存储器件及其制作方法、电子设备与流程

本技术涉及半导体，具体而言，本技术涉及一种存储器件及其制作方法、电子设备。

背景技术：

1、存储器是计算机中数据存放的主要介质，随着存储技术的发展和进步，存储器件不断朝着小型化、高器件密度、高集成度的方向发展，同时也面临着来自制造等方面所带来的问题和挑战。

技术实现思路

1、本技术提出一种存储器件及其制作方法、电子设备，采用本技术实施例提供的存储器件的制作方法，可以通过更简单的工艺来制作阶梯结构，降低了工艺难度与制作成本。

2、第一个方面，本技术实施例提供了一种存储器件的制作方法，包括：

3、提供一衬底，衬底的一侧形成有凹槽，凹槽的侧壁垂直于凹槽的底壁；

4、在凹槽的内壁依次交替形成第一绝缘层和牺牲层，牺牲层具有平行于底壁的第一牺牲部和平行于侧壁的第二牺牲部，远离衬底的最后一个第一绝缘层填充满凹槽；

5、进行图形化处理，以将位于存储区、连接区和阶梯区以外区域的所有牺牲层和所有第一绝缘层均去除，存储区和连接区均位于最后一个第一绝缘层在底壁上的正投影内，阶梯区沿垂直于第二牺牲部的第一方向延伸，且与所有牺牲层和所有第一绝缘层在底壁上的正投影交叠；

6、形成第二绝缘层，使第二绝缘层填充凹槽的位于阶梯区朝向存储区一侧的部分；

7、去除剩余的所有牺牲层，以形成沿垂直于底壁方向依次间隔布置的多个空槽；

8、形成与多个空槽一一对应的多个导电层，使各导电层填充对应的空槽，各导电层均具有平行于底壁的阶梯部和平行于侧壁的接触部，多个阶梯部形成阶梯。

9、在本技术一些可选的实施方式中，在凹槽的内壁依次交替形成第一绝缘层和牺牲层，包括：

10、在衬底形成有凹槽的一侧依次交替沉积第一氧化物层和氮化物层，靠近衬底的第一个第一氧化物层覆盖凹槽的内壁，依次形成的第一氧化物层和氮化物层中，氮化物层覆盖第一氧化物层远离衬底的一侧，远离衬底的最后一个第一氧化物层填充满凹槽；

11、对第一氧化物层和氮化物层进行平坦化处理，以使第一氧化物层的顶面、氮化物层的顶面与侧壁的顶面平齐。

12、在本技术一些可选的实施方式中，进行图形化处理，包括：

13、在衬底的一侧制作掩膜层，掩膜层具有预设图形，预设图形在底壁上的正投影与存储区、连接区和阶梯区均交叠；

14、以掩膜层为掩膜对所有牺牲层和所有第一绝缘层进行刻蚀，以去除在底壁上的正投影位于存储区、连接区和阶梯区之外的所有牺牲层和所有第一绝缘层，剩余的所有牺牲层和所有第一绝缘层在底壁上的正投影均与存储区、连接区和阶梯区交叠。

15、在本技术一些可选的实施方式中，提供一衬底，包括：

16、提供一初始衬底；

17、对初始衬底进行刻蚀，以在初始衬底的一侧形成矩形槽，矩形槽作为凹槽，经过刻蚀后的初始衬底作为衬底。

18、在本技术一些可选的实施方式中，形成第二绝缘层，包括：

19、在衬底的一侧沉积第二氧化物层，使第二氧化物层填充凹槽；

20、对第二氧化物层进行刻蚀，去除凹槽内位于阶梯区远离存储区一侧的第二氧化物层，以露出剩余的所有牺牲层，剩余的第二氧化物层形成第二绝缘层，第二绝缘层和第一绝缘层形成存储器件的绝缘结构的至少一部分。

21、在本技术一些可选的实施方式中，去除剩余的所有牺牲层，包括：

22、对剩余的所有牺牲层进行湿法刻蚀，以去除剩余的所有牺牲层并对应形成多个空槽。

23、在本技术一些可选的实施方式中，形成与多个空槽一一对应的多个导电层，包括：

24、在衬底的一侧沉积金属材料，金属材料填充多个空槽并覆盖绝缘结构和衬底的表面；

25、去除覆盖在绝缘结构和衬底表面的金属材料，剩余的金属材料形成与多个空槽一一对应的多个导电层。

26、在本技术一些可选的实施方式中，在形成多个导电层之后，存储器件的制作方法还包括：

27、在衬底的一侧形成第三绝缘层，使第三绝缘层填充凹槽，第三绝缘层、第一绝缘层和第二绝缘层形成存储器件的绝缘结构。

28、第二个方面，本技术实施例提供了一种存储器件，采用上述的存储器件的制作方法制作而成；

29、存储器件包括：

30、衬底，衬底的一侧形成有凹槽，凹槽的侧壁垂直于凹槽的底壁；

31、存储结构，设置在底壁的一侧，且在底壁上的正投影位于存储区，存储结构包括沿垂直于底壁方向依次层叠设置的多个存储阵列层，每个存储阵列层均包括呈阵列排布的多个存储单元；

32、阶梯结构，设置在底壁的一侧，且在底壁上的正投影位于阶梯区，阶梯结构包括沿垂直于底壁方向依次间隔设置的多个阶梯部以及分别与各阶梯部对应连接的接触部，多个阶梯部形成阶梯；

33、多个阶梯部与多个存储阵列层一一对应，且各阶梯部均与对应的存储阵列层的至少一列存储单元连接。

34、在本技术一些可选的实施方式中，各阶梯部在第一方向上的尺寸，沿远离底壁的方向逐渐减小；

35、各接触部分别与对应的各阶梯部沿第一方向的端部连接。

36、在本技术一些可选的实施方式中，多个阶梯部沿第一方向的两端均形成阶梯；

37、各阶梯部沿第一方向的两端均对应连接有接触部。

38、第三个方面，本技术实施例提供了一种电子设备，包括上述的存储器件。

39、本技术实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括：

40、本技术实施例中，提供的衬底的一侧形成有凹槽，凹槽的侧壁垂直于底壁；在凹槽的内壁依次交替形成第一绝缘层和牺牲层，靠近衬底的第一个第一绝缘层覆盖凹槽的内壁，依次形成的第一绝缘层和牺牲层中，牺牲层覆盖第一绝缘层远离衬底的一侧，使得每个牺牲层均具有平行于底壁的第一牺牲部和平行于侧壁的第二牺牲部，第二牺牲部垂直于第一牺牲部，这样使得后续形成的阶梯部和接触部相垂直，便于走线，便于与外部器件连接，有助于实现小型化，提高存储密度；多个第一牺牲部沿第一方向的尺寸会沿着远离底壁的方向递减，从而使多个第一牺牲部形成阶梯；远离衬底的最后一个第一绝缘层填充满凹槽，避免出现镂空，便于后续进行化学机械抛光处理。

41、之后进行图形化处理，将位于存储区、连接区和阶梯区以外区域的所有牺牲层和所有第一绝缘层均去除，仅保留位于存储区、连接区和阶梯区的牺牲层和第一绝缘层；其中，存储区和连接区均位于最后一个第一绝缘层在底壁上的正投影内，阶梯区沿垂直于第二牺牲部的第一方向延伸，且与所有牺牲层和所有第一绝缘层在底壁上的正投影交叠。

42、接着，形成第二绝缘层，使第二绝缘层填充凹槽的位于阶梯区朝向存储区一侧的部分；之后去除剩余的所有牺牲层，与被去除的各牺牲层对应的位置处均会形成一个空槽，该空槽与对应的被去除的牺牲层的位置和形状均相同，多个空槽沿垂直于底壁方向依次间隔布置；之后形成与多个空槽一一对应的多个导电层，各导电层填充对应的空槽，使得各导电层具有与牺牲层相同的形状，即各导电层均具有平行于底壁的阶梯部和平行于侧壁的接触部，多个阶梯部形成阶梯。

43、本技术实施例中，衬底具有凹槽，凹槽的侧壁垂直于底壁，这样，在凹槽的内壁依次交替形成第一绝缘层和牺牲层，自然能够形成平行于底壁的第一牺牲部和平行于侧壁的第二牺牲部，并且由于第一绝缘层和牺牲层依次层叠形成，因此自然能够使多个第一牺牲部形成阶梯；形成阶梯之后去除所有牺牲层，并对应形成多个导电层，利用导电层替换牺牲层，从而使各导电层均具有平行于底壁的阶梯部和平行于侧壁的接触部，多个阶梯部形成阶梯。采用本技术实施例提供的存储器件的制作方法，可以通过更简单的工艺来自然形成阶梯结构，大大简化了工艺步骤，降低了工艺难度与制造成本。

44、本技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。