本发明实施例涉及滤波器,具体涉及一种体声波谐振器、形成方法、滤波器及通信设备。
背景技术:
1、体声波谐振器是用于实现电能和机械能相互转化的器件,在射频通讯和传感领域中发挥着重要的作用,因此体声波谐振器的性能提升对于通信系统的性能提升具有重要意义。体声波谐振器的品质因数是影响体声波谐振器性能的关键指标之一,因此如何提供技术方案,以提高体声波谐振器的品质因数,成为了亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、有鉴于此,本发明实施例提供一种体声波谐振器、形成方法、滤波器及通信设备,以提高体声波谐振器的品质因数。
2、本发明实施例提供一种体声波谐振器,包括:
3、第一电极;
4、压电层,位于所述第一电极的上方,在有效区域内,位于所述有效区域的边缘处所述压电层的平面上形成有边界结构,所述边界结构的平面在沿垂直于所述压电层的平面的方向上,与所述有效区域内未形成所述边界结构的平面形成高度差,且未形成有所述边界结构的所述压电层的相对一侧的平面为平面结构;
5、第二电极,部分覆盖所述压电层。
6、可选地,所述边界结构包括凸出式边界结构;
7、在所述有效区域内,所述凸出式边界结构的平面高于所述未形成所述凸出式边界结构的平面,在所述有效区域外,所述凸出式边界结构的平面与所述压电层的平面的高度相等;
8、或,在所述有效区域内,所述凸出式边界结构的平面高于所述未形成所述凸出式边界结构的平面,在所述有效区域外,所述凸出式边界结构的平面与部分所述压电层的平面的高度相等;其中,所述部分所述压电层与所述凸出式边界结构相连接。
9、可选地,所述体声波谐振器,还包括:第二电极框架结构、上凸结构、空气环结构三种结构中的至少一种;
10、其中,所述第二电极框架结构至少覆盖于所述第二电极上与所述有效区域相对应的区域内,且位于所述有效区域的边缘处;
11、所述上凸结构覆盖于所述第二电极上与所述有效区域相对应的区域内,且位于所述有效区域的设定中心,以使所述上凸结构的端部与位于所述有效区域的边缘处的所述第二电极形成凹陷部位;
12、空气环结构,在所述有效区域内,覆盖所述凸出式边界结构以及与所述凸出式边界结构相连接的部分所述未形成所述凸出式边界结构的平面。
13、可选地,所述边界结构包括凹陷式边界结构,在所述有效区域内,所述凹陷式边界结构的平面低于所述未形成所述凹陷式边界结构的平面。
14、可选地,所述体声波谐振器,在沿平行于所述压电层的平面的方向上,在所述有效区域内,所述边界结构的平面宽度的范围为0.1微米-20微米。
15、可选地,在所述有效区域内,所述未形成所述边界结构的平面为所述有效区域的中央区域的平面。
16、可选地,所述体声波谐振器,还包括:
17、支撑层,设置于所述第二电极的上方。
18、可选地,所述支撑层与所述有效区域的两侧之间设置有缓冲区。
19、可选地,在沿平行于所述压电层的平面的方向上,所述支撑层与所述有效区域的一侧设置的缓冲区的宽度,和所述支撑层与所述有效区域的另一侧设置的缓冲区的宽度的范围为0.5微米-20微米。
20、可选地,所述第一电极设置有第一电极槽以形成第一非电极连接区,所述第二电极设置有第二电极槽以形成第二非电极连接区。
21、可选地,所述第一电极的端部设置有第一非电极连接区,以使在所述第一电极上,非所述第一非电极连接区的位置处形成第一电极连接区;所述第二电极的端部设置有第二非电极连接区,以使在所述第二电极上,非所述第二非电极连接区的位置处形成第二电极连接区。
22、可选地,所述体声波谐振器,还包括:
23、第一布线层,电连接所述第一电极;
24、第二布线层,电连接所述第二电极。
25、可选地,所述高度差的高度不超过所述压电层的厚度。
26、可选地,所述高度差的高度不超过所述压电层的厚度包括:所述高度差的高度不超过所述压电层的厚度的三分之一。
27、本发明实施例还提供一种体声波谐振器的形成方法,包括:
28、提供临时衬底;
29、在所述临时衬底上形成第一电极,以及在所述第一电极上形成压电层;
30、在有效区域内,图形化位于所述有效区域的边缘处的所述压电层的平面形成边界结构,以使在沿垂直于所述压电层的平面的方向上,所述边界结构的平面与所述有效区域内未形成所述边界结构的平面形成高度差,未形成有所述边界结构的所述压电层的相对一侧的平面为平面结构;
31、形成部分覆盖所述压电层的第二电极。
32、可选地,在所述有效区域内,所述未形成所述边界结构的平面为所述有效区域的中央区域的平面。
33、可选地,所述边界结构包括凸出式边界结构,所述在有效区域内,图形化所述压电层的平面形成边界结构包括:
34、在所述有效区域内,在距所述有效区域的两侧区域边缘为第一设定距离的压电层的平面上形成所述凸出式边界结构,以使所述凸出式边界结构的平面在有效区域内,高于所述未形成所述凸出式边界结构的平面,在有效区域外,所述凸出式边界结构的平面与所述压电层的平面的高度相等;
35、或,在所述有效区域内,在距所述有效区域的两侧区域边缘为所述第一设定距离的压电层的平面上形成所述凸出式边界结构;同时在所述有效区域外,确定与所述凸出式边界结构连接的部分所述压电层,以使所述凸出式边界结构的平面在所述有效区域内高于所述未形成所述凸出式边界结构的平面,在所述有效区域外,所述凸出式边界结构的平面与部分所述压电层的平面的高度相等。
36、可选地,所述边界结构包括凹陷式边界结构,所述在有效区域内,位于所述有效区域的区域边缘处,图形化所述压电层的平面形成边界结构包括:
37、在所述有效区域内,在距所述有效区域的区域边缘处为第一设定距离的所述压电层的平面上形成所述凹陷式边界结构,以使所述凹陷式边界结构的平面在所述有效区域内,低于所述未形成所述凹陷式边界结构的平面。
38、可选地,所述第一设定距离的范围为0.1微米-20微米。
39、可选地,在所述形成部分覆盖所述压电层的第二电极的步骤之前,还包括:
40、在所述压电层上形成全部覆盖所述压电层的第二电极;
41、所述形成部分覆盖所述压电层的第二电极包括:
42、图形化所述第二电极,形成部分覆盖所述压电层的第二电极;
43、在所述形成部分覆盖所述压电层的第二电极的步骤之后,还包括:
44、形成支撑层。
45、可选地,所述体声波谐振器的形成方法,还包括:
46、在所述支撑层上键合衬底,以使所述支撑层、所述衬底和所述第一电极之间形成声学反射镜,并去除所述临时衬底;
47、图形化所述第一电极,形成部分覆盖所述压电层的第一电极。
48、可选地,所述图形化所述第二电极,包括:
49、去除部分位于所述第二电极的端部的第二非电极连接区,形成第二电极槽,所述第二电极槽将所述第二电极划分为两部分的电极连接区;
50、所述图形化所述第一电极包括:
51、去除部分位于所述第一电极的端部的第一非电极连接区,形成第一电极槽,所述第一电极槽将所述第一电极划分为两部分的电极连接区;
52、所述方法还包括:
53、在所述第一电极的电极连接区通过电极连接孔形成连通至压电层平面的第一布线层,以连通所述第一电极的电极连接区;
54、以及,在所述第一电极的电极连接区形成第二布线层,以连通所述第二电极的电极连接区。
55、可选地,所述图形化所述第二电极,包括:
56、去除位于所述第二电极的端部的第二非电极连接区,得到第二电极连接区;
57、所述图形化所述第一电极包括:
58、去除位于所述第一电极的端部的第一非电极连接区,得到第一电极连接区;
59、所述方法还包括:
60、在所述第一电极连接区形成第三布线层,以电连接所述第一电极的电极连接区;
61、以及,在所述第一非电极连接区形成第四布线层,以电连接所述第二电极的电极连接区。
62、本发明实施例还提供一种滤波器,包括如前述任一项实施例所述的体声波谐振器。
63、本发明实施例还提供一种通信设备,包括如上述实施例所述的滤波器。
64、本发明实施例还提供一种终端,包括如上述实施例所述的滤波器。
65、本发明实施例所提供的体声波谐振器,包括:第一电极;压电层,位于所述第一电极的上方,在有效区域内,位于所述有效区域的边缘处所述压电层的平面上形成有边界结构,所述边界结构的平面在沿垂直于所述压电层的平面的方向上,与所述有效区域内未形成所述边界结构的平面形成高度差,且未形成有所述边界结构的所述压电层的相对一侧的平面为平面结构;第二电极,部分覆盖所述压电层。可以看出,本发明实施例所提供的体声波谐振器中,对压电层的平面进行了改进;使得压电层的平面在有效区域内,且位于有效区域的边缘处形成边界结构,且所述边界结构的平面在沿垂直于所述压电层的平面的方向上,与所述有效区域内未形成所述边界结构的平面形成高度差,从而在体声波谐振器工作时,可以改变边界结构位置处的震动强度和非边界结构位置处的震动强度,从而改变声波能量的反射;因此,当声波能量在压电层中传播时,由于有效区域内,所述压电层的平面上形成有具有高度差的边界结构,可以抑制声波能量的泄露,提升体声波谐振器的品质因数,提升体声波谐振器的工作性能。