基于降压型恒定电流的驱动线束下线机系统的制作方法

文档序号:9237791阅读:415来源:国知局
基于降压型恒定电流的驱动线束下线机系统的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种线束下线机驱动系统,具体是指基于降压型恒定电流的驱动线束下线机系统。
【背景技术】
[0002]目前电子产品种类、功能不断增加,线束的使用随之增多。在线束生产过程中工作量非常大,现在人们广泛使用驱动线束下线机进行线束生产从而大大提高了工作效率。
[0003]然而,在驱动线束下线机系统在工作的过程中常常会出现电压、电流不稳定的缺陷,从而影响驱动线束下线机的正常工作,严重的还会损坏下线机。如何有效克服驱动线束下线机系统在工作时出现的电压、电流不稳定的缺陷,便是人们急需要解决的难题。

【发明内容】

[0004]本发明的目的在于克服目前线束下线机系统在工作的过程中难免会出现电压、电流不稳定的缺陷,提供一种稳定的基于降压型恒定电流的驱动线束下线机系统。
[0005]本发明的目的通过下述技术方案实现:基于降压型恒定电流的驱动线束下线机系统,由前端采样电路,和前端采样电路输出端相连接的触发电路、稳压电路,与稳压电路相连接的功率放大电路,设置在触发电路和稳压电路之间的线性驱动电路,以及串接在触发电路与功率放大电路之间的降压型恒定电流电路组成。所述降压型恒定电流电路由降压芯片U3,三极管VT6,三极管VT7,放大器P2,P极顺次经极性电容C8、电阻R17、电阻R16、极性电容C9后与降压芯片U3的REG脚相连接、N极经电阻R18后与降压芯片U3的FSET脚相连接的二极管D8,正极经电阻R19后与降压芯片U3的OUT脚相连接、负极经电阻R20后与降压芯片U3的BST脚相连接的极性电容C10,P极经电阻R21后与放大器P2的正极输入端相连接、N极经电感L后与三极管VT6的基极相连接的二极管D9,正极与放大器P2的正极输入端相连接、负极经电阻R22后与三极管VT6的发射极相连接的极性电容Cl I,负极顺次经电阻R24、电阻R23后与三极管VT6的基极相连接、正极与三极管VT7的集电极相连接的极性电容C12,以及一端与放大器P2的负极输入端相连接、另一端与三极管VT7的发射极相连接的电阻R15组成;所述降压芯片U3的VDD脚与电阻R18与二极管D8的连接点相连接,其FB脚则与放大器P2的输出端相连接,其GND脚接地;所述三极管VT6的集电极接地;所述三极管TH的基极与极性电容Cll的负极相连接;所述二极管D8的P极与触发电路相连接;同时,三极管VT6的基极则与功率放大电路相连接;所述二极管D8的N极还与电容ClO的正极相连接。
[0006]所述的线性驱动电路由驱动芯片Ul,三极管VT2,三极管VT3,三极管VT4,三极管VT5,正极与触发电路相连接、负极经电阻R8后与驱动芯片U的INl管脚相连接的极性电容C5,一端与三极管VT5的集电极相连接、另一端经电阻RlO后与三极管VT3的基极相连接的电阻R9,正极与三极管VT5的基极相连接、负极与驱动芯片Ul的INl管脚相连接的极性电容C7,正极与驱动芯片Ul的IN2管脚相连接、负极接地的极性电容C6,一端与三极管VT5的发射极相连接、另一端与三极管VT2的基极相连接的电阻R12,一端与三极管VT2的基极相连接、另一端与三极管VT3的基极相连接的电阻R11,N极与三极管VT5的集电极相连接、P极与三极管VT2的集电极相连接的二极管D6,正相端与三极管VT5的集电极相连接、反相端与三极管VT4集电极相连接的非门K,一端与三极管VT4发射极相连接、另一端经电阻R13后与三极管VT3的发射极相连接的电阻R14,以及P极与非门K的反相端相连接、N极与电阻R14和电阻R13的连接点相连接的二极管D7组成;所述驱动芯片Ul的VCC管脚与三极管VT5的基极相连接、END管脚接地、OUT管脚与三极管VT2的集电极相连接,三极管VT2的集电极还与三极管VT4的基极相连接、其发射极与三极管家VT3的基极相连接,三极管VT3的集电极接地,二极管D7的N极与稳压电路相连接。
[0007]所述的前端采样电路包括二极管D1,二极管D2,极性电容Cl,电阻Rl ;二极管D2的N极经极性电容Cl后与二极管Dl的P极相连接,P极则经电阻Rl后与二极管Dl的N极相连接;所述二极管D2的P极还与触发电路连接。
[0008]所述的触发电路由三极管VT1,极性电容C2,电感LI组成;三极管VTl的基极与二极管D2的P极相连接、其集电极则与极性电容C5的正极相连接、发射极经极性电容C2后同时与二极管D2的P极和二极管D8的P极相连接;电感LI的一端与三极管VTl的集电极相连接,另一端则与二极管D2的P极相连接。
[0009]所述的稳压电路由稳压芯片U,一端与二极管D7的N极相连接、另一端与稳压芯片U的IN管脚相连接的电阻R2,以及一端与稳压芯片U的ENG管脚相连接、另一端接地的电阻R 3组成;所述稳压芯片U的OUT管脚则与功率放大电路相连接。
[0010]所述的功率放大电路由放大器P,齐纳二极管D4,齐纳二极管D5,串接在放大器P的负极和输出极之间的极性电容C3,一端与放大器P的负极输入端相连接、另一端则与齐纳二极管D4的N极相连接的电阻R4,P极与放大器P的输出极相连接、N极经电阻R5后作为电路一输出端的二极管D3,正极与齐纳二极管D4的N极相连接、负极经电阻R7后与电阻
5输出端相连接的极性电容C4,以及与电阻R7相并联的电阻R6组成;所述齐纳二极管D5的N极与二极管D3的N极相连接、其P极则与齐纳二极管D4的P极相连接;所述齐纳二极管D5的P极与齐纳二极管D5的P极相连接的连接点则与三极管VT9的基极相连接;所述放大器P的正极输入端与稳压芯片U的OUT管脚相连接。
[0011]为确保本发明的使用效果,该驱动芯片U为LM387集成芯片,而降压芯片U3则采用A718EGT集成芯片。
[0012]本发明较现有技术相比,具有以下优点及有益效果:
[0013](I)本发明设置有降压型恒定电流电路,其提供稳定的电压、电流,从而使设置在系统中的线性驱动电路更好的驱动线束下线机,避免下线机受到损坏。
[0014](2)本发明结构简单,制作成本低,适合广泛推广。
【附图说明】
[0015]图1为本发明的整体电路图。
【具体实施方式】
[0016]下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明,但本发明的实施方式不限于此。
[0017]实施例
[0018]如图1所示,本发明由前端采样电路,和前端采样电路输出端相连接的触发电路、稳压电路,与稳压电路相连接的功率放大电路,设置在触发电路和稳压电路之间的线性驱动电路,以及串接在触发电路与功率放大电路之间的降压型恒定电流电路组成。
[0019]其中,降压型恒定电流电路由降压芯片U3,三极管VT6,三极管VT7,放大器P2,电阻R15,电阻R16,电阻R17,电阻R18,电阻R19,电阻R20,电阻R21,电阻R22,电阻R23,电阻R24,电容C8,电容C9,电容C10,电容C11,电容C12,二极管D8,以及二极管D9组成。
[0020]连接时,二极管D8的P极顺次经极性电容C8、电阻R17、电阻R16、极性电容C9后与降压芯片U3的REG脚相连接、N极经电阻R18后与降压芯片U3的FSET脚相连接。极性电容ClO的正极经电阻R19后与降压芯片U3的OUT脚相连接、负极经电阻R20后与降压芯片U3的BST脚相连接。
[0021]二极管D9的P极经电阻R21后与放大器P2的正极输入端相连接、N极经电感L后与三极管VT6的基极相连接。极性电容Cll的正极与放大器P2的正极输入端相连接、负极经电阻R22后与三极管VT6的发射极相连接。极性电容C12的负极顺次经电阻R24、电阻R23后与三极管VT6的基极相连接、正极与三极管VT7的集电极相连接。以及电阻R15的一端与放大器P2的负极输入端相连接、另一端与三极管VT7的发射极相连接。
[0022]连接时,降压芯片U3的VDD脚与电阻R18与二极管D8的连接点相连接,其FB脚则与放大器P2的输出端相连接,其GND脚接地;所述三极管VT6的集电极接地;所述三极管VT7的基极与极性电容Cll的负极相连接;所述二极管D8的P极与触发电路相连接;同时,三极管VT6的基极则与功率放大电路相连接;所述二极管D8的N极还与电容ClO的正极相连接。
[0023]为了更好的实施本发明,所述的降压芯片U3优先采用A718EGT集成芯片来实现。其内置2.5A功率MOS开关;其具有自举升压、短路保护、欠电闭锁、开路保护、过热保护、电压和电流自动恒定、低功耗调节等功能;A718EGT集成芯片采用绿色工艺,输入电源电压范围为6?36V ;其静态工作电流为625?900 μ A,关断电流为95?160 μ Α,恒定输出电流为2Α。
[0024]为确保本发明有效的实施,所述的电容C8,电容C9,电容C10,电容Cll,电容C12,
采用极性电容。
[0025]本发明的线性驱动电路由驱动芯片U1,三极管VT2,三极管VT3,三极管VT4,三极管VT5,电阻R18,电阻R9,电阻R10,电阻R11,电阻R12,电阻R13,电阻R14,极性电容C5,极性电容C6,极性电容C7,二极管D6,二极管D7,以及非门K组成。
[0026]具体实施时,极性电容C5的正极与触发电路相连接、负极经电阻R8后与驱动芯片U的INl管脚相连接。电阻R9的一端与三极管VT5的集电极相连接、另一端经电阻RlO后与三极
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