技术特征：
1.一种基板处理设备，其包括：处理室，在所述处理室中具有用于处理基板的处理空间；基板支撑单元，所述基板支撑单元被配置为在所述处理空间中支撑所述基板；以及微波施加单元，所述微波施加单元被配置为向所述处理空间施加微波，并且其中所述微波施加单元包括基于固态器件的微波功率发生器。2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述固态器件包括氮化镓(gan)器件。3.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述微波功率发生器能够偏移或扫描所述微波的频率。4.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述微波功率发生器能够扫描具有在第一频率与第二频率之间的第一带宽的微波，所述第二频率高于所述第一频率。5.根据权利要求4所述的基板处理设备，其中所述微波功率发生器多次扫描具有所述第一带宽的所述微波。6.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述微波功率发生器扫描具有在第一频率与第二频率之间的第一带宽的微波，所述第二频率高于所述第一频率，并且多个模式的总和是加热廓线，并且其中根据所述处理空间的形状以不同的数量确定所述多个模式。7.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述微波功率发生器扫描具有在第一频率与第二频率之间的第一带宽的微波，所述第二频率高于所述第一频率，并且多个模式的总和是加热廓线，并且其中根据所述第一带宽的宽度以不同的数量确定所述多个模式。8.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述微波施加单元包括：板状的微波天线，所述微波天线定位在所述基板支撑单元上方；介电板，所述介电板定位在所述微波天线的顶部和下方；以及天线杆，所述天线杆将在所述微波功率发生器处产生的微波传输到所述微波天线。9.根据权利要求8所述的基板处理设备，其中所述微波施加单元充当用于将加热能量传输到所述基板的加热源。10.根据权利要求8所述的基板处理设备，其还包括用于将反应气体供应到所述处理空间的气体供应单元，并且其中微波施加单元充当用于将所述反应气体激发成等离子体状态的等离子体源。11.一种基板处理方法，其包括：将基板支撑在处理室的处理空间中；以及用多个频率扫描将微波施加到所述处理空间。12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其中由基于固态器件的微波功率发生器产生所述微波。13.根据权利要求12所述的基板处理方法，其中所述固态器件包括氮化镓(gan)器件。14.根据权利要求11所述的基板处理方法，其中所述微波的所述频率扫描扫描具有在第一频率与第二频率之间的第一带宽的微波，所述第二频率高于所述第一频率。15.根据权利要求14所述的基板处理方法，其中多次扫描具有所述第一带宽的所述微波来提供所述微波。
16.根据权利要求11所述的基板处理方法，其中所述微波扫描具有在第一频率与第二频率之间的第一带宽的微波，所述第二频率高于所述第一频率，并且多个模式的总和是加热廓线，并且其中根据所述处理空间的形状以不同的数量确定所述多个模式。17.根据权利要求11所述的基板处理方法，其中所述微波扫描具有在第一频率与第二频率之间的第一带宽的微波，所述第二频率高于所述第一频率，并且多个模式的总和是加热廓线，并且其中根据所述第一带宽的宽度以不同的数量确定所述多个模式。18.根据权利要求11所述的基板处理方法，其中通过所述微波的传输来加热所述基板。19.根据权利要求18所述的基板处理方法，其中将不同于所述微波的微波传输到所述处理空间以将所述处理空间内的反应气体激发成等离子体。20.一种基板处理设备，其包括：处理室，在所述处理室中具有用于处理基板的处理空间；基板支撑单元，所述基板支撑单元被配置为在所述处理空间中支撑所述基板；微波施加单元，所述微波施加单元被配置为向所述处理空间施加微波，并且其中所述微波施加单元包括基于氮化镓(gan)固态器件的微波功率发生器，并且其中所述微波功率发生器扫描在第一频率与第二频率之间的第一带宽处存在的多个目标扫描频率，所述第二频率高于所述第一频率，并且其中根据所述处理空间的形状和所述第一带宽的宽度不同地确定目标扫描频率的数量。
技术总结
本发明构思提供了一种基板处理设备。在实施方式中，所述基板处理设备包括：处理室，在所述处理室中具有用于处理基板的处理空间；基板支撑单元，所述基板支撑单元被配置为在所述处理空间中支撑所述基板；以及微波施加单元，所述微波施加单元被配置为向所述处理空间施加微波，并且其中所述微波施加单元包括基于固态器件的微波功率发生器。器件的微波功率发生器。器件的微波功率发生器。
技术研发人员：崔伦硕 金润相 丁宣旭
受保护的技术使用者：细美事有限公司
技术研发日：2022.09.08
技术公布日：2023/3/9