用于高频频率源的宽带倍频电路的制作方法

文档序号:36931909发布日期:2024-02-02 21:56阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种用于高频频率源的宽带倍频电路,其特征在于:包括倍频级自偏置电路、倍频级电路、缓冲级自偏置电路、缓冲级电路;

2.根据权利要求1所述的宽带倍频电路,其特征在于:倍频级自偏置电路包括bipolar管t1、t2、t3、t4、t5,电阻r1、r2、r3、r4、r5、r6,电容c1;bipolar管t1的集电极、bipolar管t2的基极通过电阻r1连接到直流电源vcc,并通过电容c1接地,bipolar管t1的发射极通过电阻r2接地,bipolar管t1的基极连接到bipolar管t2的发射极、bipolar管t5和bipolar管t6的基极,并通过电阻r3接地;bipolar管t5的发射极通过电阻r5接地,bipolar管t5的集电极连接到bipolar管t4的发射极,bipolar管t4的基极通过电阻r6连接到bipolar管t4的集电极,之后连接到bipolar管t3的发射极,bipolar管t3的基极连接到bipolar管t3的集电极,并通过电阻r4连接到直流电源vcc,bipolar管t2的集电极连接到直流电源vcc。

3.根据权利要求2所述的宽带倍频电路,其特征在于:所述倍频级电路包括bipolar管t6、t7、t8、t9、t10、t11,电阻r7、r8、r9、r10、r11、r12、r13,电容c2、c3、c4、c5、c6,开关电容sc1、sc2、sc3,电感l1、l2;差分射频输入信号rfin+/rfin-分别通过电容c2、c3连接到bipolar管t8、t9的基极,bipolar管t7、t8、t9的发射极短接在一起并连接到bipolar管t6的集电极,bipolar管t6的发射极通过电阻r11接地,bipolar管t7的基极通过电容c4接地,bipolar管t8、t9的集电极短接在一起并连接到bipolar管t11的发射极,bipolar管t7的集电极连接到bipolar管t10的发射极,bipolar管t10的集电极通过并联r12、l1连接到直流电源vcc,bipolar管t11的集电极通过并联r13、l2连接到直流电源vcc,同时bipolar管t10、t11的集电极连接在开关电容sc1、sc2、sc3的两侧,倍频级自偏置电路中bipolar管t4的集电极分别通过电阻r8、r9、r10连接到bipolar管t7、t8、t9的基极,bipolar管t3的集电极通过bipolar管r7连接到bipolar管t10、t11的基极,bipolar管t5的基极连接到bipolar管t6的基极。

4.根据权利要求1所述的宽带倍频电路,其特征在于:缓冲级自偏置电路包括bipolar管t12、t13、t14、t15、t16,电阻r14、r15、r16、r17、r18、r19,电容c7;bipolar管t12的集电极、bipolar管t13的基极通过电阻r14连接到直流电源vcc,并通过电容c7接地,bipolar管t12的发射极通过电阻r15接地,bipolar管t12的基极连接到bipolar管t13的发射极、bipolar管t16和bipolar管t17的基极,bipolar管t13的发射极通过电阻r16接地,bipolar管t16的发射极通过电阻r18连接到地,bipolar管t16的集电极连接到bipolar管t15的发射极,bipolar管t15的基极通过电阻r19连接到bipolar管t15的集电极,之后连接到bipolar管t14的发射极,bipolar管t14的基极连接到bipolar管t14的集电极,并通过电阻r17连接到直流电源vcc,bipolar管t13的集电极连接到直流电源vcc。

5.根据权利要求3或4所述的宽带倍频电路,其特征在于:缓冲级电路包括bipolar管t17、t18、t19、t20、t21,电阻r20、r21、r22、r23、r24、r25,电容c8、c9,开关电容sc4、sc5、sc6,电感l3、l4;倍频级电路的输出差分信号分别通过电容c5、c6连接到bipolar管t18、t19的基极,bipolar管t18、t19的发射极短接在一起并连接到bipolar管t17的集电极,bipolar管t17的发射极通过电阻r23接地,bipolar管t19的集电极连接到bipolar管t21的发射极,bipolar管t18的集电极连接到bipolar管t20的发射极,bipolar管t20的集电极通过并联r24、l3连接到直流电源vcc,bipolar管t21的集电极通过并联r25、l4连接到直流电源vcc,bipolar管t20、t21的集电极连接在开关电容sc4、sc5、sc6的两侧,缓冲级自偏置电路中t15的集电极分别通过电阻r21、r22连接到bipolar管t18、t19的基极,缓冲级自偏置电路中t14的基极通过电阻r20连接到bipolar管t20、t21的基极。

6.根据权利要求5所述的用于高频频率源的宽带倍频电路,其特征在于:开关电容sc1和sc4的电容值相同;开关电容sc2和sc5的电容值相同,是开关电容sc1和sc4电容值的两倍;开关电容sc3和sc6的电容值相同,是开关电容sc1和sc4电容值的四倍。

7.根据权利要求5所述的宽带倍频电路,其特征在于:所述电阻r24、电阻r25的阻值为45-60ω,实现将缓冲级电路的输出阻抗匹配至差分100ω,无需额外配置匹配电路。

8.根据权利要求5所述的宽带倍频电路,其特征在于:通过调节电感l1、l2、l3、l4和开关电容sc1-sc6的值,改变宽带倍频电路的工作频率。

9.根据权利要求3所述的宽带倍频电路,其特征在于:倍频级电路中bipolar管t8和t9为一组对称器件,bipolar管t8、t9与bipolar管t7为一组对称器件,对称器件在版图中要保持对称布置。

10.根据权利要求3所述的宽带倍频电路,其特征在于:所述bipolar管t8、t9尺寸相同,bipolar管t7的尺寸是bipolar管t8、t9尺寸之和。


技术总结
本发明公开了一种用于高频频率源的宽带倍频电路,包括倍频级自偏置电路、倍频级电路、缓冲级自偏置电路、缓冲级电路;所述倍频级自偏置电路、倍频级电路、缓冲级自偏置电路、缓冲级电路共用一个直流电源,由倍频级自偏置电路为倍频级电路提供电源偏置和基极偏置;由缓冲级自偏置电路为缓冲级电路提供电源偏置和基极偏置;所述倍频级电路及其缓冲级电路采用基于开关电容阵列的RLC谐振腔作为负载,通过控制开关电容的开启或关断,改变RLC谐振腔的频率,使负载随着工作频率动态变化,实现宽带工作。本发明具有小型化、大带宽、低噪声、低成本、高可靠性的特点,可以用于高频频率源中对压控振荡器频率进行倍增。

技术研发人员:汪浩,杨立,孙欢聚,佟玲,程泽,张思佳,石苑辰,梁佳琦,孙春赢,张士贤
受保护的技术使用者:北京时代民芯科技有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/2/1
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