显示装置以及其制造方法与流程

本发明的实施例涉及一种显示装置以及其制造方法，更详细地，涉及一种能够在制造过程中降低发生不良的可能性的显示装置以及其制造方法。

背景技术：

1、通常，显示装置通过在基板上形成显示装置并以与显示装置所期望的形状对应的方式切割基板，从而制造具有期望的形状的显示装置。

技术实现思路

1、然而，这种现有的显示装置存在如下的问题：在以与显示装置的期望的形状对应的方式切割基板的过程中，在显示装置可能发生裂纹或者显示装置的构成中的一部分可能被碳化。

2、本发明作为解决包括如上所述的问题的多个问题的方案，其目的在于提供一种在制造过程中能够降低不良发生可能性的显示装置以及其制造方法。然而，这种技术问题是示例性的，本发明的保护范围并不会被上述技术问题所限定。

3、根据本发明的一观点提供一种显示装置，包括：基板，具有显示区域和位于所述显示区域的外侧的周边区域；薄膜晶体管层，布置于所述基板上；残膜控制坝，位于所述基板上，位于所述显示区域的外侧；以及第一坝部，以位于所述残膜控制坝与所述显示区域之间的方式位于所述基板上，覆盖所述残膜控制坝的一部分，并且高于所述残膜控制坝的高度。

4、所述薄膜晶体管层可以包括：第一半导体层，布置于所述基板上；第一栅极绝缘层，覆盖所述第一半导体层；以及第一栅极层，布置于所述第一栅极绝缘层上。

5、所述残膜控制坝可以包括包含与所述第一栅极绝缘层相同的物质的第一无机绝缘层，所述第一无机绝缘层的厚度可以大于所述第一栅极绝缘层的厚度。

6、所述第一无机绝缘层与所述第一栅极绝缘层可以为一体。

7、所述薄膜晶体管层还可以包括：第一层间绝缘层，覆盖所述第一栅极层。

8、所述残膜控制坝可以包括包含与所述第一层间绝缘层相同的物质的第二无机绝缘层，所述第二无机绝缘层的厚度可以大于所述第一层间绝缘层的厚度。

9、所述第二无机绝缘层与所述第一层间绝缘层可以为一体。

10、所述薄膜晶体管层还可以包括：导电层，布置于所述第一层间绝缘层上；以及第二层间绝缘层，覆盖所述导电层。

11、所述残膜控制坝可以包括包含与所述第二层间绝缘层相同的物质的第三无机绝缘层，所述第三无机绝缘层的厚度可以大于所述第二层间绝缘层的厚度。

12、所述第三无机绝缘层与所述第二层间绝缘层可以为一体。

13、所述薄膜晶体管层还可以包括：第二半导体层，布置于所述第二层间绝缘层上；第二栅极绝缘层，覆盖所述第二半导体层；以及第二栅极层，布置于所述第二栅极绝缘层上。

14、所述残膜控制坝可以包括包含与所述第二栅极绝缘层相同的物质的第四无机绝缘层，所述第四无机绝缘层的厚度可以大于所述第二栅极绝缘层的厚度。

15、所述第四无机绝缘层与所述第二栅极绝缘层可以为一体。

16、所述薄膜晶体管层还可以包括：第三层间绝缘层，覆盖所述第二栅极层。

17、所述残膜控制坝可以包括包含与所述第三层间绝缘层相同的物质的第五无机绝缘层，所述第五无机绝缘层的厚度可以大于所述第三层间绝缘层的厚度。

18、所述第五无机绝缘层与所述第三层间绝缘层可以为一体。

19、所述残膜控制坝可以包括：第一无机绝缘层，包括与所述第一栅极绝缘层相同的物质；第二无机绝缘层，包括与所述第一层间绝缘层相同的物质；第三无机绝缘层，包括与所述第二层间绝缘层相同的物质；第四无机绝缘层，包括与所述第二栅极绝缘层相同的物质；以及第五无机绝缘层，包括与所述第三层间绝缘层相同的物质，其中，所述第一无机绝缘层至所述第五无机绝缘层的厚度的总和可以大于所述第一栅极绝缘层、所述第一层间绝缘层、所述第二层间绝缘层、所述第二栅极绝缘层以及所述第三层间绝缘层的厚度的总和。

20、所述第一无机绝缘层与所述第一栅极绝缘层可以为一体，所述第二无机绝缘层与所述第一层间绝缘层可以为一体，所述第三无机绝缘层与所述第二层间绝缘层可以为一体，所述第四无机绝缘层与所述第二栅极绝缘层可以为一体，所述第五无机绝缘层与所述第三层间绝缘层可以为一体。

21、所述残膜控制坝可以在上表面具有沿着所述显示区域的外侧延伸的至少一个凹槽。

22、所述残膜控制坝可以围绕所述显示区域一周。

23、当从垂直于所述基板的方向观察时，所述显示区域可以包括拐角部，所述残膜控制坝可以沿着所述拐角部延伸。

24、根据本发明的一观点可以提供一种显示装置的制造方法，包括如下步骤：在具有显示区域和周边区域的基板上形成具有与所述显示区域对应的薄部和与所述周边区域对应的厚部的无机绝缘层；在所述基板上形成位于所述厚部的朝所述显示区域方向的一侧的第一坝部和位于所述厚部的另一侧的第二坝部；以及向所述厚部照射激光束来去除所述第二坝部以及位于所述第二坝部外侧的下部的所述基板的一部分。

25、所述制造方法还可以包括如下步骤：在所述基板上形成第一半导体层，其中，形成所述无机绝缘层的步骤可以为形成覆盖所述第一半导体层的无机绝缘层的步骤。

26、所述制造方法还可以包括如下步骤：在所述基板上形成第一半导体层；以及在所述第一半导体层上部形成第一栅极层，其中，形成所述无机绝缘层的步骤可以为形成覆盖所述第一栅极层的无机绝缘层的步骤。

27、所述制造方法还可以包括如下步骤：在所述基板上形成第一半导体层；在所述第一半导体层上部形成第一栅极层；以及在所述第一栅极层上部形成导电层，其中，形成所述无机绝缘层的步骤可以为形成覆盖所述导电层的无机绝缘层的步骤。

28、所述制造方法还可以包括如下步骤：在所述基板上形成第一半导体层；在所述第一半导体层上部形成第一栅极层；在所述第一栅极层上部形成导电层；以及在所述导电层上部形成第二半导体层，其中，形成所述无机绝缘层的步骤可以为形成覆盖所述第二半导体层的无机绝缘层的步骤。

29、所述制造方法还可以包括如下步骤：在所述基板上形成第一半导体层；在所述第一半导体层上部形成第一栅极层；在所述第一栅极层上部形成导电层；在所述导电层上部形成第二半导体层；以及在所述第二半导体层上部形成第二栅极层，其中，形成所述无机绝缘层的步骤可以为形成覆盖所述第二栅极层的无机绝缘层的步骤。

30、所述制造方法还可以包括如下步骤：在所述基板上形成第一半导体层；在所述第一半导体层上部形成第一栅极层；在所述第一栅极层上部形成导电层；在所述导电层上部形成第二半导体层；以及在所述第二半导体层上部形成第二栅极层，其中，形成所述无机绝缘层的步骤可以包括如下步骤：形成覆盖所述第一半导体层的第一无机绝缘层；形成覆盖所述第一栅极层的第二无机绝缘层；形成覆盖所述导电层的第三无机绝缘层；形成覆盖所述第二半导体层的第四无机绝缘层；以及形成覆盖所述第二栅极层的第五无机绝缘层。

31、除了上述内容之外的其他方面、特征、优点将从以下的附图、权利要求书及发明的详细说明得以明确。

32、根据如上所述的根据本发明的显示装置的制造方法的一实施例，可以提供一种在制造过程中能够降低不良发生可能性的显示装置以及其制造方法。当然，本发明的保护范围并不会被该效果所限定。