中电容c1由部分的第一层第二金属导体电容基片(1-2a)、第二层第二电容基片(2-2)和第三层第二电容基片(3-2)构成，电路中电容c2由第三层第五电容基片(3-5)、第二层第三电容基片(2-3)和部分的第四层第二电容基片(4-2b)构成，电路中电容c3由部分的第一层第二金属导体电容基片(1-2b)和第二层第三电容基片(2-3)构成，电路中电容c4由第三层第一电容基片(3-1)与第五层第一电容基片(5-1)构成，电路中电容c5由第三层第一电容基片(3-1)与第四层第三电容基片(4-3)构成，电路中电容c6由第三层第一电容基片(3-1)与第二层第一电容基片(2-1)构成，电路中电容c7由第一层第一金属导体电容基片(1-1)与第二层第一电容基片(2-1)构成，电路中电容c8由第二层第四电容基片(2-4)与第三层第四电容基片(3-4)构成，电路中电容c9由第一层第三金属导体电容基片(1-3)、第二层第四电容基片(2-4)、第三层第三电容基片(3-3)和第四层第一电容基片(4-1)构成，电路中电容c10由第三层第四电容基片(3-4)、第四层第四电容基片(4-4)和第五层第二电容基片(5-2)构成。