一种显示面板及其制备方法、显示装置与流程

本技术实施例涉及显示器件，尤其涉及一种显示面板、一种显示面板的制备方法以及一种显示装置。

背景技术：

1、对于显示分辨率有更高要求的有机发光半导体(organic light-emittingdiode,oled)显示器而言，传统的像素制备工艺无法达到相应的精密度，通常需要利用整面蒸镀得到的白色发光器件进行发光。比如高达3000每英寸像素密度(pixel per inch,ppi)的硅基oled微型显示器，受限于精度要求，无法采用传统的精细金属掩膜板制备单色发光器件，只能整面蒸镀白色发光器件进行发光。而整面蒸镀发光器件，得到未分隔像素的发光层，需要利用其它手段对发光像素区域进行分隔。目前，针对超高分辨率的显示器件，如何有效地实现像素间的隔断，提高显示效果，仍然是技术人员亟待解决的难题。

技术实现思路

1、本技术实施例提供了一种显示面板、一种显示面板的制备方法以及一种显示装置，旨在针对多叠层发光器件的显示面板，有效地实现像素间的隔断，提高显示效果。

2、在一方面，本技术实施例提供了一种显示面板，包括：发光区和围绕所述发光区的电荷隔断区；

3、所述显示面板在所述发光区包括：依次层叠的第一缓冲层和多个发光层，以及每相邻两个所述发光层之间的电荷产生层；

4、所述显示面板在所述电荷隔断区包括：与所述第一缓冲层同层的金属网格层，位于所述金属网格层一侧且至少与所述电荷产生层同层的第一隔断结构；

5、所述第一隔断结构包括：热膨胀材料；所述第一隔断结构，用于隔断所述电荷产生层。

6、可选地，所述热膨胀材料包括多个球状体；

7、所述金属网格层，用于在通电的情况下产生热量，使所述多个球状体受热发生膨胀。

8、可选地，所述热膨胀材料包括：石墨烯。

9、可选地，所述球状体在所述金属网格层通电之前的直径大于30微米且小于50微米，所述球状体在所述金属网格层通电之后的直径大于50微米且小于80微米。

10、可选地，所述第一隔断结构还包括：包覆所述热膨胀材料的胶体，用于限定所述热膨胀材料的形状和/或者位置，还用于随所述热膨胀材料的膨胀而延展。

11、可选地，所述第一隔断结构远离所述金属网格层的一端是楔形。

12、可选地，多个所述发光层包括：依次层叠的第一发光层，第二发光层以及第三发光层；

13、所述电荷产生层包括：位于所述第一发光层与所述第二发光层之间的第一电荷产生层，以及位于所述第二发光层与所述第三发光层之间的第二电荷产生层；

14、所述第一隔断结构还与所述第一发光层和所述第二发光层同层；

15、所述显示面板在所述电荷隔断区还包括：延伸至所述电荷隔断区的所述第三发光层。

16、可选地，所述显示面板在所述发光区还包括：电极区；

17、所述显示面板在所述电极区包括：位于所述第一发光层远离所述电荷产生层一侧的第一电极，以及位于所述第三发光层远离所述电荷产生层一侧的第二电极。

18、可选地，所述显示面板在发光区还包括：围绕所述电极区的界定区；

19、所述显示面板在所述界定区包括：界定结构；所述界定结构包括：延伸的所述第一电极，以及沿所述第一电极的法线方向朝所述第二电极延伸的所述第一缓冲层。

20、可选地，所述显示面板还包括：位于所述第一缓冲层和所述金属网格层远离所述发光层一侧的第二缓冲层和第三缓冲层；

21、所述第二缓冲层和所述第三缓冲层与所述第一电极同层设置。

22、可选地，所述显示面板还包括：位于所述第一缓冲层和所述金属网格层远离所述发光层一侧的单晶硅衬底基板，所述单晶硅衬底基板包括驱动电路。

23、与现有技术相比，本技术实施例提供的一种显示面板具有以下优点：

24、(1)提供多个发光层的多叠层发光器件，利用电荷产生层为两侧发光层提供功能，实现多叠层发光器件的组合发光，可以有助于提高显示面板的发光亮度。

25、(2)提供围绕发光区的第一隔断结构，至少对电荷产生层进行隔断，可以对各发光区实现像素级的分隔，使得各发光区的电荷产生层彼此独立，像素发光也是独立完成的，以此从发光功能层面避免像素间的串色，从而改善显示面板的色域与低灰阶特性，提升显示面板的显示效果。

26、(3)提供围绕发光区的第一隔断结构，在对电荷产生层进行隔断的同时，还可以对电荷产生层两侧的发光层进行隔断，从物理结构上对发光层发出的光线也进行线路的限制，进而也从光学效果层面实现像素间的分隔，进一步避免像素间的串色，改善显示面板的色域与低灰阶特性，提升显示面板的显示效果。

27、(4)考虑到多叠层的发光器件具有较大厚度，则用于隔断电荷产生层的第一隔断结构也具有较大高度，难以直接制备。本技术实施例中的第一隔断结构是由金属网格层通电加热使热膨胀材料受热膨胀得到的，极大降低了具有较大高度的第一隔断结构的制备难度和精度要求，能够实现高分辨率显示面板的制备。

28、在又一方面，本技术实施例还提供了一种显示面板的制备方法，所述显示面板包括：发光区和围绕所述发光区的电荷隔断区；所述方法包括：

29、在所述发光区，提供第一缓冲层；

30、在所述电荷隔断区，得到与所述第一缓冲层同层的金属网格层；

31、在所述金属网格层的一侧，得到初始隔断结构，所述初始隔断结构包括热膨胀材料；

32、在所述发光区，依次得到层叠的多个发光层以及每相邻两个所述发光层之间的电荷产生层；

33、对所述金属网格层通电，所述金属网格层在通电的情况下产生热量，使所述热膨胀材料受热发生膨胀，得到第一隔断结构。

34、可选地，所述对所述金属网格层通电，所述金属网格层在通电的情况下产生热量，使所述热膨胀材料受热发生膨胀，得到第一隔断结构的步骤，包括：

35、在得到所述显示面板的剩余所有结构之后，对所述金属网格层通电，所述金属网格层在通电的情况下产生热量，使所述热膨胀材料受热发生膨胀，得到所述第一隔断结构。

36、可选地，所述在所述金属网格层的一侧，得到初始隔断结构的步骤，包括：

37、在所述金属网格层的一侧，制备所述热膨胀材料；

38、在所述电荷隔断区，制备包覆所述热膨胀材料的胶体，得到所述初始隔断结构。

39、与现有技术相比，本技术实施例提供的一种显示面板的制备方法具有以下优点：

40、(1)该制备方法得到的显示面板具有上述任一项实施例中的显示面板所具有的全部优点。

41、(2)该制备方法考虑到多叠层的发光器件具有较大厚度，则用于隔断电荷产生层的第一隔断结构也具有较大高度，难以直接制备。因此，本技术实施例可以在得到发光层和电荷产生层之前，得到较为容易制备的初始隔断结构，在得到发光层和电荷产生层之后，对金属网格层通电，由初始隔断结构中的热膨胀材料受热发生膨胀，得到第一隔断结构，由此极大降低了具有较大高度的第一隔断结构的制备难度，易于应用于多叠层发光器件显示面板的大规模量产，示例性的，可以应用于高分辨率的硅基oled显示面板的制备。

42、在又一方面，本技术实施例还提供了一种显示装置，包括上述任一项实施例所述的显示面板或者利用上述任一实施例的方法制备得到的显示面板。

43、本技术实施例提供的显示装置，包括上述实施例中的显示面板，也具有上述显示面板的全部优点。