本公开的一个或多个实施方式涉及发光元件,例如,涉及包括高折射率封盖层的发光元件。
背景技术:
1、作为图像显示装置,近来已经积极地开发和研究有机电致发光显示装置等。有机电致发光显示装置等为包括所谓的自发光发光元件的显示装置,其中从第一电极注入的空穴和从第二电极注入的电子在发射层中复合,并且因此发射层中的发光材料发射光以实现显示(例如,实现图像的显示)。
2、为了将发光元件应用于显示装置,需要具有低驱动电压、高发光效率和长寿命的发光元件,并且持续需要和/或期望开发用于能够稳定得到这些特性的发光元件的适当材料。
3、具体地,封盖层可应用于发光元件以增加光提取效率和保护基础材料。正在开发和研究用于增加从发射层生成的光的光提取效率的高折射率封盖层以获得高效的发光元件。
技术实现思路
1、本公开的实施方式的一个或多个方面涉及通过应用高折射率封盖层的高效发光元件。
2、另外的方面将部分在如下的描述中陈述,并且将部分从描述中是显而易见的,或可通过呈现的实施方式的实践而了解到。
3、本公开的一个或多个实施方式提供了发光元件,包括:第一电极;面向第一电极的第二电极;在第一电极和第二电极之间的至少一个功能层;以及在第二电极上并且包括由式1表示的稠合化合物的封盖层:
4、式1
5、
6、在式1中,x1和x2可各自独立地为s或o,r1和r2可各自独立地为氢或氘,n1和n2可各自独立地为选自0至4的整数,l1和l2可各自独立地为直接连接或n,m1和m2可各自独立地为0或1,y1和y2可各自独立地为取代的或未取代的具有6至20个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至20个成环碳原子的杂芳基,并且p1和p2可各自独立地为1或2。
7、在一个或多个实施方式中,由式1表示的稠合化合物可由选自式1-1a至式1-1c中的任何一个表示:
8、式1-1a
9、
10、式1-1b
11、
12、式1-1c
13、
14、在式1-1a至式1-1c中,r1、r2、n1、n2、l1、l2、m1、m2、y1、y2、p1和p2可各自独立地与式1中限定的相同。
15、在一个或多个实施方式中,由式1表示的稠合化合物可由式1-2a或式1-2b表示:
16、式1-2a
17、
18、式1-2b
19、
20、在式1-2a和式1-2b中,y11、y12、y21和y22可各自独立地为取代的或未取代的具有6至20个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至20个成环碳原子的杂芳基,并且x1、x2、r1、r2、n1、n2、y1和y2可各自独立地与式1中限定的相同。
21、在一个或多个实施方式中,y1和y2可各自独立地为取代的或未取代的双环或三环芳基或者取代的或未取代的双环或三环杂芳基。
22、在一个或多个实施方式中,y1和y2可各自独立地由选自式2-1至式2-4中的任何一个表示:
23、式2-1
24、
25、式2-2
26、
27、式2-3
28、
29、式2-4
30、
31、在式2-1至式2-4中,ya至yf可各自独立地为s或o,并且“-*”可为连接至上面式1的位点。
32、在一个或多个实施方式中,r1和r2可各自独立地为氢。
33、在一个或多个实施方式中,就具有约490nm至约570nm的波长的光而言,由式1表示的稠合化合物可具有约1.7至约2.5的单分子折射率。
34、在一个或多个实施方式中,封盖层可具有约1.0g/cm3至约1.3g/cm3的密度。
35、在一个或多个实施方式中,封盖层可具有约至约的厚度。
36、在一个或多个实施方式中,至少一个功能层可包括发射层、在第一电极和发射层之间的空穴传输区以及在发射层和第二电极之间的电子传输区,并且发射层可包括由式ad表示的化合物:
37、式ad
38、
39、在式ad中,q1至q4可各自独立地为c或n,c1至c4可各自独立地为取代的或未取代的具有5至30个成环碳原子的芳族烃环或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的芳族杂环,l11至l14可各自独立地为直接连接、*-o-*、*-s-*、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的亚烷基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的亚芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的亚杂芳基,并且在l11至l14中,“-*”可为连接至c1至c4的位点,l15可为直接连接或*-o-*,并且在l15中,“-*”可为连接至pt和c3的位点,e1至e5可各自独立地为0或1,r41至r49可各自独立地为氢、氘、卤素、氰基、取代的或未取代的甲硅烷基、取代的或未取代的硫基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的硼基、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有6至60个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至60个成环碳原子的杂芳基,和/或与相邻的基团键合以形成环,并且d1至d4可各自独立地为选自0至4的整数。
40、在本公开的一个或多个实施方式中,发光元件可包括:第一电极;面向第一电极的第二电极;在第一电极和第二电极之间的至少一个功能层;以及在第二电极上并且包括由式3表示的稠合化合物的封盖层:
41、式3
42、
43、在式3中,x3和x4可各自独立地为s或o,r3和r4可各自独立地为氢或氘,n3和n4可各自独立地为选自0至4的整数,y3和y4可各自独立地为*-nr5r6、取代的或未取代的具有6至20个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至20个成环碳原子的杂芳基,并且r5和r6可各自独立地为取代的或未取代的具有6至20个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至20个成环碳原子的杂芳基。
44、在本公开的一个或多个实施方式中,发光元件可包括:第一电极;面向第一电极的第二电极;在第一电极和第二电极之间的至少一个功能层;以及在第二电极上并且包括由式3表示的稠合化合物的封盖层,其中至少一个功能层可包括发射层、在第一电极和发射层之间的空穴传输区以及在发射层和第二电极之间的电子传输区,并且发射层可包括由式ad表示的化合物:
45、式3
46、
47、在式3中,x3和x4可各自独立地为s或o,r3和r4可各自独立地为氢或氘,n3和n4可各自独立地为选自0至4的整数,y3和y4可各自独立地为*-nr5r6、取代的或未取代的具有6至20个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至20个成环碳原子的杂芳基,并且r5和r6可各自独立地为取代的或未取代的具有6至20个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至20个成环碳原子的杂芳基。
48、式ad
49、
50、在式ad中,q1至q4可各自独立地为c或n,c1至c4可各自独立地为取代的或未取代的具有5至30个成环碳原子的芳族烃环或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的芳族杂环,l11至l14可各自独立地为直接连接、*-o-*、*-s-*、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的亚烷基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的亚芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的亚杂芳基,并且在l11至l14中,“-*”为连接至c1至c4的位点,l15为直接连接或*-o-*,并且在l15中,“-*”为连接至pt和c3的位点,e1至e5可各自独立地为0或1,r41至r49可各自独立地为氢、氘、卤素、氰基、取代的或未取代的甲硅烷基、取代的或未取代的硫基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的硼基、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有6至60个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至60个成环碳原子的杂芳基,和/或与相邻的基团键合以形成环,并且d1至d4可各自独立地为选自0至4的整数。