1.一种电阻，其特征在于，包括电阻本体(1)和调制区(2)，电阻本体(1)和调制区(2)均为竖向结构，电阻本体(1)的长度大于调制区(2)，调制区(2)的宽度大于电阻本体(1)，电阻本体(1)和调制区(2)组成刀状电阻，电阻本体(1)和调制区(2)的顶部以及电阻本体(1)的底部均设置有金属连丝，调制区(2)上开设有粗调电阻切割部a和细调电阻切割部b。
2.根据权利要求1所述的一种电阻，其特征在于，细调电阻切割部b的长度大于粗调电阻切割部a。
3.根据权利要求1所述的一种电阻，其特征在于，粗调电阻切割部a距离电阻本体(1)的距离小于距离调制区(2)边沿的距离，细调电阻切割部b距离电阻本体(1)的距离大于距离调制区(2)边沿的距离。
4.一种基于权利要求1所述的电阻的修调方法，其特征在于，包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的一种电阻的修调方法，其特征在于，采用激光单点对薄膜电阻进行切割。
6.一种高共模抑制比与参考端单位增益设计方法，其特征在于，包括以下步骤：
7.根据权利要求6所述的一种高共模抑制比与参考端单位增益设计方法，其特征在于，整体共模抑制比cmmrd的计算方法如下：
8.根据权利要求6所述的一种高共模抑制比与参考端单位增益设计方法，其特征在于，由电阻匹配精度产生的共模抑制比cmmrr及参考端单位增益的计算方法如下：
9.根据权利要求6所述的一种高共模抑制比与参考端单位增益设计方法，其特征在于，整体共模抑制比cmmrd和由电阻匹配精度产生的共模抑制比cmmrr的关系如下：
10.根据权利要求6所述的一种高共模抑制比与参考端单位增益设计方法，其特征在于，共模抑制比和参考端单位增益与电阻匹配精度的关系如下：