一种低方阻金属网格屏蔽膜的制作方法

1.本实用新型涉及一种电磁屏蔽技术领域，具体是一种低方阻金属网格屏蔽膜。


背景技术：

2.屏蔽膜是一种抗电磁辐射、抗电磁干扰的透光屏蔽装置，主要利用屏蔽材料阻挡或衰减被屏蔽区域与外界之间的电磁能量传输，广泛适用于手机、平板、汽车、保密会议室、仪器仪表视窗等起到阻断电磁干扰作用。
3.但是现有的金属网格屏蔽膜设计的网格线长0.5mm左右，方阻偏高，屏蔽效果不佳。因此，本领域技术人员提供了一种低方阻金属网格屏蔽膜，以解决上述背景技术中提出的问题。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的在于提供一种低方阻金属网格屏蔽膜，通过减小网格的线长，增加金属网格的密度，进而提升单位面积的方阻实现超低方阻，从而提高屏蔽效果，以解决上述背景技术中提出的问题。
5.为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
6.一种低方阻金属网格屏蔽膜，包括：
7.透明uv胶层，所述透明uv胶层包括相对的第一表面与第二表面，且第一表面具有网格凹槽；
8.屏蔽网，在所述网格凹槽中填充导电材料构成所述屏蔽网，且屏蔽网的网格线长为0.05mm。
9.作为本实用新型进一步的方案：所述透明uv胶层的第二表面设有透明基材。
10.作为本实用新型再进一步的方案：所述透明基材的材料选用pet。
11.作为本实用新型再进一步的方案：所述透明基材远离透明uv胶层的一面、屏蔽网表面均设有保护膜。
12.作为本实用新型再进一步的方案：所述保护膜选用pe材料。
13.作为本实用新型再进一步的方案：所述导电材料包括铜金属、银金属与ito中的一种。
14.作为本实用新型再进一步的方案：所述屏蔽网的网格形状为菱形或随机无规则形状。
15.与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
16.1、本技术通过减小网格的线长，增加金属网格的密度，进而提升单位面积的方阻实现超低方阻，从而提高屏蔽效果。
附图说明
17.图1为相关技术中的屏蔽膜金属网格线长结构图；
18.图2为本技术的一种低方阻金属网格屏蔽膜的结构示意图；
19.图3为本技术的一种低方阻金属网格屏蔽膜中金属网格线长结构图；
20.图4为本技术的一种低方阻金属网格屏蔽膜的屏蔽效果图；
21.图5为相关技术中的屏蔽膜的屏蔽效果图。
22.图中：1、透明uv胶层；2、屏蔽网；3、透明基材；4、保护膜。
具体实施方式
23.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
24.在本实用新型中，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“竖直”、“水平”、“横向”、“纵向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系。这些术语主要是为了更好地描述本实用新型及其实施例，并非用于限定所指示的装置、元件或组成部分必须具有特定方位，或以特定方位进行构造和操作。
25.并且，上述部分术语除了可以用于表示方位或位置关系以外，还可能用于表示其他含义，例如术语“上”在某些情况下也可能用于表示某种依附关系或连接关系。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解这些术语在本实用新型中的具体含义。
26.此外，术语“安装”、“设置”、“设有”、“连接”、“相连”应做广义理解。例如，可以是固定连接，可拆卸连接，或整体式构造；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或者是通过中间媒介间接相连，又或者是两个装置、元件或组成部分之间内部的连通。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
27.此外，术语“第一”、“第二”等主要是用于区分不同的装置、元件或组成部分(具体的种类和构造可能相同也可能不同)，并非用于表明或暗示所指示装置、元件或组成部分的相对重要性和数量。除非另有说明，“多个”的含义为两个或两个以上。
28.正如本技术的背景技术中提及的，发明人经研究发现，相关技术中的屏蔽膜金属网格线长结构如图1所示，网格线长0.5mm左右，方阻偏高，屏蔽效果不佳。
29.为了解决上述问题，本技术公开了一种低方阻金属网格屏蔽膜，通过减小网格的线长，增加金属网格的密度，进而提升单位面积的方阻实现超低方阻，从而提高屏蔽效果。
30.以下将结合附图对本技术的方案如何解决上述技术问题详细介绍。
31.请参考图2～图3，本技术公开了一种低方阻金属网格屏蔽膜，包括：
32.透明uv(ultraviolet rays)胶层1，透明uv胶层1包括相对的第一表面与第二表面，且第一表面具有网格凹槽；网格凹槽是通过模具在透明uv胶层1上压印制成的；
33.屏蔽网2，在网格凹槽中填充导电材料构成屏蔽网2，且屏蔽网2的网格线长为0.05mm，相较于相关技术中的屏蔽膜金属网格，网格线长明显减小了很多。
34.优选的，透明uv胶层1的第二表面设有透明基材3。基材用以起到支撑作用，而采用透明的基材能够提高该屏蔽膜的透光性。
35.更优选的，透明基材3的材料选用pet(polyethylene terephthalate)，pet材料硬度高、耐磨、电气绝缘性好,耐蠕变性能优异、尺寸稳定性、耐气候性佳、抗化学性稳定、吸水
性低、耐弱酸、受温影响小，是制作屏蔽膜基材的优良材料。
36.更优选的，透明基材3远离透明uv胶层1的一面、屏蔽网2表面均设有保护膜4。保护膜4的设置能够提高该屏蔽膜的整体防护性能。
37.优选的，保护膜4选用pe(polyethylene)材料。pe材料拥有极强的耐磨性和抗应力开裂性，适用于作为保护层。
38.优选的，导电材料包括铜金属、银金属与ito(indium tin oxide)中的一种。铜金属、银金属与ito的阻抗较低，导电性良好。
39.优选的，屏蔽网2的网格形状为菱形或随机无规则形状。
40.以下结合制备过程对本技术的屏蔽膜作进一步说明。
41.1、制作小网格，通过光绘机制作小网格的菲林光罩。
42.光绘机通过激光对菲林进行扫描制作小网格的菲林光罩(掩膜版)，小网格的线长为0.05mm左右(如图3所示)，而现有金属网格屏蔽膜设计的网格线长0.5mm左右(如图4所示)，方阻偏高，屏蔽效果不佳，本技术所设计的网格相较于现有网格在线长上做出了调整，使得线长较小，方阻较低，屏蔽效果良好。
43.2、制作胶版，用曝光机台利用菲林光罩图案，在光刻胶版上曝光出所需要的图形。
44.曝光机台在进行曝光时，菲林光罩起到遮光作用，本技术采用菲林曝光加工的方式制作模具，对比传统的激光直写模具成本降低有优势，且模具生产周期快，模具成品率高，并可以使用卷对卷压印方式连续印刷线路，实现批量生产。
45.3、真空镀膜，曝光好的胶版整面镀镍。
46.将需要镀膜的胶版与所镀材料(镍)放入在真空腔中，采用蒸发或溅射的镀膜方式将所镀材料镀在胶版的整面。
47.4、电镀模具，对胶版进行电镀，进行制作模具。
48.在胶版上进行电镀后再制作模具能够有效增加模具的抗腐蚀性与耐磨性。
49.5、压印产品，利用模具压印透明uv胶层1一面并填充导电材料，形成具有屏蔽效果的屏蔽网2。
50.利用模具压印透明uv胶层1一面形成网格凹槽，并在网格凹槽中填充导电材料形成屏蔽网(金属网格导电层)2，透明uv胶层1另一面设有透明基材3，传统的金属网格是采用刻蚀工艺，而本技术是填充(向网格凹槽内填充导电材料)工艺，不仅成本低，效率高，还可以卷对卷工艺生产。
51.6、制作成品，产品两面贴上保护膜4，切割客户所需要的尺寸外形。
52.在产品两面贴上保护膜4用以对产品起到一定的保护效果，再通过镭射方式切割客户所需要的尺寸外形，最后分别对现有技术的网格屏蔽膜与本技术的网格屏蔽膜进行屏蔽性能检测，相关技术中的网格屏蔽膜的检测结果如图5所示，本技术的网格屏蔽膜的检测结果如图4所示，不难发现，本技术的网格屏蔽膜明显在各个频率的电磁波屏蔽效果上优于现有技术网格屏蔽膜，特别是在100mhz，本技术的屏蔽效能高于现有技术29.4db。
53.在一些实施例中，本技术还公开一种电子设备，包括如上述的屏蔽膜。电子设备可以是手机、平板电脑、智能手表等，屏蔽膜贴合在电子设备的显示屏上。
54.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当
理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。