1.一种基于双栅薄膜晶体管的动态补偿放大电路，其特征在于，包括：n×n个子单元，每个所述子单元的输入端可接入一个目标信号，所述子单元包括：所述第一双栅并联场效应晶体管、第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第一电容、第一电导线、第二电导线、第三电导线、第四电导线、第五电导线和第六电导线；
2.根据权利要求1所述的基于双栅薄膜晶体管的动态补偿放大电路，其特征在于，所述第一条件为：
3.根据权利要求2所述的基于双栅薄膜晶体管的动态补偿放大电路，其特征在于，所述第二条件为：
4.根据权利要求1所述的基于双栅薄膜晶体管的动态补偿放大电路，其特征在于，当所述目标信号为差分信号时，所述子单元还包括：第二双栅并联场效应晶体管、第三场效应晶体管、第四场效应晶体管、第二电容、第七导线、第八导线和第九导线；
5.根据权利要求4所述的基于双栅薄膜晶体管的动态补偿放大电路，其特征在于，还包括：第五场效应晶体管、第六场效应晶体管、第七场效应晶体管和第八场效应晶体管；
6.根据权利要求4所述的基于双栅薄膜晶体管的动态补偿放大电路，其特征在于，还包括：第九场效应晶体管和第十场效应晶体管；
7.根据权利要求1所述的基于双栅薄膜晶体管的动态补偿放大电路，其特征在于，还包括：第三双栅并联场效应晶体管、第十一场效应晶体管、第十二场效应晶体管、第三电容、第十导线、第十一导线、第十二导线和第十三导线；
8.根据权利要求7所述的基于双栅薄膜晶体管的动态补偿放大电路，其特征在于，还包括：第四电容和第十三场效应晶体管；
9.一种单元器件，所述单元器件为权利要求1所述的子单元，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的单元器件，其特征在于，