一种显示基板及其制备方法、显示装置与流程

本公开属于显示，具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术：

1、新一代的二极管发光器件在可移动显示设备(mobile)显示、笔记本(nb)显示、电视机(tv)等显示应用场景中已成为主流的显示技术方案，具有明暗对比度高、画面刷新响应速度快、空间可观看视角宽、环境温度适应范围大、彩色显色指数高等优点。

2、但是，如何有效提高器件的光提取效率成为了目前业界降低移动产品功耗、提升产品寿命等指标的重点和难点之一。尤其近年来，移动设备mobile、nb等产品，对于产品的低功耗、屏幕亮度具有较高的需求。

3、发光器件如有机电致发光器件organic electroluminescence display，oled)或者微发光二极管显示器件(micro light emitting diode display，micro led)等，通常为多媒质层堆叠的平面结构。器件的外量子效率一般只有20％，绝大多数的光能量会以金属表面等离子体的形式消耗，或者以由于膜层介质折射率差异而导致全反射的光波导模式被消耗。以至于大部分的光都被限制或者消耗在器件内部，无法出射到远场。

4、为提升发光层(el层)的出光效率，尤其是正视角出光亮度，通常会el器件封装膜层(tfe)上方进行光取出微结构制备，但是在封装膜层(tfe)上方制备光取出微结构时，由于el材料限制对制程工艺有特殊要求，如制程温度不能高于100℃等问题，因此在制备光取出微结构时，对其制备的工艺温度有较大限制，往往不能满足其高温制备条件，从而影响光取出微结构的质量，进而影响光取出结构的光反射效果。

技术实现思路

1、本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种显示基板及其制备方法、显示装置。

2、第一方面，解决本公开技术问题所采用的技术方案是一种显示基板，包括衬底基板、以及设置在所述衬底基板上的像素限定层、取光结构支撑层、多个发光器件、取光结构层和封装层；

3、所述发光器件包括第一电极、第二电极和发光层；

4、所述取光结构支撑层位于所述像素限定层靠近所述发光层的一侧；所述像素限定层具有多个第一容纳部，所述取光结构支撑层具有多个第二容纳部，所述第一容纳部和所述第二容纳部一一对应设置，且限定出开口；

5、各所述发光器件中的所述第一电极位于所述像素限定层靠近所述衬底基板的一侧，且所述第一电极与所述开口对应设置；各所述发光器件中的所述发光层位于所述取光结构支撑层背离所述像素限定层的一侧，且所述发光层的至少部分被限定在所述开口内；各所述发光器件中的所述第二电极位于所述发光层背离所述取光结构支撑层的一侧；

6、所述取光结构层位于所述第二电极背离所述发光层的一侧；

7、所述封装层位于所述取光结构背离所述第二电极的一侧。

8、在一些实施例中，所述第二容纳部在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一容纳部在所述衬底基板上的正投影。

9、在一些实施例中，所述像素限定层在沿第一方向延伸且垂直所述衬底基板的第一截面上具有第一侧边，经过所述第一侧边且与该第一截面垂直的平面与所述衬底基板所在平面的夹角在10°～45°之间。

10、在一些实施例中，所述取光结构支撑层在沿第一方向延伸且垂直所述衬底基板的第二截面上具有第二侧边，经过所述第二侧边且与该第二截面垂直的平面与所述衬底基板所在平面的夹角在35°～55°之间。

11、在一些实施例中，所述像素限定层包括形成多个所述第一容纳部的多个挡墙；所述挡墙位于所述第一电极背离所述衬底基板一侧的至少部分结构，在沿第一方向延伸且垂直所述衬底基板的第三截面的轮廓形状为梯形；和/或，

12、所述取光结构支撑层包括形成多个所述第二容纳部的多个支撑部；所述支撑部在沿第一方向延伸且垂直所述衬底基板的第四截面的轮廓形状为梯形。

13、在一些实施例中，所述挡墙的第三截面包括沿第二方向相对设置的两侧边，其中靠近所述衬底基板的一侧边的长度大于远离所述衬底基板的另一侧边的长度；和/或，

14、所述支撑部的第四截面包括沿第二方向相对设置的两侧边，其中靠近所述衬底基板的一侧边的长度大于远离所述衬底基板的另一侧边的长度。

15、在一些实施例中，所述像素限定层包括形成多个所述第一容纳部的多个挡墙；

16、所述发光层覆盖至少部分所述挡墙背离所述衬底基板的表面。

17、在一些实施例中，所述像素限定层的厚度范围在0.5μm～2μm之间；

18、所述取光结构支撑层的厚度范围在1μm～5μm之间。

19、在一些实施例中，所述取光结构层包括多层反射层；任意相邻两层所述反射层的折射率不同；

20、所述取光结构层中远离所述第二电极的最外侧光反射层的折射率最大。

21、在一些实施例中，所述取光结构层包括依次设置在所述第二电极背离所述衬底基板一侧的第二光反射层和第一光反射层；所述开口的至少部分位置在所述衬底基板上的正投影与所述第二光反射层在所述衬底基板上的正投影不重叠；

22、所述第一光反射层的折射率大于所述第二光反射层的折射率。

23、在一些实施例中，所述第一光反射层的折射率范围在1.7～1.9之间；所述第二光反射层的折射率范围在1.3～1.4之间。

24、在一些实施例中，所述取光结构层包括依次设置在所述第二电极背离所述衬底基板一侧的第三光反射层、第二光反射层和第一光反射层；

25、所述开口的至少部分位置在所述衬底基板上的正投影与所述第二光反射层在所述衬底基板上的正投影不重叠；所述开口的至少部分位置在所述衬底基板上的正投影与所述第三光反射层在所述衬底基板上的正投影不重叠；

26、所述第一光反射层的折射率和所述第三光反射层的折射率均大于所述第二光反射层的折射率。

27、在一些实施例中，显示基板还包括与所述第二电极电连接，且设置在所述第二电极背离所述衬底基板一侧的辅助电极；

28、所述开口的至少部分位置在所述衬底基板上的正投影与所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影不重叠。

29、在一些实施例中，显示基板还包括设置在所述第二电极靠近所述取光结构层的一侧的有机层，且所述有机层被限制在所述开口内；

30、所述有机层在所述衬底基板上的正投影与所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影不重叠。

31、第二方面，本公开实施例还提供了一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括多个发光器件，所述发光器件包括第一电极、第二电极和发光层；

32、所述显示基板的制备方法包括：

33、提供一衬底基板；

34、在所述衬底基板上形成各所述发光器件的第一电极；

35、在所述第一电极背离所述衬底基板的一侧形成像素限定层；所述像素限定层具有多个第一容纳部；

36、在所述像素限定层背离所述衬底基板的一侧形成取光结构支撑层；所述取光结构支撑层具有多个第二容纳部，所述第一容纳部和所述第二容纳部一一对应设置，且限定出开口；

37、在所述取光结构支撑层背离所述像素限定层的一侧形成各所述发光器件的发光层，且所述发光层的至少部分被限定在所述开口内；

38、在所述发光层背离所述取光结构支撑层的一侧形成各所述发光器件的第二电极；

39、在所述第二电极背离所述发光层的一侧形成所述取光结构层；

40、在所述取光结构层背离所述第二电极的一侧形成封装层。

41、在一些实施例中，所述在所述像素限定层背离所述衬底基板的一侧形成取光结构支撑层，包括：

42、通过构图工艺，在所述像素限定层背离所述衬底基板的一侧形成包含取光结构支撑层的图形；

43、在温度为90℃～300℃的环境下，对所述取光结构支撑层的图形进行固化，形成所述取光结构支撑层。

44、第三方面，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括如上述第一方面中任一项所述的显示基板。