1.一种光电器件，其特征在于：所述光电器件包括层叠的阳极、空穴功能层、发光层及阴极，所述空穴功能层的材料包括核壳结构颗粒，所述核壳结构颗粒的核的材料选自p型半导体材料，所述核壳结构颗粒的壳的材料选自n型半导体材料。
2.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于：所述空穴功能层由所述核壳结构颗粒组成。
3.如权利要求1或2所述的光电器件，其特征在于：所述p型半导体材料选自氧化铜、氧化镍、氧化铬、一氧化锰、氧化亚铁、氧化亚镍、氧化亚铜、氧化亚铅、氧化亚钴、氧化亚银中的一种或多种；和/或
4.如权利要求3所述的光电器件，其特征在于：所述p型半导体材料选自氧化铜，所述n型半导体材料选自氧化锌；和/或
5.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于：所述壳的厚度为3-8nm；和/或
6.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于：所述发光层的材料包括量子点发光材料和有机发光材料中的至少一种，所述量子点发光材料的表面连接有第二硫基配体，所述量子点发光材料选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自ii-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种，所述ii-vi族化合物选自cdse、cds、cdte、znse、zns、cdte、znte、cdzns、cdznse、cdznte、znses、znsete、zntes、cdses、cdsete、cdtes、cdznses、cdznsete及cdznste中的至少一种，所述iii-v族化合物选自inp、inas、gap、gaas、gasb、aln、alp、inasp、innp、innsb、gaalnp及inalnp中的至少一种；所述i-iii-vi族化合物选自cuins2、cuinse2及agins2中的至少一种，所述核壳结构的量子点的核选自所述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自cds、cdte、cdsete、cdznse、cdzns、cdses、znse、znses和zns中的至少一种；所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、tbpe荧光材料、ttpa荧光材料、tbrb荧光材料及dbp荧光材料中的至少一种。
7.如权利要求6所述的光电器件，其特征在于：所述第二巯基配体选自巯基乙酸、巯基丙酸、巯基乙醇中的至少一种。
8.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于：所述空穴功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层，所述空穴功能层包括所述空穴注入层和所述空穴传输层时，所述空穴注入层靠近所述阳极一侧设置，所述空穴传输层靠近所述发光层一侧设置；和/或
9.一种光电器件的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于：所述提供核壳结构颗粒包括如下步骤：
11.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于：所述第一溶剂选自乙醇、甲醇、乙二醇、异丙醇、正十一醇、正十二醇、正十六醇、正十八醇中的至少一种；和/或
12.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于：所述阳离子源选自金属盐，所述金属盐选自醋酸盐、硬脂酸盐、磷酸盐、二甲基丙烯酸盐、乙酸盐中的至少一种；和/或
13.如权利要求12所述的制备方法，其特征在于：
14.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于：所述将所述核溶液、所述阳离子源和所述阴离子源混合，在所述p型半导体材料的表面包覆形成壳之后，还包括：
15.如权利要求14所述的制备方法，其特征在于：
16.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于：
17.如权利要求16所述的制备方法，其特征在于：
18.一种显示装置，其特征在于：包括如权利要求1-8任一项所述的光电器件，或者包括由权利要求9-17任一项所述的光电器件的制备方法得到的光电器件。