一种基于拨码实现的多片EEPROM片选电路的制作方法

本技术涉及工业以太网通信领域，尤其涉及一种基于拨码实现的多片eeprom片选电路。

背景技术：

1、在工业以太网交换机产品中，非管理交换机往往通过eeprom(electricallyerasable programmable read only memory，带电可擦可编程只读存储器)或者mcu(microcontroller unit，微控制单元)来实现风暴抑制、vlan(virtual localareanetwork，虚拟局域网)、流量控制、巨型帧等功能，当采用mcu时，成本较高，且需要编写程序实现相关功能，有的厂家不提供mcu方案时，只能采用eeprom，此时交换芯片只能同时接1片eeprom。这样上述功能必须同时配置在eeprom中，如果需要单独支持的话，就需要将配置分别写在对应的eeprom中，因此需要一种可以实现多片eeprom灵活选择的电路。

2、中国专利cn115114183a《一种基于i2c总线的精确写eeprom的方法》公开了一种基于i2c总线的精确写eeprom的方法、设备和存储介质，包括i2c主机端收集挂载在i2c总线上的各eeprom的设备地址、总存储容量、单页大小以及参照表，通过将数据写到目标地址中，实现了对各eeprom任意写起始地址、任意数据量的按页写操作。然而上述专利虽然实现了对各eeprom写入的操作，但并未实现对多片eeprom灵活选择的功能，同时没有公开具体电路图。

技术实现思路

1、有鉴于此，本实用新型提出了一种基于拨码实现的多片eeprom片选电路，用来解决交换芯片对多片eeprom无法灵活选用的问题。

2、本实用新型的技术方案是这样实现的：一种基于拨码实现的多片eeprom片选电路，包括拨码模块、eeprom电平控制模块、eeprom芯片模块、交换芯片、复位电平控制模块和复位模块，

3、所述拨码模块与eeprom电平控制模块和复位电平控制模块电性连接，用于给eeprom电平控制模块和复位电平控制模块提供电能；

4、所述eeprom电平控制模块复位电平控制模块和eeprom芯片模块电性连接，用于控制eeprom芯片的电平和控制复位电平控制模块改变电平；

5、所述复位电平控制模块与复位模块电性连接，用于控制复位芯片的电平；

6、所述eeprom芯片模块与交换芯片电性连接，用于配置eeprom数据传输至交换芯片；

7、所述复位模块与交换芯片电性连接，用于复位交换芯片；

8、所述交换芯片与eeprom芯片模块电性连接，用于加载eeprom。

9、优选的，所述拨码模块包括拨码开关sw1、电阻r27和r28，

10、拨码开关sw1的引脚3和4接地，拨码开关sw1的引脚1与电阻r27的一端和on1电性连接，拨码开关sw1的引脚2与电阻r28的一端和on2电性连接，电阻r27的另一端和电阻r28的另一端与vdd3v3电性连接。

11、优选的，所述eeprom电平控制模块包括电阻r47、r61、r62、r63、三极管q1和q2，

12、三极管q1的集电极与电阻r61的一端和on1_b电性连接，电阻r61的另一端与vdd3v3电性连接，三极管q1的发射极接地，三极管q1的基极与电阻r62的一端电性连接，电阻r62的另一端与on1电性连接，三极管q2的集电极与电阻r47的一端和on2_b电性连接，电阻r47的另一端与vdd3v3电性连接，三极管q2的发射极接地，三极管q2的基极与电阻r63的一端电性连接，电阻r63的另一端与on2电性连接。

13、优选的，所述eeprom芯片模块包括eeprom芯片u1、u2、u3、u4、电阻r25、r31、r32、r33、r40、r41、r42、r43、r46、r47、r50、r51和r54，

14、eeprom芯片u1的引脚1与on1_b电性连接，eeprom芯片u1的引脚2与on2_b电性连接，eeprom芯片u1的引脚3和4接地，eeprom芯片u1的引脚5与电阻r54的一端和i2c_sda电性连接，eeprom芯片u1的引脚6与电阻r51的一端和i2c_scl电性连接，电阻r51的另一端和电阻r54的另一端与vdd3v3电性连接，eeprom芯片u1的引脚7与电阻r50的一端电性连接，eeprom芯片u1的引脚8与vdd3v3和电阻r50的另一端电性连接，

15、eeprom芯片u2的引脚1与on1电性连接，eeprom芯片u2的引脚2与on2_b电性连接，eeprom芯片u2的引脚3和4接地，eeprom芯片u2的引脚5与电阻r41的一端和i2c_sda电性连接，eeprom芯片u2的引脚6与电阻r33的一端和i2c_scl电性连接，电阻r41的另一端和电阻r33的另一端与vdd3v3电性连接，eeprom芯片u2的引脚7与电阻r32的一端电性连接，eeprom芯片u2的引脚8与vdd3v3和电阻r32的另一端电性连接，

16、eeprom芯片u3的引脚1与on1_b电性连接，eeprom芯片u3的引脚2与on2电性连接，eeprom芯片u3的引脚3和4接地，eeprom芯片u3的引脚5与电阻r46的一端和i2c_sda电性连接，eeprom芯片u3的引脚6与电阻r43的一端和i2c_scl电性连接，电阻r46的另一端和电阻r43的另一端与vdd3v3电性连接，eeprom芯片u3的引脚7与电阻r42的一端电性连接，eeprom芯片u3的引脚8与vdd3v3和电阻r42的另一端电性连接，

17、eeprom芯片u4的引脚1与on1电性连接，eeprom芯片u4的引脚2与on2电性连接，eeprom芯片u4的引脚3和4接地，eeprom芯片u4的引脚5与电阻r31的一端和i2c_sda电性连接，eeprom芯片u4的引脚6与电阻r25的一端和i2c_scl电性连接，电阻r31的另一端和电阻r25的另一端与vdd3v3电性连接，eeprom芯片u4的引脚7与电阻r40的一端电性连接，eeprom芯片u4的引脚8与vdd3v3和电阻r40的另一端电性连接。

18、优选的，所述复位电平控制模块包括三极管q3、q4、q5、q6、电容c1、c2、c3、c4、电阻r48、r49、r55、r56、r57、r58、r59和r60，

19、三极管q3的集电极与rst_ctl电性连接，三极管q3的发射极与vdd3v3电性连接，三极管q3的基极与电阻r49的一端电性连接，电阻r49的另一端与电阻r48的一端和电容c1的一端电性连接，电阻r48的另一端与vdd3v3电性连接，电容c1的另一端与on1电性连接，

20、三极管q4的集电极与rst_ctl电性连接，三极管q4的发射极与vdd3v3电性连接，三极管q4的基极与电阻r56的一端电性连接，电阻r56的另一端与电阻r55的一端和电容c2的一端电性连接，电阻r55的另一端与vdd3v3电性连接，电容c2的另一端与on1_b电性连接，

21、三极管q5的集电极与rst_ctl电性连接，三极管q5的发射极与vdd3v3电性连接，三极管q5的基极与电阻r58的一端电性连接，电阻r58的另一端与电阻r57的一端和电容c3的一端电性连接，电阻r57的另一端与vdd3v3电性连接，电容c3的另一端与on1_b电性连接，

22、三极管q6的集电极与rst_ctl电性连接，三极管q6的发射极与vdd3v3电性连接，三极管q6的基极与电阻r60的一端电性连接，电阻r60的另一端与电阻r59的一端和电容c4的一端电性连接，电阻r59的另一端与vdd3v3电性连接，电容c4的另一端与on1_b电性连接。

23、优选的，所述复位模块包括三极管q7、电阻r34、r35、r36、r64和r65，

24、复位芯片u6的引脚1接地，复位芯片u6的引脚2与电阻r64的一端和电阻r65的一端电性连接，电阻r64的另一端与rst_swc电性连接，电阻r65的另一端接地，复位芯片u6的引脚3与三极管q7的集电极和电阻r34的一端电性连接，电阻r34的另一端接地，复位芯片u6的引脚4与vdd3v3电性连接，

25、三极管q7的发射极与vdd3v3电性连接，三极管q7的基极与电阻r35的一端电性连接，电阻r35的另一端与电阻r36的一端和rst_ctl电性连接，电阻r36的另一端接地。

26、本实用新型提供的一种基于拨码实现的多片eeprom片选电路，相对于现有技术，具有以下有益效果：

27、(1)通过拨码模块选择不同的eeprom，2位拨码一共4种状态来切换实现对应4片eeprom的选择，灵活选择4片eeprom，解决了交换芯片同时只能与1片eeprom连接的问题；

28、(2)不需要将4片eeprom焊接到交换芯片，仅仅通过拨码模块的4种状态切换即可分别接入4片不同的eeprom芯片，不需要使用单片机，节省了成本。