技术特征：
1.一种低闪烁噪声的低温压控振荡器电路，其特征在于，包括：双层电感耦合结构、变压器结构、第一振荡频率调节电路、第二振荡频率调节电路、第一mos管以及第二mos管；其中，所述双层电感耦合结构的上层电感一端耦合至工作电压输入端，下层电感一端通过所述第一电容耦合至工作电压输入端，上层电感和下层电感的另一端共同耦合至所述变压器结构的中心抽头；所述变压器结构的初级绕组的一端耦合至所述第一mos管的栅极，其另一端耦合至所述第二mos管的栅极，次级绕组的一端耦合至所述第一mos管的漏极，其另一端耦合至所述第二mos管的漏极；而且，所述变压器结构的初级绕组的中心耦合至第二电压输入端；所述第一mos管和所述第二mos管的源极分别耦合至接地端，所述第一mos管的漏极耦合至第二电容的一端，所述第二mos管的漏极耦合至第二电容的另一端；所述第一差模电容调节电路与所述第二差模电容调节电路并联连接，并设置在所述变压器结构的初级绕组的两端之间，用以分别调节接入所述变压器结构的初级绕组的差模电容，进而调节压控振荡器电路的振荡频率。2.如权利要求1所述低闪烁噪声的低温压控振荡器电路，其特征在于，所述双层电感耦合结构由两条叠层设置的金属走线构成，上层金属走线构成所述上层电感，下层金属走线构成所述下层电感，且所述两条叠层设置的金属走线被构造为同一平面内相对称的两个环形结构。3.如权利要求2所述低闪烁噪声的低温压控振荡器电路，其特征在于，还包括去耦电容；其中，所述工作电压输入端耦合至所述去耦电容的正极板，所述双层电感耦合结构的上层电感的一端耦合至所述去耦电容的正极板，下层电感一端通过所述第一电容耦合至所述去耦电容的正极板，所述去耦电容的负极板耦合至接地端。4.如权利要求1所述低闪烁噪声的低温压控振荡器电路，其特征在于，所述第一差模电容调节电路包括：第一固定电容、第一可变电容和第二可变电容；且所述第一可变电容与所述第二可变电容串联连接后与所述第一固定电容并联连接，并设置在所述变压器结构的初级绕组的两端之间；其中，第一可变电容与所述第二可变电容的连接节点耦合至电容调节电压输入端。5.如权利要求1所述低闪烁噪声的低温压控振荡器电路，其特征在于，所述第二差模电容调节电路包括：多个开关电容单元；其中，每个所述开关电容单元包括：一对固定电容和一个mos管；而且，所述mos管的源极通过一个固定电容耦合至所述变压器结构的初级绕组的一端，所述mos管的漏极通过另一个固定电容耦合至所述变压器结构的初级绕组的另一端，所述mos管的栅极耦合至该开关电容单元对应的开关信号输入端。6.如权利要求5所述低闪烁噪声的低温压控振荡器电路，其特征在于，所述开关电容单元还包括：第一反相器、第二反相器和一对电阻；其中，所述第一反相器的输入端耦合至该开关电容单元对应的开关信号输入端，其输出端耦合至所述第二反相器的输入端，所述第二反相器的输出端耦合至所述mos管的栅极；一个电阻一端耦合至所述mos管的源极，另一端耦合至所述第一反相器的输出端，另一个电阻一端耦合至所述mos管的漏极，另一端耦合至所述第一反相器的输出端。7.如权利要求6所述低闪烁噪声的低温压控振荡器电路，其特征在于，所述第二差模电容调节电路的电容值变化范围与所述第一电容的电容值的比例为10:1～20:1之间。
8.如权利要求1～7任一项所述低闪烁噪声的低温压控振荡器电路，其特征在于，还包括：多个开关电阻单元；其中，每个所述开关电阻单元包括：一个接地电阻和一个mos管，而且，所述第一mos管和所述第二mos管的源极共同耦合至所述接地电阻的一端，所述接地电阻的另一端耦合至mos管的漏极，mos管的源极耦合至接地端，mos管的栅极耦合至该开关电阻单元对应的开关信号输入端。9.如权利要求8所述低闪烁噪声的低温压控振荡器电路，其特征在于，还包括：第一缓冲器和第二缓冲器；其中，所述第一缓冲器的输入端耦合至所述变压器结构的初级绕组的一端，其另一端耦合至第一频率输出端，所述第二缓冲器的输入端耦合至所述变压器结构的初级绕组的另一端，其另一端耦合至第二频率输出端。10.一种芯片，其特点在于，包括：硅衬底；以及，形成于所述硅衬底上的如权利要求1～9任一项所述的低闪烁噪声的低温压控振荡器电路，其中，所述低闪烁噪声的低温压控振荡器电路采用coms工艺制作。11.一种量子测控系统，其特征在于，包括：如权利要求10所述的芯片。
技术总结
本发明实施例提供了一种低闪烁噪声的低温压控振荡器电路、芯片及量子测控系统，在该低闪烁噪声的低温压控振荡器电路中，通过采用双层电感耦合结构和变压器结构，能够同时构建双二次谐波谐振点以及三次谐波谐振点，在低温下谐波调谐技术维持有效，使谐波可准确对齐，进而成功抑制低温闪烁噪声；同时，利用第一差模电容调节电路和第二差模电容调节电路分别实现振荡器频率的细调和粗调，实现宽带低温闪烁噪声的抑制。烁噪声的抑制。烁噪声的抑制。
技术研发人员：王成 张耕南阳
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2022.09.02
技术公布日：2022/12/29