1.一种电压偏置电路，用于hbt射频功率放大器，其特征在于，包括：晶体管q6-q11、电阻r4-r12以及电容c4、c5；
2.一种射频功率放大器，其特征在于，包括：依次串联的输入匹配电路、一级放大电路、级间匹配电路、二级放大电路和输出匹配电路，其特征在于，所述一级放大电路的输入端和输出端间并联有第一负反馈电路，所述二级放大电路的输入端和输出端间并联有第二负反馈电路，所述一级放大电路、二级放大电路的输入端分别连接有如权利要求1所述的电压偏置电路，为所述一级放大电路、二级放大电路提供所述偏置电压vb。
3.根据权利要求2所述的射频功率放大器，其特征在于，所述输入匹配电路包括：电容c2、电容c6、电感l3和电感l4；
4.根据权利要求3所述的射频功率放大器，其特征在于，所述一级放大电路包括：晶体管q1和电感l1；
5.根据权利要求4所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第一负反馈电路包括：电阻r13、电感l5和电容c7；
6.根据权利要求5所述的射频功率放大器，其特征在于，所述级间匹配电路包括：电容c3、电容c8、电感l6和电阻r14；
7.根据权利要求6所述的射频功率放大器，其特征在于，所述二级放大电路包括：晶体管q2和电感l2；
8.根据权利要求7所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第二负反馈电路包括：电阻r15、电感l7和电容c9；
9.根据权利要求8所述的射频功率放大器，其特征在于，输出匹配电路包括：电感l8-l12和电容c10-c13；
10.一种射频芯片，其特征在于，包括权利要求2-9任一项所述的射频功率放大器。