技术特征：
1.一种温度补偿型薄膜体声波滤波器，其特征在于，所述滤波器包括：第一谐振器，所述第一谐振器包括依次层叠设置的第一衬底、第一电极、第一压电层、第一温补层以及第二电极；以及第二谐振器，所述第二谐振器包括依次层叠设置的第二衬底、第三电极、第二压电层、第二温补层、第四电极以及加厚层。2.如权利要求1所述的温度补偿型薄膜体声波滤波器，其特征在于，所述滤波器包括以下(1)～(2)中的至少一项：(1)所述第一温补层的材料包括二氧化硅；(2)所述第二温补层的材料包括二氧化硅。3.如权利要求1所述的温度补偿型薄膜体声波滤波器，其特征在于，所述滤波器包括以下(1)～(2)中的至少一项：(1)所述第一压电层的材料包括钪掺杂的氮化铝；(2)所述第二压电层的材料包括钪掺杂的氮化铝。4.如权利要求3所述的温度补偿型薄膜体声波滤波器，其特征在于，在所述钪掺杂的氮化铝中，钪掺杂的质量比为5％～43％。5.如权利要求1至4中任一项所述的温度补偿型薄膜体声波滤波器，其特征在于，所述滤波器包括以下(1)～(9)中的至少一项：(1)所述第一电极的厚度为200nm～500nm；(2)所述第一压电层的厚度为500nm～20000nm；(3)所述第一温补层的厚度为60nm～600nm；(4)所述第二电极的厚度为200nm～500nm；(5)所述第三电极的厚度为200nm～500nm；(6)所述第二压电层的厚度为500nm～20000nm；(7)所述第二温补层的厚度为60nm～600nm；(8)所述第四电极的厚度为200nm～500nm；(9)所述加厚层的厚度为10nm～100nm。6.如权利要求1至4中任一项所述的温度补偿型薄膜体声波滤波器，其特征在于，所述第一谐振器的数量至少为两个，所述第二谐振器的数量比所述第一谐振器的数量至少多一个，所述滤波器还包括：串联支路，所述串联支路具有输入端和输出端，多个所述第一谐振器在所述输入端和所述输出端之间串联连接；以及多个并联支路，每个所述并联支路中均设有所述第二谐振器；其中，至少一所述并联支路中的所述第二谐振器连接在任意相邻的两个所述第一谐振器的连接点与接地端之间；其中，至少一所述并联支路中的所述第二谐振器连接在所述输入端和最邻近所述输入端的所述第一谐振器的连接点与接地端之间；其中，至少一所述并联支路中的所述第二谐振器连接在所述输出端和最邻近所述输出端的所述第一谐振器的连接点与接地端之间。7.如权利要求1至4中任一项所述的温度补偿型薄膜体声波滤波器，其特征在于，所述
滤波器包括以下(1)～(2)中的至少一项：(1)所述第一衬底为硅晶圆衬底，所述第一衬底临近所述第一电极的表面设有第一空腔；(2)所述第二衬底为硅晶圆衬底，所述第二衬底临近所述第三电极的表面设有第二空腔。8.如权利要求1至4中任一项所述的温度补偿型薄膜体声波滤波器，其特征在于，所述滤波器包括以下(1)～(5)中的至少一项：(1)所述第一电极的材料包括钼；(2)所述第二电极的材料包括钼；(3)所述第三电极的材料包括钼；(4)所述第四电极的材料包括钼；(5)所述加厚层的材料包括钼。9.如权利要求1至4中任一项所述的温度补偿型薄膜体声波滤波器，其特征在于，所述滤波器包括以下(1)～(2)中的至少一项：(1)所述第一谐振器还包括第一焊盘引线，且所述第一焊盘引线通过所述第一电极和所述第二电极引出；(2)所述第二谐振器还包括第二焊盘引线，且所述第二焊盘引线通过所述第三电极和所述第四电极引出。10.一种如权利要求1至9中任一项所述的温度补偿型薄膜体声波滤波器的制备方法，其特征在于，包括第一谐振器的制备方法和第二谐振器的制备方法；其中，第一谐振器的制备方法包括以下步骤：提供第一衬底，并在所述第一衬底上制备第一电极；在所述第一电极上制备第一压电层；在所述第一压电层上制备第一温补层；以及在所述第一温补层上制备第二电极；其中，第二谐振器的制备方法包括以下步骤：提供第二衬底，并在所述第二衬底上制备第三电极；在所述第三电极上制备第二压电层；在所述第二压电层上制备第二温补层；在所述第二温补层上制备第四电极；以及在所述第四电极上制备加厚层。
技术总结
本发明提供了一种温度补偿型薄膜体声波滤波器，所述滤波器包括第一谐振器和第二谐振器。所述第一谐振器包括依次层叠设置的第一衬底、第一电极、第一压电层、第一温补层以及第二电极，所述第二谐振器包括依次层叠设置的第二衬底、第三电极、第二压电层、第二温补层、第四电极以及加厚层。本发明还提供了一种所述的温度补偿型薄膜体声波滤波器的制备方法。本发明能够避免影响滤波器的品质因数(Q值)以及插损性能。性能。性能。
技术研发人员：李国强
受保护的技术使用者：河源市艾佛光通科技有限公司
技术研发日：2022.12.17
技术公布日：2023/3/28