射频功率发射装置的支撑装置的制造方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种用于电感耦合型等离子体处理装置的射频功率发射装置的支撑装置。
【背景技术】
[0002]等离子反应器或反应腔在现有技术中是公知的，并广泛应用于半导体集成电路、平板显示器，发光二极管(LED)，太阳能电池等的制造工业内。在等离子腔中通常会施加一个射频电源以产生并维持等离子于反应腔中。其中，有许多不同的方式施加射频功率，每个不同方式的设计都将导致不同的特性，比如效率、等离子解离、均一性等等。其中，一种设计是电感耦合(ICP)等离子腔。
[0003]在电感耦合等离子处理腔中，一个通常是线圈状的线圈用于向反应腔内发射射频能量。为了使来自线圈的射频功率耦合到反应腔内，在线圈处放置一个绝缘材料窗口。反应腔可以处理各种基片，比如硅晶圆等，基片被固定在夹盘上，等离子在基片上方产生。因此，线圈被放置在反应器顶板上方，使得反应腔顶板是由绝缘材料制成或者包括一个绝缘材料窗口。在等离子处理腔中，各种气体被注入到反应腔中，以使得离子和基片之间的化学反应和/或物理作用可被用于在所述基片上形成各种特征结构，比如刻蚀、沉积等等。
[0004]电感耦合等离子处理腔室的射频功率发射装置需要支撑装置才能固定在顶板上。然而，射频功率发射装置的设置是随着工艺等条件而变化，例如线圈会根据制程需要时常需要调整高度和宽度，线圈每圈之间的宽度比例也不是固定不变的。在现有技术中，往往射频功率发射的设置发生了变化，就要重新配置一全新的支撑装置来适应这种变化。这不仅造成了资源浪费，而且工艺繁复，且往往需要时间来等待支撑装置的更新来继续制程，浪费了时间。
[0005]基于此，本发明提出了一种新型的可调整的支撑装置。
【发明内容】
[0006]针对【背景技术】中的上述问题，本发明提出了一种射频功率发射装置的支撑装置。
[0007]本发明第一方面提供了一种用于电感耦合型等离子体处理装置的射频功率发射装置的支撑装置，其中，所述电感耦合型等离子体处理装置包括一腔体，腔体包括顶板，射频功率发射装置设置于所述顶板上方，以发射射频能量到所述腔体内，所述支撑装置用于将射频功率发射装置固定在所述顶板上，所述支撑装置包括:
[0008]长条形主体，其上设置有凹陷的滑轨；
[0009]两个滑块，其分别设置在所述主体的两端，且和所述主体呈垂直放置；
[0010]若干个固定装置，其设置于所述主体上，其可以在所述主体上的滑轨上滑动，且将射频功率发射装置固定在所述顶板上。
[0011 ] 进一步地，所述射频功率发射装置包括线圈。
[0012]进一步地，所述滑块上也设置有凹陷的滑轨，其中，所述主体的两端能够分别沿着两个滑块凹陷的滑轨上下移动。
[0013]进一步地，所述滑轨和/或滑块采用绝缘材料。
[0014]进一步地，所述滑块能够以所述主体为轴以所述主体的端点为圆心顺时针或者逆时针转动。
[0015]进一步地，所述滑块上的滑轨上设置有若干个通孔，所述主体的两端具有螺栓结构，所述螺栓能够插入所述通孔内从而将所述滑块和所述主体进行固定。
[0016]进一步地，所述螺栓和所述的通孔的连接并非固定的，螺栓是可转动地，以带动滑块以所述主体为轴以所述主体的端点为圆心顺时针或者逆时针转动。
[0017]进一步地，所述固定装置包括螺栓结构、固定扣结构。
[0018]进一步地，所述支撑装置及其所有组件的尺寸都应根据所述电感耦合型等离子体处理装置及其射频功率发射装置的尺寸来确定。
[0019]本发明第二方面提供了一种电感耦合型等离子体处理装置，其特征在于，所述电感耦合型等离子体处理装置包括本发明第一方面所述的支撑装置。
[0020]本发明提供的射频功率发射装置支撑装置是可调整的，通过不同的调整来适应射频功率发射装置的变化。特别是当射频功率发射装置是线圈时，无论线圈需要调整高度或者宽度，还是线圈每一圈的宽度变化，本发明提供的支撑装置都可以通过滑轨上螺栓的滑动，以及支撑装置主体和滑块的位置关系来适应线圈的各种变化。本发明提供的射频功率发射装置的支撑装置方便使用，不必频繁更换，能够机动调整，节约了资源，提高了生产效率。
【附图说明】
[0021]图1是根据本发明一个具体实施例的电感耦合型等离子体处理装置的结构示意图；
[0022]图2是根据本发明一个具体实施例的电感耦合型等离子体处理装置的射频功率发射装置和支撑装置结合的连接结构示意图；
[0023]图3是根据本发明一个具体实施例的电感耦合型等离子体处理装置的射频功率发射装置的支撑装置结构示意图。
【具体实施方式】
[0024]以下结合附图，对本发明的【具体实施方式】进行说明。
[0025]要指出的是，“半导体工艺件”、“晶圆”和“基片”这些词在随后的说明中将被经常互换使用，在本发明中，它们都指被加工的工艺件，工艺件不限于晶圆、衬底、基片、大面积平板基板等。为了方便说明，本专利在实施方式说明和图示中将主要以“基片”为例来作示例性说明。
[0026]图1是根据本发明一个具体实施例的电感耦合型等离子体处理装置的结构示意图。图1示出根据本发明一个实施例的电感耦合型等离子处理装置100。应当理解，其中的电感耦合型等离子体处理装置100仅仅是示例性的，所述100实际上也可以包括更少或额外的部件，部件的排列也可以不同于图1中所示出。
[0027]需要说明的是，下文将以电感耦合等离子体处理装置的射频功率发射装置为线圈为例进行说明。但是，本领域技术人员应当理解，本实施例只是示例性地，并不能视为对本发明进行任何限制，射频功率发射装置除了线圈还有其他不同形式。
[0028]图1示出了现有技术的一种电感耦合等离子体处理装置的结构示意图，所述电感耦合等离子体处理装置100包括一反应腔室室101。在反应腔室室101下方设置了一个用于承载和固定基片W的基台112。电感耦合线圈设置于反应腔室101的顶板106上方；射频电源110用于向所述电感耦合线圈108供电，以向腔室内部耦合提供射频能量。其中，线圈108能够在射频电源110的作用下产生的高能磁场，反应气体从气体源102通过管路经过气体注入口进入腔体101，并在高能磁场下电离,从而形成等离子体。其中,所述气体注入口包括中央气体注入口 104a以及外围气体注入口 104b。上述等离子体在高能磁场的作用下向下运动，对固定于基台112上的基片W进行制程(例如刻蚀反应)。因此电感耦合线圈108产生的磁场的分布情况会影响等离子体的分布。设置于腔体101下方的真空泵114能够将制程冗余排出，从而保持制程空间的洁净。
[0029]图2是根据本发明一个具体实施例的电感耦合型等离子体处理装置的射频功率发射装置和支撑装置结合的连接结构示意图。参见图1和图2，本发明提供了一种用于电感耦合型等离子体处理装，100的射频功率发射装置的支撑装置20，所述支撑装置20用于将射频功率发射装置固定在所述顶板上。在本发明的一个优选实施例中，所述射频功率发射装置为金属线圈108。在本实施例中，线圈20仅以多圈线圈结构示出。需要说明的是，在实际应用中，电感耦合线圈的配置包括多种形式，例如螺旋型、单圈线圈结构、穹顶形等。支撑装置20为长条形结构，如图2所示，由于平面的多圈线圈结构为“蚊香”状，若干个支撑装置20以“蚊香