包括稠环化合物的发光装置、电子设备和稠环化合物的制作方法

实施方式涉及包括稠环化合物的发光装置、包括该发光装置的电子设备和稠环化合物。

背景技术：

1、有机发光装置为自发射装置，其与相关领域的装置相比，具有宽视角，高对比度，短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的卓越的特性，并且产生全色图像。

2、在示例中，有机发光装置可具有这样的结构：其中第一电极布置在基板上，并且在第一电极上依次形成空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。从第一电极提供的空穴通过空穴传输区朝向发射层移动，并且从第二电极提供的电子通过电子传输区朝向发射层移动。载流子，比如空穴和电子，在发射层中复合以产生激子。激子可从激发态跃迁至基态，因此生成光。

3、要理解，本背景技术章节旨在部分地提供用于理解该技术的有用的背景。然而，本背景技术章节也可包括在本文中公开的主题的相应有效申请日之前不是相关领域的技术人员已知或理解的部分的想法、概念或认知。

技术实现思路

1、实施方式包括：包括新型稠环化合物的发光装置、包括该发光装置的电子设备和稠环化合物。

2、另外的方面将部分地在如下的描述中陈述，并且部分地将从描述中是显而易见的，或可通过本公开的实施方式的实践而了解到。

3、根据实施方式，发光装置可包括第一电极、面向第一电极的第二电极以及在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层，其中发射层包括由式1表示的稠环化合物：

4、[式1]

5、

6、在式1中，

7、y1可为硼(b)、p(＝o)或p(＝s)，

8、环cy1至环cy3可各自独立地为c5-c60碳环基或c1-c60杂环基，

9、环cy4和环cy5可各自独立地为包括至少一个氮原子的c1-c60杂环基，

10、ar1至ar4可各自独立地为未取代的或被至少一个r10a取代的c3-c60碳环基或者未取代的或被至少一个r10a取代的c1-c60杂环基，

11、r1至r5可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个r10a取代的c1-c60烷基、未取代的或被至少一个r10a取代的c2-c60烯基、未取代的或被至少一个r10a取代的c2-c60炔基、未取代的或被至少一个r10a取代的c1-c60烷氧基、未取代的或被至少一个r10a取代的c3-c60碳环基、未取代的或被至少一个r10a取代的c1-c60杂环基、未取代的或被至少一个r10a取代的c6-c60芳氧基、未取代的或被至少一个r10a取代的c6-c60芳硫基、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)，

12、a1至a5可各自独立地为选自0至10的整数，

13、数量为a1的r1中的两个或更多个r1可任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个r10a取代的c3-c60碳环基或者未取代的或被至少一个r10a取代的c1-c60杂环基，

14、数量为a2的r2中的两个或更多个r2可任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个r10a取代的c3-c60碳环基或者未取代的或被至少一个r10a取代的c1-c60杂环基，

15、数量为a3的r3中的两个或更多个r3可任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个r10a取代的c3-c60碳环基或者未取代的或被至少一个r10a取代的c1-c60杂环基，r10a可为：

16、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；

17、各自未取代的或被以下取代的c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基或c1-c60烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c3-c60碳环基、c1-c60杂环基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c7-c60芳烷基、c2-c60杂芳烷基、-si(q11)(q12)(q13)、-n(q11)(q12)、-b(q11)(q12)、-c(＝o)(q11)、-s(＝o)2(q11)、-p(＝o)(q11)(q12)或其任何组合；

18、各自未取代的或被以下取代的c3-c60碳环基、c1-c60杂环基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c7-c60芳烷基或c2-c60杂芳烷基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c60碳环基、c1-c60杂环基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c7-c60芳烷基、c2-c60杂芳烷基、-si(q21)(q22)(q23)、-n(q21)(q22)、-b(q21)(q22)、-c(＝o)(q21)、-s(＝o)2(q21)、-p(＝o)(q21)(q22)或其任何组合；或

19、-si(q31)(q32)(q33)、-n(q31)(q32)、-b(q31)(q32)、-c(＝o)(q31)、-s(＝o)2(q31)或-p(＝o)(q31)(q32)，并且

20、q1至q3、q11至q13、q21至q23和q31至q33可各自独立地为：氢；氘，-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；各自未取代的或被以下取代的c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c60碳环基或c1-c60杂环基：氘、-f、氰基、c1-c60烷基、c1-c60烷氧基、苯基、联苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基或其任何组合；c7-c60芳烷基；或c2-c60杂芳烷基。

21、在实施方式中，由式1表示的稠环化合物的三重态能级(ev)和单重态能级(ev)之间的差可等于或小于约0.2ev。

22、在实施方式中，发射层可发射具有约430nm至约480nm的范围内的最大发射波长的光。

23、在实施方式中，发射层可包括：作为第一化合物的由式1表示的稠环化合物；以及包括由式20表示的基团的第二化合物、包括至少一个缺π电子的含氮c1-c60环状基团的第三化合物、包括过渡金属的第四化合物或其任何组合，其中第一化合物、第二化合物、第三化合物和第四化合物可彼此不同，并且式20在下面解释。

24、在实施方式中，发射层可包括：作为第一化合物的由式1表示的稠环化合物；以及第二化合物和第三化合物中的至少一种，其中发射层可任选地进一步包括第四化合物。

25、在实施方式中，第三化合物可包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或其任何组合。

26、在实施方式中，第四化合物可包括由式401表示的化合物，该式在下面解释。

27、根据实施方式，电子设备可包括发光装置。

28、在实施方式中，电子设备可进一步包括薄膜晶体管，其中薄膜晶体管可包括源电极和漏电极，并且发光装置的第一电极可电连接至源电极或漏电极。

29、根据实施方式，稠环化合物可由式1表示。

30、在实施方式中，环cy1至环cy3可不包括氮。

31、在实施方式中，环cy4和环cy5可各自独立地为包括至少一个氮原子的六元环。

32、在实施方式中，由式1表示的稠环化合物可由式1-1或式1-2表示，这些式在下面解释。

33、在实施方式中，在式1中，由表示的部分或由表示的部分可各自独立地为由式cy1(1)至式cy1(14)中的一种表示的部分，这些式在下面解释。

34、在实施方式中，在式1中，由表示的部分可为由式cy3(1)至式cy3(6)中的一种表示的部分，这些式在下面解释。

35、在实施方式中，ar1至ar4可各自独立地为：苯基、联苯基或萘基；或者各自被氘或c1-c10烷基取代的苯基、联苯基或萘基。

36、在实施方式中，r1至r3可各自独立地为氢、氘、未取代的或被至少一个r10a取代的c1-c60烷基、未取代的或被至少一个r10a取代的c6-c60芳基、未取代的或被至少一个r10a取代的c1-c60杂芳基、未取代的或被至少一个r10a取代的单价非芳族稠合多环基团或者未取代的或被至少一个r10a取代的单价非芳族稠合杂多环基团，其中r10a在下面解释。

37、在实施方式中，r1至r3可各自独立地为：氢或氘；未取代的或被氘取代的c1-c20烷基；或由式1a-1至式1a-13中的一种表示的基团，这些式在下面解释。

38、在实施方式中，a1+a2+a3的总和可为1或更大。

39、在实施方式中，稠环化合物可为化合物1至132中的一种，这些化合物在下面解释。

40、要理解，以上实施方式仅以一般性和解释性的意义描述，并非出于限制目的，并且本公开不限于上述实施方式。