Ab类放大器的制造方法
【专利说明】AB类放大器
[0001]分案申请说明
[0002]本申请是于2011年3月9日提交的、于2012年10月18日进入中国国家阶段的、申请号为201180019828.6、名称为“AB类放大器”的中国发明专利申请的分案申请。
[0003]相关申请的交叉引用
[0004]本申请要求对2011年3月9日提交的第13/044，183号美国专利申请和2010年3月9日提交的第61/312，167号美国临时申请的优先权。上述申请的公开内容通过整体引用而结合于此。
技术领域
[0005]本公开内容涉及放大器并且更具体地涉及AB放大器。
【背景技术】
[0006]这里提供的【背景技术】描述是出于总体呈现公开内容的上下文的目的。当前具名的发明人的工作在这一【背景技术】部分中描述该工作的程度上以及该描述的可能在提交时原本不具有作为现有技术的洗个的方面既不明示地也不暗示地承认为相对于本公开内容的现有技术。
[0007]A类放大器在输入信号的整个周期内操作。输出信号是输入信号的按比例增加的复制。A类放大器在电感输出耦合时具有约50%的最大效率并且在电容输出耦合时具有约25%的最大效率。
[0008]在A类放大器中，偏置晶体管从而使得晶体管总是导通。在晶体管的传送特征的线性部分内操作晶体管。由于晶体管总是导通，所以即使当不存在输入时仍然从电源汲取功率。如果需要高输出功率，则功率消耗(和附带热量)可能变得明显。
[0009]B类放大器在输入周期的一半期间放大。因而，B类放大器往往增加失真，但是具有比A类放大器更高的效率。B类放大器具有在75%以上的最大效率。晶体管在一半时间关断并且在这时不耗散功率。
[0010]B类放大器可以使用互补晶体管对(“推挽(push-pull) ”晶体管布置)。互补器件放大输入信号的相反的两半。不匹配或者交叉失真可能在重新结合信号的两半时出现。一种对不匹配问题的解决方案涉及到将晶体管偏置成恰好接通而不是在未使用时完全关断。这一偏置方式被称为AB类操作。换言之，AB类放大器件可以包括偏置成使得两个晶体管在交叉点周围导通的B类输出级。
【发明内容】
[0011]—种AB类放大器，包括:第一电感器，具有与电压源端子连通的第一端子。第一晶体管具有与第一电感器的第二端子连通的漏极端子。第二晶体管具有与第一晶体管的源极端子连通的源极端子。第二电感器具有与第二晶体管的漏极端子连通的第一端子和与参考电势连通的第二端子。第一晶体管的漏极端子和第二晶体管的漏极端子电容地耦合在一起。
[0012]在其它特征中，第一电容具有与第一晶体管的源极端子和第二晶体管的源极端子连通的第一端子。第一电容的第二端子与向AB类放大器的电压输入连通。
[0013]在其它特征中，第一电容具有与第一晶体管的栅极端子和第二晶体管的栅极端子连通的第一端子。第一电容的第二端子与向AB类放大器的电压输入连通。
[0014]在其它特征中，第一可变电容与第一电感器并联连接。第二可变电容与第二电感器并联连接。第一电容具有与第一晶体管的漏极端子连通的第一端子和与第二晶体管的漏极端子连通的第二端子。
[0015]在其它特征中，N个电容具有与第一晶体管的漏极端子连通的第一端子。N个电阻具有与N个电容中的相应电容的第二端子连通的第一端子并且具有与第二晶体管的漏极端子连通的第二端子，其中N是大于零的整数。
[0016]在其它特征中，第三电感器具有与电压源端子连通的第一端子。第三晶体管具有与第三电感器的第二端子连通的漏极端子。第四晶体管具有与第三晶体管的源极端子连通的源极端子。第四电感器具有与第四晶体管的漏极端子连通的第一端子和与参考电势连通的第二端子。电容地耦合第三晶体管的漏极端子和第四晶体管的漏极端子。
[0017]在其它特征中，第一电容和第二电容相互串联连接并且分别与第一晶体管的漏极端子和第二晶体管的漏极端子并联连接。第三电容和第四电容相互串联连接并且分别与第三晶体管的漏极端子和第四晶体管的漏极端子并联连接。
[0018]在其它特征中，第五电容具有连接于第一电容与第二电容之间并且与第一晶体管的源极端子和第二晶体管的源极端子连接的第一端子。第五电容具有连接于第三电容与第四电容之间并且与第三晶体管的源极端子和第四晶体管的源极端子连接的第二端子。第六电容具有与第一电容的第一端子和第二电容的第一端子连通的一端。第七电容具有与第三电容的第一端子和第四电容的第一端子连通的一端。
[0019]在其它特征中，输入驱动器包括:第三晶体管，具有与输入信号连通的栅极端子；储能电路(tank circuit)，与第三晶体管的端子连通；以及匹配网络，与第三晶体管的端子以及第一晶体管的源极端子和第二晶体管的源极端子连通。
[0020]在其它特征中，第一电容具有与第一晶体管的源极端子和第二晶体管的源极端子连通的第一端子。第二电容具有与第三晶体管的源极端子和第四晶体管的源极端子连通的第一端子。第五电感器与第一电容的第二端子和第二电容的第二端子连通。
[0021]在其它特征中，第五晶体管具有与差分输入信号的第一极性连通的栅极端子和与第一电容的第二端子连通的第一端子。第六晶体管具有与差分输入信号的第二极性连通的栅极端子和与第二电容的第二端子连通的第一端子。
[0022]在其它特征中，功率组合器包括分别耦合到第一电感器、第二电感器、第三电感器和第四电感器的第五电感器、第六电感器、第七电感器和第八电感器。天线连接到功率组合器。第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管以及第一电感器、第二电感器、第三电感器和第四电感器连接于第一回路中。第五电感器、第六电感器、第七电感器和第八电感器连接于在第一回路以内或者以外布置的第二回路中。
[0023]在其它特征中，第一电容具有与第一晶体管的源极端子和第二晶体管的源极端子连通的第一端子。第二电容具有与第三晶体管的源极端子和第四晶体管的源极端子连通的第一端子。第五电感器与第一电容的第二端子和第二电容的第二端子连通。第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管以及第一电感器、第二电感器、第三电感器和第四电感器连接于第一回路中。第五电感器、第六电感器、第七电感器和第八电感器连接于在第一回路以内或者以外布置的第二回路中。第五电感器布置成数字“8”形状。第五电感器位于第一回路和第二回路以内。
[0024]在其它特征中，第一电容和第二电容以及第五电容器在AB类放大器的中心频率具有第一阻抗并且分别在AB类放大器的第二谐波频率和第三谐波频率具有第二阻抗和第三阻抗。第二阻抗和第三阻抗大于第一阻抗。第一晶体管是NMOS晶体管并且第二晶体管是PMOS晶体管。
[0025]—种AB类放大器，包括:第一电感器，具有与电压源端子连通的第一端子。第一晶体管具有与第一电感器的第二端子连通的漏极端子。第二晶体管具有与第一晶体管的源极端子连通的源极端子。第二电感器具有与第二晶体管的漏极端子连通的第一端子和与参考电势连通的第二端子。第三电感器具有与电压源端子连通的第一端子。第三晶体管具有与第三电感器的第二端子连通的漏极端子。第四晶体管具有与第三晶体管的源极端子连通的源极端子。第四电感器具有与第四晶体管的漏极端子连通的第一端子和与参考电势连通的第二端子。电容地耦合第一晶体管的漏极端子和第三晶体管的漏极端子。电容地耦合第二晶体管的漏极端子和第四晶体管的漏极端子。向第一晶体管的栅极和第三晶体管的栅极输入差分信号的第一极性，并且向第二晶体管的栅极和第四晶体管的栅极输入差分信号的第二极性。
[0026]