1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法，还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述于所述有源柱的第一段形成限位结构，包括：
4.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述于所述有源柱之间形成字线隔离结构，包括：
6.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述于所述字线隔离结构与所述有源柱之间形成所述支撑结构，包括：
7.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法包括：
8.根据权利要求7所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，于所述字线隔离结构的两侧形成所述支撑结构，包括：
10.根据权利要求9所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，于所述基底内形成多个字线隔离结构，还包括：
11.根据权利要求10所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体制作方法，还包括：
12.根据权利要求11所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，于所述字线沟槽的侧壁上形成所述第一介质层，包括：
13.根据权利要求11所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述硅柱基于所述硅柱结构形成，包括：
14.一种半导体结构，其特征在于，包括：
15.根据权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
16.根据权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，所述限位结构的高度为所述有源柱的高度的三分之一。
17.根据权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
18.根据权利要求17所述的半导体结构，其特征在于，所述字线隔离结构与所述支撑结构的顶面平齐。