1.一种薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一离子束轰击和所述第二离子束轰击是在所述干燥处理以形成固化膜的步骤之后进行。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一离子束轰击和所述第二离子束轰击是在所述形成湿膜的步骤之后且在所述干燥处理以形成固化膜的步骤之前进行。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述溶液中，所述包含薄膜材料的溶液的浓度为20mg/ml至50mg/ml；
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述氢离子束轰击为连续式处理，所述氢离子束轰击的注入能量为1kev至10kev，所述氢离子束轰击的处理时间为20ms至60ms；或者，所述氢离子束轰击为间断式处理，所述氢离子束轰击的注入能量为1kev至10kev，每次氢离子束轰击时间为20ms至60ms，相邻两次氢离子束轰击时间的间隔为2s至5s，氢离子束轰击的次数为2次至10次；
6.根据权利要求1至5任一项中所述的制备方法，其特征在于，所述氢离子束轰击和所述氧离子束轰击无重叠处理的时间段。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述氢离子束轰击和所述氧离子束轰击依照先后顺序分别进行；
8.根据权利要求1至5任一项中所述的制备方法，其特征在于，所述氢离子束轰击和所述氧离子束轰击存在至少部分重叠处理的时间段。
9.一种光电器件，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件为正置型结构，至少与所述阴极相邻的膜层采用如权利要求1至8任一项中所述的制备方法制得；
11.根据权利要求9或10所述的光电器件，其特征在于，所述功能层包括发光层，所述发光层的材料选自有机发光材料或量子点；
12.根据权利要求11所述的光电器件，其特征在于，所述功能层还包括空穴功能层，所述空穴功能层设置于所述阳极与所述发光层之间，所述空穴功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层，对于包含所述空穴注入层和所述空穴传输层的所述空穴功能层，所述空穴注入层较所述空穴传输层更靠近所述阳极，所述空穴传输层较所述空穴注入层更靠近所述发光层；
13.根据权利要求12所述的光电器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料选自聚(9,9-二辛基芴-co-n-(4-丁基苯基)二苯胺)、3-己基取代聚噻吩、聚(9-乙烯咔唑)、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、聚(n,n'-二(4-丁基苯基)-n,n'-二苯基-1,4-苯二胺-co-9,9-二辛基芴)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、n,n'-二苯基-n,n'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、n,n'-二苯基-n,n'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)、掺杂或非掺杂的石墨烯、c60、nio、moo3、wo3、v2o5、cro3、cuo或p型氮化镓中的至少一种；
14.根据权利要求13所述的光电器件，其特征在于，所述电子传输层的材料还包括丙三醇，在所述电子传输层中，所述金属氧化物：丙三醇的质量比为1：(0.01～0.1)；
15.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求9至14任一项中所述的光电器件。