发光器件及显示装置的制作方法

本技术涉及显示，具体涉及一种发光器件及显示装置。

背景技术：

1、电致发光器件一般由阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层和阳极组成，器件工作时需要注入电子和空穴。当正向偏压加到器件两端时，电子和空穴分别通过电子传输层和空穴传输层进入发光层中复合发光。但现有的电致发光器件性能仍不够理想，例如，其存在电流效率低、和/或亮度低的问题。

技术实现思路

1、本技术提供一种发光器件及显示装置，以解决目前发光器件存在电流效率低或亮度低的技术问题。

2、一方面，本技术提供一种发光器件，包括：

3、相对设置的第一电极和第二电极；

4、至少两个发光单元，所述至少两个发光单元层叠设置于所述第一电极和所述第二电极之间；

5、至少一个电荷产生单元，所述电荷产生单元设置于相邻的两个所述发光单元之间；每一电荷产生单元包括层叠设置的第一电子功能层和第二空穴功能层，所述第一电子功能层的材料的导带能级小于-4.0ev。

6、可选地，所述第一电子功能层包括第一电子传输层，所述第一电子传输层的材料包括金属氧化物纳米颗粒，所述金属氧化物纳米颗粒包括非掺杂型sno2纳米颗粒或掺杂型sno2纳米颗粒。

7、可选地，所述掺杂型sno2纳米颗粒中的掺杂元素包括zn、ga、mg和li中的至少一种；和/或，

8、所述金属氧化物纳米颗粒的平均粒径为3～15nm；和/或，

9、所述掺杂型sno2纳米颗粒中掺杂元素与sno2纳米颗粒的质量比为大于0，且小于等于25％。

10、可选地，所述第一电子功能层为第一电子传输层，所述第一电子传输层包括多个层叠的子电子传输层，至少一个所述子电子传输层的材料的导带能级小于-4.0ev，导带能级小于-4.0ev的所述子电子传输层与所述第二空穴注入层相邻设置。示例性地，至少一个所述子电子传输层的材料的导带能级小于或等于约-4.0ev、或者小于或等于约-4.1ev、或者小于或等于约-4.2ev、或者小于或等于约-4.3ev、或者小于或等于约-4.4ev、或者小于或等于约-4.5ev、或者小于或等于约-4.6ev、或者小于或等于约-4.7ev、或者小于或等于约-4.8ev、或者小于或等于约-4.9ev、或者小于或等于约-5.0ev、或者小于或等于约-5.1ev、或者小于或等于约5.2ev、或者小于或等于约5.3ev、或者小于或等于约5.4ev。

11、可选地，至少一个所述子电子传输层的材料的导带能级小于-4.0ev，且大于或等于-5.5ev。例如至少一个所述子电子传输层的材料的导带能级在-4.0ev至-5.5ev之间，例如约-4.0ev至约-5.4ev之间、约-4.0ev至约-5.3ev之间、约-4.0ev至约-5.2ev之间、约-4.0ev至约-5.1ev之间、约-4.0ev至约-5.0ev之间、约-4.1ev至约-5.5ev之间、约-4.2ev至约-5.5ev之间、约-4.3ev至约-5.5ev之间、约-4.4ev至约-5.5ev之间、约-4.5ev至约-5.5ev之间、约-4.6ev至约-5.5ev之间、约-4.7ev至约-5.5ev之间、约-4.8ev至约-5.5ev之间、约-4.9ev至约-5.5ev之间、约-5.0ev至约-5.5ev之间等。

12、可选地，所述第二空穴功能层为第二空穴注入层，所述第二空穴注入层的材料的homo能级大于或等于-5.3ev。示例性地，所述第二空穴注入层的材料的homo能级大于或等于约-5.3ev、或者大于或等于约-5.2ev、或者大于或等于约-5.1ev、或者大于或等于约-5.0ev、或者大于或等于约-4.9ev、或者大于或等于约-4.8ev、或者大于或等于约-4.7ev、或者大于或等于约-4.6ev、或者大于或等于约-4.5ev、或者大于或等于约-4.4ev、或者大于或等于约-4.3ev、或者大于或等于约-4.2ev、或者大于或等于约-4.1ev。

13、可选地，第二空穴注入层的材料的homo能级在-4.0ev至-5.3ev之间，例如约-4.0ev至约-5.3ev之间、约-4.0ev至约-5.2ev之间、约-4.0ev至约-5.1ev之间、约-4.0ev至约-5.0ev之间、约-4.1ev至约-5.3ev之间、约-4.2ev至约-5.3ev之间、约-4.3ev至约-5.3ev之间、约-4.4ev至约-5.3ev之间、约-4.5ev至约-5.3ev之间、约-4.6ev至约-5.3ev之间、约-4.7ev至约-5.3ev之间、约-4.8ev至约-5.3ev之间、约-4.9ev至约-5.3ev之间、约-5.0ev至约-5.3ev之间等。

14、可选地，至少两个所述发光单元包括第一发光单元和第二发光单元；

15、所述第一发光单元包括依次层叠设置的第一空穴功能层和第一量子点发光层；所述第一量子点发光层与所述第一电子功能层相邻设置；

16、所述第二发光单元包括依次层叠设置的第二量子点发光层和第二电子功能层；所述第二量子点发光层与所述第二空穴功能层相邻设置，所述第二电子功能层设置于所述第二量子点发光层背离所述第二空穴功能层的一侧。

17、可选地，每个所述发光单元用于发射相同颜色的光；和/或

18、所述发光单元分别独立地用于发射红光、或绿光、或蓝光；和/或

19、所述发光单元分别独立地包括依次层叠设置的红光量子点发光层、绿光量子点发光层和蓝光量子点发光层。

20、可选地，所述第一电子功能层为第一电子传输层，所述第二空穴功能层为第二空穴注入层；

21、所述第一空穴功能层包括依次层叠设置的第一空穴注入层和第一空穴传输层，所述第一空穴传输层与所述第一量子点发光层相邻设置，所述第一电子传输层设置于所述第一量子点发光层背离所述第一空穴传输层的一侧，且与所述第一量子点发光层相邻设置；

22、所述第二电子功能层为第二电子传输层；

23、所述第二发光单元还包括第二空穴传输层，所述第二空穴传输层设置于所述第二空穴注入层和所述第二量子点发光层之间。

24、可选地，形成所述第一电子传输层和所述第二电子传输层的材料相同，形成所述第一空穴传输层的材料的空穴迁移率小于形成所述第二空穴传输层的材料的空穴迁移率；和/或，

25、形成所述第一空穴传输层和所述第二空穴传输层的材料相同，形成所述第一电子传输层的材料的电子迁移率大于形成所述第二电子传输层的材料的电子迁移率；和/或，

26、形成所述第一空穴传输层的材料的空穴迁移率小于所述第二空穴传输层的材料的空穴迁移率，形成所述第一电子传输层的材料的电子迁移率大于形成所述第二电子传输层的材料的电子迁移率。

27、可选地，所述第一空穴注入层的厚度为10-50nm；和/或，

28、所述第一空穴传输层的厚度为15-40nm；和/或，

29、所述第一量子点发光层的厚度为10-50nm；和/或，

30、所述第一电子传输层的厚度为20-60nm；和/或，

31、所述第二空穴注入层的厚度为10-50nm；和/或，

32、所述第二空穴传输层的厚度为15-40nm；和/或，

33、所述第二量子点发光层厚度是10-50nm；和/或，

34、所述第二电子传输层的厚度为20-60nm；和/或，

35、所述第二电极的厚度为80-500nm。

36、可选地，所述第一电极和所述第二电极分别独立选自掺杂金属氧化物颗粒电极、金属与金属氧化物的复合电极、石墨烯电极、碳纳米管电极、金属电极或合金电极，所述掺杂金属氧化物颗粒电极的材料选自铟掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、锑掺杂氧化锡、铝掺杂氧化锌、镓掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌及铝掺杂氧化镁中的一种或几种，所述金属与金属氧化物的复合电极选自azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、tio2/ag/tio2、tio2/al/tio2、zns/ag/zns、zns/al/zns，所述金属电极的材料选自ag、al、cu、mo、au、pt、si、ca、mg及ba中的一种或几种；和/或，

37、所述第一量子点发光层和所述第二量子点发光层的材料分别独立选自量子点发光材料中的一种或几种，所述量子点发光材料选自单一结构量子点、核壳结构量子点及钙钛矿型半导体材料中的一种或几种，所述单一结构量子点的材料、核壳结构量子点的核材料及核壳结构量子点的壳层材料分别选自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种，所述ii-vi族化合物选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的至少一种，所述iv-vi族化合物选自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete、snpbste中的至少一种，所述iii-v族化合物选自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas及inalpsb中的至少一种，所述i-iii-vi族化合物选自cuins2、cuinse2及agins2中的至少一种，所述钙钛矿型半导体材料选自掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体、或有机-无机杂化钙钛矿型半导体。所述无机钙钛矿型半导体的结构通式为amx3，其中a为cs+离子，m为二价金属阳离子，选自pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+、eu2+中的至少一种，x为卤素阴离子，选自cl-、br-、i-中的至少一种。所述有机-无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为bmx3，其中b为有机胺阳离子，选自ch3(ch2)n-2nh3+或[nh3(ch2)nnh3]2+，其中n≥2，m为二价金属阳离子，选自pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+、eu2+中的至少一种，x为卤素阴离子，选自cl-、br-、i-中的至少一种；和/或，

38、所述第二电子传输层的材料选自金属氧化物、掺杂金属氧化物、2-6族半导体材料、3-5族半导体材料及1-3-6族半导体材料中的至少一种，所述金属氧化物选自zno、bao、tio2、sno2中的至少一种；所述掺杂金属氧化物中的金属氧化物选自zno、tio2、sno2中的至少一种，掺杂元素选自al、mg、li、in、ga中的至少一种，所述2-6半导体族材料选自zns、znse、cds中的至少一种；所述3-5半导体族材料选自inp、gap中的至少一种；所述1-3-6族半导体材料选自cuins、cugas中的至少一种；和/或，

39、所述第一空穴传输层和所述第二空穴传输层的材料分别独立选自4,4'-n,n'-二咔唑基-联苯、n,n'-二苯基-n,n'-双(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4”-二胺、n,n'-二苯基-n,n'-双(3-甲基苯基)-(1,1'-联苯基)-4,4'-二胺、n,n'-双(3-甲基苯基)-n,n'-双(苯基)-螺、n,n'-二(4-(n,n'-二苯基-氨基)苯基)-n,n'-二苯基联苯胺、4,4',4'-三(n-咔唑基)-三苯胺、4,4',4'-三(n-3-甲基苯基-n-苯基氨基)三苯胺、聚[(9,9'-二辛基芴-2,7-二基)-co-(4,4'-(n-(4-仲丁基苯基)二苯胺))]、聚(4-丁基苯基-二苯基胺)、聚苯胺、聚吡咯、聚(对)亚苯基亚乙烯基、聚(亚苯基亚乙烯基)、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基]和聚[2-甲氧基-5-(3',7'-二甲基辛氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基]、铜酞菁、芳香族叔胺、多核芳香叔胺、4,4'-双(对咔唑基)-1,1'-联苯化合物、n,n,n',n'-四芳基联苯胺、pedot:pss及其衍生物、聚(n-乙烯基咔唑)及其衍生物、聚甲基丙烯酸酯及其衍生物、聚(9,9-辛基芴)及其衍生物、聚(螺芴)及其衍生物、n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基联苯胺、螺npb、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯、c60、掺杂或非掺杂的nio、掺杂或非掺杂的moo3、掺杂或非掺杂的wo3、掺杂或非掺杂的v2o5、掺杂或非掺杂的p型氮化镓、掺杂或非掺杂的cro3、掺杂或非掺杂的cuo中的至少一种；和/或，

40、所述第一空穴注入层和所述第二空穴注入层的材料分别独立选自2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、pedot、pedot:pss、pedot:pss掺有s-moo3的衍生物、4,4',4'-三(n-3-甲基苯基-n-苯基氨基)三苯胺、四氰基醌二甲烷、酞菁铜、氧化镍、氧化钼、氧化钨、氧化钒、硫化钼、硫化钨及氧化铜中的至少一种。

41、本技术另一方面提供一种显示装置，该显示装置包括上述的发光器件。

42、本技术中提供一种发光器件及显示装置，该发光器件通过使至少两个发光单元叠层设置在第一电极和第二电极之间，从而提高了器件的亮度和使用寿命；并且，本技术中采用导带能级小于-4.0ev的材料形成第一电子功能层，从而使电荷产生单元具有更高的电荷产出效率，进一步提高了空穴和电子的复合概率，从而提高了器件的电流效率、亮度和使用寿命，使器件具有更优的性能。