1.一种具有滤波响应的功率放大器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述晶体管包括基极、集电极和发射极，所述基极与所述输入匹配电路和所述偏置电路连接，所述集电极和所述输出匹配电路连接，所述发射极接地。
3.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述前级滤波器的输出端通过所述输入匹配电路和所述晶体管的基极连接，所述输入匹配电路用于匹配所述前级滤波器的输出阻抗和所述晶体管的输入阻抗。
4.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述偏置电路与所述晶体管的输入端和所述输入匹配电路的输出端连接。
5.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述晶体管的集电极通过所述输出匹配电路和所述后级滤波器连接，所述输出匹配电路用于匹配所述后级滤波器的输入阻抗和所述晶体管的输出阻抗。
6.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第二微带线构成的第一谐振器的发夹结构包括开口端和转折端，所述第一谐振器的纵向尺寸大于横向尺寸。
7.根据权利要求6所述的功率放大器，其特征在于，所述第一谐振器的发夹结构的开口端由弯折方向相反的输入端弯折和输出端弯折构成，
8.根据权利要求6或7所述的功率放大器，其特征在于，所述输入端弯折在所述第二微带线与所述第一微带线连接端口处，所述输出端弯折在所述第二微带线与所述第四微带线连接端口处；
9.根据权利要求6所述的功率放大器，其特征在于，所述第二微带线为低阻抗线。
10.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第三微带线构成的开路短截线结构的长度为寄生通带频率对应的1/4介质波长。
11.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第四微带线构成的第二谐振器的发夹结构包括开口端和转折端，且所述第二谐振器的纵向尺寸大于横向尺寸。
12.根据权利要求11所述的功率放大器，其特征在于，所述第二谐振器的发夹结构的开口端，由弯折方向相反并镜像对称的两处弯折构成，
13.根据权利要求11或12所述的功率放大器，其特征在于，所述第四微带线为高阻抗线。
14.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第五微带线的开口枝节为蛇型结构，所述蛇型结构由多个发夹结构组成，所述蛇型结构的发夹结构包括转折端和开口端，所述蛇形结构的发夹结构的纵向尺寸大于横向尺寸。
15.根据权利要求14所述的功率放大器，其特征在于，所述蛇型结构的发夹结构的开口端由弯折方向相反的两处弯折构成，或者由一处弯折和开路构成；
16.根据权利要求14或15所述的功率放大器，其特征在于，所述蛇形结构包括五个发夹结构，所述五个发夹结构包括五个转折端和五个开口端。
17.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第六微带线在靠近中央位置有一处转向所述信号输出端的弯折，所述输出端的弯折构成转折角。
18.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述介质板为印刷电路板的介质基板，所述介质板由绝缘隔热材料制备得到，所述介质板具有良好的抗弯曲性能。
19.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第一微带线的长度为4.00毫米，宽度为1.63毫米；
20.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述微带滤波器为7阶巴特沃斯型低频滤波器，所述微带滤波器的微带线用金属薄膜制作得到。
21.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述微带滤波器的截止频率在433兆赫兹，所述微带滤波器的频率范围为400-433兆赫兹，所述微带滤波器的最大通带衰减为0.5分贝，所述微带滤波器的最低功率为35瓦。
22.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述微带滤波器是大型的，其尺寸大小为98.5毫米×71.0毫米，或者所述微带滤波器是中型的，其尺寸大小为61.8毫米×70.4毫米，或者所述微带滤波器是小型的，其尺寸大小为59.0毫米×53.0毫米。
23.一种无人农机，其特征在于，包括如权利要求1-22任一项中所述的功率放大器。