技术特征：1.一种正负高压电平转换电路，其特征在于，包括：第一和第二pmos晶体管、第一至第六nmos晶体管及反相器；其中，
2.如权利要求1所述的正负高压电平转换电路，其特征在于，所述第一至第六nmos晶体管的衬底均连接负电压源，所述第一和第二pmos晶体管的衬底均连接正电压源，所述正输入信号的电压域为0至正低压，其中所述正电压源的电压大于等于所述正低压，所述负电压源的电压小于等于0。
3.如权利要求1所述的正负高压电平转换电路，其特征在于，所述负电压源的电压固定为0，所述正电压源的电压固定为正高压，所述使能信号固定为正低压；
4.如权利要求1所述的正负高压电平转换电路，其特征在于，所述负电压源的电压固定为0，所述使能信号固定为正低压；
5.如权利要求1所述的正负高压电平转换电路，其特征在于，所述正电压源的电压固定为正低压；
6.如权利要求1所述的正负高压电平转换电路，其特征在于，
技术总结本申请公开了一种正负高压电平转换电路，包括：第一和第二PMOS晶体管、第一至第六NMOS晶体管及反相器；第一和第二NMOS晶体管的栅极连接使能信号，第二NMOS晶体管的源极、第五NMOS晶体管的栅极及反相器的输入端连接正输入信号，反相器输出负输入信号到第一NMOS晶体管的源极和第六NMOS晶体管的栅极；第五NMOS晶体管的漏极连接第三NMOS晶体管的源极，第三NMOS晶体管的栅极、第四和第二NMOS晶体管的漏极第二PMOS晶体管的漏极及第一PMOS晶体管的栅极相连；第六NMOS晶体管的漏极连接第四NMOS晶体管的源极，第四NMOS晶体管的栅极、第三和第一NMOS晶体管的漏极、第一PMOS晶体管的漏极及第二PMOS晶体管的栅极相连。本申请采用一套电路同时实现正负高压电平转换。
技术研发人员：金建明,虞豪驰
受保护的技术使用者：上海芯楷集成电路有限责任公司
技术研发日：技术公布日：2024/1/12