发光器件和显示装置的制作方法

本技术涉及显示，尤其涉及一种发光器件和显示装置。

背景技术：

1、目前广泛使用的发光器件包括有机发光二极管(oled)和量子点发光二极管(qled)。传统的发光器件的结构一般包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及阴极。在电场的作用下，发光器件的阳极产生的空穴和阴极产生的电子发生移动，分别向空穴传输层和电子传输层注入，最终迁移到发光层，当二者在发光层相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光。

2、现有的发光器件的电子传输层的材料会使用到掺镁无机颗粒，例如掺镁氧化锌，虽然镁元素的掺入可有效减少无机颗粒对发光层材料的荧光淬灭，从而提高qled的电流效率，但是，由于镁元素的掺入还会降低无机颗粒的电子迁移率，进而影响发光器件的的发光效率。

技术实现思路

1、有鉴于此，本技术提供一种发光器件和显示装置，旨在改善现有发光器件的发光效率较低的问题。

2、本技术实施例提供了一种发光器件，包括层叠的阳极、发光层、电子传输层和阴极，所述电子传输层包括n个层叠的子电子传输层，其中，n大于等于2，所述子电子传输层的材料包括复合材料，所述复合材料为核壳结构；

3、其中，所述核的材料包括掺镁无机颗粒，所述壳的材料包括金属氧化物；所述n个层叠的子电子传输层中，靠近发光层的子电子传输层中的复合材料的核中镁的掺杂量大于靠近阴极的子电子传输层中的复合材料的核中镁的掺杂量。

4、可选的，在本技术的一些实施例中，所述掺镁无机颗粒包括掺镁氧化锌。

5、可选的，在本技术的一些实施例中，所述金属氧化物包括非掺杂型金属氧化物，所述非掺杂型金属氧化物包括mgo、sio、tio2中的至少一种；和/或，

6、所述金属氧化物包括掺杂型金属氧化物，所述掺杂型金属氧化物包括金属氧化物颗粒和掺杂元素，所述金属氧化物颗粒包括zno、mgo、sio、tio2中的至少一种，所述掺杂元素包括al、li、sn中的至少一种。

7、可选的，在本技术的一些实施例中，所述复合材料的平均粒径为3～10nm；和/或，

8、所述壳的厚度为0.5～3nm。

9、可选的，在本技术的一些实施例中，所述n个层叠的子电子传输层中，以掺镁无机颗粒中镁的摩尔含量与无机颗粒的摩尔含量之和为100％计，在沿着发光层指向阴极的方向上，所述n个子电子传输层的复合材料的核中镁的摩尔含量逐渐降低，相邻的两个子电子传输层中，层与层中的掺镁无机颗粒中镁的摩尔含量的差值为5～20％。

10、可选的，在本技术的一些实施例中，所述n个层叠的子电子传输层中，以掺镁无机颗粒中镁的摩尔含量与无机颗粒的摩尔含量之和为100％计，最靠近所述发光层的子电子传输层中的掺镁无机颗粒中镁的摩尔含量为1～25％；和/或，

11、所述n个层叠的子电子传输层中，以掺镁无机颗粒中镁的摩尔含量与无机颗粒的摩尔含量之和为100％计，最靠近所述阴极的子电子传输层中的掺镁无机颗粒中镁的摩尔含量大于0且小于等于20％。

12、可选的，在本技术的一些实施例中，所述n个层叠的子电子传输层中，以掺镁无机颗粒中镁的摩尔含量与无机颗粒的摩尔含量之和为100％计，最靠近所述发光层的子电子传输层中的掺镁无机颗粒中镁的摩尔含量为10～15％；和/或，

13、所述n个层叠的子电子传输层中，以掺镁无机颗粒中镁的摩尔含量与无机颗粒的摩尔含量之和为100％计，最靠近所述阴极的子电子传输层中的掺镁无机颗粒中镁的摩尔含量大于0且小于等于5％。

14、可选的，在本技术的一些实施例中，所述电子传输层的厚度为10～50nm；和/或，

15、所述n个层叠的子电子传输层中，最靠近所述发光层的子电子传输层的厚度为所述电子传输层厚度的20～75％；和/或，

16、所述n个层叠的子电子传输层中，最靠近所述阴极的子电子传输层的厚度为所述电子传输层厚度的10～50％；和/或，

17、每一子电子传输层的厚度为所述电子传输层厚度的10～90％。

18、可选的，在本技术的一些实施例中，所述阳极和所述阴极的材料分别独立包括掺杂金属氧化物颗粒电极、复合电极、石墨烯电极、碳纳米管电极、金属单质电极或合金电极，所述掺杂金属氧化物颗粒电极的材料包括铟掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、锑掺杂氧化锡、铝掺杂氧化锌、镓掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌及铝掺杂氧化镁中的一种或多种，所述复合电极包括azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、tio2/ag/tio2、tio2/al/tio2、zns/ag/zns或zns/al/zns，所述金属单质电极的材料包括ag、al、cu、au、mo、pt、ca及ba中的至少一种；和/或，

19、所述发光器件还包括位于所述阳极和所述发光层之间的空穴注入层，所述空穴注入层的材料包括2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、pedot、pedot:pss、pedot:pss掺有s-moo3的衍生物、4,4',4'-三(n-3-甲基苯基-n-苯基氨基)三苯胺、四氰基醌二甲烷、酞菁铜、氧化镍、氧化钼、氧化钨、氧化钒、硫化钼、硫化钨及氧化铜中的至少一种；和/或，

20、所述发光器件还包括位于所述阳极和所述发光层之间的空穴传输层，所述空穴传输层的材料包括1,2,4,5-四(三氟甲基)苯、4,4'-n,n'-二咔唑基-联苯、n,n'-二苯基-n,n'-双(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4”-二胺、n,n'-二苯基-n,n'-双(3-甲基苯基)-(1,1'-联苯基)-4,4'-二胺、n,n'-双(3-甲基苯基)-n,n'-双(苯基)-螺、n,n'-二(4-(n,n'-二苯基-氨基)苯基)-n,n'-二苯基联苯胺、4,4',4'-三(n-咔唑基)-三苯胺、4,4',4'-三(n-3-甲基苯基-n-苯基氨基)三苯胺、聚[(9,9'-二辛基芴-2,7-二基)-co-(4,4'-(n-(4-仲丁基苯基)二苯胺))]、聚(4-丁基苯基-二苯基胺)、聚苯胺、聚吡咯、聚(对)亚苯基亚乙烯基、聚(亚苯基亚乙烯基)、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基]和聚[2-甲氧基-5-(3',7'-二甲基辛氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基]、铜酞菁、芳香族叔胺、多核芳香叔胺、4,4'-双(对咔唑基)-1,1'-联苯化合物、n,n,n',n'-四芳基联苯胺、pedot:pss及其衍生物、聚(n-乙烯基咔唑)及其衍生物、聚甲基丙烯酸酯及其衍生物、聚(9,9-辛基芴)及其衍生物、聚(螺芴)及其衍生物、n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基联苯胺、螺npb、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯、c60、掺杂或非掺杂的nio、掺杂或非掺杂的moo3、掺杂或非掺杂的wo3、掺杂或非掺杂的v2o5、掺杂或非掺杂的p型氮化镓、掺杂或非掺杂的cro3、掺杂或非掺杂的cuo中的至少一种；和/或，

21、所述发光层为有机发光层或量子点发光层，所述有机发光层的材料包括cbp:ir(mppy)3(4,4'-双(n-咔唑)-1,1'-联苯:三[2-(对甲苯基)吡啶-c2,n)合铱(iii))、tctx:ir(mmpy)(4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(对甲苯基)吡啶-c2,n)合铱)、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、tbpe荧光材料、ttpx荧光材料、tbrb荧光材料及dbp荧光材料中的至少一种；所述量子点发光层的材料包括单一结构量子点、核壳结构量子点及钙钛矿型半导体材料中的至少一种；所述单一结构量子点的材料、核壳结构量子点的核材料及核壳结构量子点的壳层材料分别独立包括ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种；所述ii-vi族化合物包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的至少一种；所述iv-vi族化合物包括sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete、snpbste中的至少一种；所述iii-v族化合物包括gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas及inalpsb中的至少一种；所述i-iii-vi族化合物包括cuins2、cuinse2及agins2中的至少一种；所述钙钛矿型半导体材料包括掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体、或有机-无机杂化钙钛矿型半导体；所述无机钙钛矿型半导体的结构通式为amx3，其中a为cs+离子，m为二价金属阳离子，包括pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+、eu2+中的至少一种，x为卤素阴离子，包括cl-、br-、i-中的至少一种；所述有机-无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为bmx3，其中b为有机胺阳离子，包括ch3(ch2)n-2nh3+或[nh3(ch2)nnh3]2+，其中n≥2，m为二价金属阳离子，包括pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+、eu2+中的至少一种，x为卤素阴离子，包括cl-、br-、i-中的至少一种。

22、相应的，本技术实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括所述的发光器件。

23、本技术所述的发光器件中的电子传输层包括n个层叠的子电子传输层。所述子电子传输层的材料包括复合材料，所述复合材料为核壳结构。所述核的材料包括掺镁无机颗粒，所述壳的材料包括金属氧化物。且在n个层叠的子电子传输层中，靠近发光层的子电子传输层中的复合材料的核中镁的掺杂量大于靠近阴极的子电子传输层中的复合材料的核中镁的掺杂量，在沿着发光层指向阴极的方向上，所述n个子电子传输层的复合材料的核中镁的掺杂量呈梯度减少的趋势，在阴极与最靠近发光层的子电子传输层之间形成导带能级梯度，如此，既可以减少发光层中量子点的淬灭，使发光层具有优异的发光性能，又有利于电子注入，从而提升发光器件的发光效率；再一方面，子电子传输层的材料为核壳结构的复合材料，这种结构可以有效提升无机颗粒的稳定性，进而延长发光器件的寿命。