可调式振荡装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种可调式振荡装置，可用以产生多种不同频率的振荡信号，并可缩小电路的设置面积及制作成本。
【背景技术】
[0002]在无线传输系统中，锁相回路(PLL:Phase-locked loops)是经常被使用的电路。锁相回路可被视为是一种控制系统，其输出信号的相位与输入信号的相位相关。一般而言，锁相回路包括一相位检测器(Phase Detector)及一振荡器(Oscillator)，其中振荡器可用以产生一周期性的信号，而相位检测器则会比对振荡器的信号及一参考信号，并调整振荡器输出的信号的相位。
[0003]振荡器主要用以将接收的直流信号，转换成产生周期性的交流振荡信号。为了适应多种频率的通讯装置，通常会在单一个通讯装置内设置多个振荡器或锁相回路，并分别用以产生不同频率的振荡信号。如此一来虽然可使得通讯装置传输或接收多种频率的信号，但设置多个振荡器或锁相回路亦会增加通讯装置的电路设置的成本及面积。
【发明内容】
[0004]本发明的一目的，在于提供一种可调整式振荡装置，可用以产生多种不同频率的振荡信号，并可有效降低可调式振荡装置的设置面积及制作成本。
[0005]本发明的一目的，在于提供一种可调整式振荡装置，包括一振荡区块及电源供应单元，其中电源供应单元电性连接振荡区块及串联的可变电阻及晶体管。可变电阻可用以调整电源供应单元提供给振荡区块的电流大小，而晶体管两端会产生电压差，并可降低可变电阻需要提供的电阻值及设置面积。
[0006]本发明的一目的，在于提供一种可调式振荡装置，其中振荡区块包括一个或多个可变电容。振荡区块的可变电容连接第一晶体管，而电源供应单元则连接串联的第二晶体管及可变电阻。通过第一晶体管与第二晶体管的相互搭配，将可使得可调式振荡装置在各种温度变化下所产生的振荡信号的频率偏移量符合相关的规范。
[0007]为达到上述目的，一种可调式振荡装置，包括:一振荡区块，包括:一振荡单元；多个可变电容，电性连接振荡单元；至少一第一晶体管，分别电性连接多个可变电容；一电源供应单元，电性连接振荡区块，并向振荡区块提供电流；至少一第二晶体管；及至少一可变电阻，串联第二晶体管，其中串联的第二晶体管及可变电阻电性连接电流供应单元。
[0008]在本发明可调式振荡装置一实施例中，其中第一晶体管及第二晶体管连接成为二极管型式。
[0009]在本发明可调式振荡装置一实施例中，还包括多个开关单元，分别并联各个第一晶体管及第二晶体管。
[0010]在本发明可调式振荡装置一实施例中，其中可调式振荡装置为一弛张振荡器。
[0011]在本发明可调式振荡装置一实施例中，其中振荡单元包括:一闩锁器，包括两个输入端及两个输出端；两个比较器，分别包括两个输入端及一输出端，其中两个比较器的输出端分别电性连接闩锁器的两个输入端；两个反相器，包括一输入端及一输出端，其中两个反相器的输入端分别电性连接闩锁器的两个输出端，而两个反相器的输出端则分别电性连接两个比较器的其中一个输入端。
[0012]在本发明可调式振荡装置一实施例中，其中电流供应单元包括:一放大器，包括两个输入端及一输出端，其中串联的第二晶体管及可变电阻电性连接放大器的其中一个输入端，而放大器的输出端则负反馈至输入端；一电流镜，电性连接放大器的输出端及振荡区块。
[0013]在本发明可调式振荡装置一实施例中，其中反相器为CMOS反相器。
[0014]在本发明可调式振荡装置一实施例中，其中反相器电性连接电源供应单元，且电源供应单元用以提供电流给反相器。
[0015]在本发明可调式振荡装置一实施例中，其中第一晶体管的数量为多个，并分别电性连接各个可变电容。
[0016]在本发明可调式振荡装置一实施例中，其中第一晶体管的数量为一个，并电性连接各个可变电容。
[0017]以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
【附图说明】
[0018]图1为本发明可调式振荡装置一实施例的方框连接示意图；
[0019]图2为本发明可调式振荡装置又一实施例的方框连接示意图；
[0020]图3为本发明可调式振荡装置一实施例的电路连接示意图；
[0021]图4为本发明可调式振荡装置又一实施例的电路连接示意图；
[0022]图5为本发明可调式振荡装置又一实施例的电路连接示意图；及
[0023]图6为本发明可调式振荡装置又一实施例的电路连接示意图。
[0024]虽然已通过举例方式在附图中描述了本创作的【具体实施方式】，并在本文中对其作了详细的说明，但是本创作还允许有各种修改和替换形式。本创作的附图内容可为不等比例，附图及其详细的描述仅为特定型式的揭露，并不为本创作的限制，相反的，依据权利要求范围的精神和范围内进行修改、均等构件及其置换皆为本创作所涵盖的范围。
[0025]其中，附图标记
[0026]10可调式振荡装置11振荡区块
[0027]12振荡单元13第一晶体管
[0028]14可变电容15电源供应单元
[0029]16开关单元171第二晶体管
[0030]173可变电阻
[0031]20可调式振荡装置21振荡区块
[0032]22振荡单元221闩锁器
[0033]223比较器2231 第一比较器
[0034]2232 输入端2233 第二比较器
[0035]2234 输出端225反相器
[0036]2251输入端2253 输出端
[0037]23第一晶体管24可变电容
[0038]241第一可变电容243第二可变电容
[0039]25电源供应单元251电流镜
[0040]253放大器2531输入端
[0041]2533输出端26开关单元
[0042]271第二晶体管273可变电阻
【具体实施方式】
[0043]下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述:
[0044]请参阅图1，为本发明可调式振荡装置一实施例的方框连接示意图。如图所示，本发明所述的可调式振荡装置10主要包括一振荡区块11、至少一第一晶体管13、一电源供应单元15、至少一第二晶体管171及至少一可变电阻173，其中振荡区块11包括一振荡单元12及多个可变电容14。
[0045]电源供应单元15电性连接振荡区块11，并用以提供电流I给振荡区块11，例如电源供应单元15可以是电流源，而振荡单元12则可用以控制可变电容14充电或放电，使得振荡区块11产生振荡信号。具体来说振荡区块11的振荡信号的频率与电源供应单元15提供给振荡区块11的电流I大小相关，亦与可变电容14的电容值的大小相关。
[0046]在本发明实施例中，电源供应单元15电性连接串联的第二晶体管171及可变电阻173，例如通过至少一第二晶体管171及至少一可变电阻173连接第一电压VI。第二晶体管171可为金氧半场效晶体管(MOSFET)，其中第二晶体管171的源极或漏极连接可变电阻173，并可通过可变电阻173调整电源供应单元15提供给振荡区块11的电流I的大小。
[0047]当可变电阻173的电阻值较大时，电源供应单元15提供给振荡区块11的电流I将会减小。随着电流I的减小，对可变电容14进行充放电的时间将会增加，使得振荡区块11产生的振荡信号的频率降低，例如振荡区块11可适用于IKHz的信号。
[0048]此外，当可变电阻173的电阻值较小时，电源供应单元15提供给振荡区块11的电流I将会增加。随着电流I的增加，对可变电容14进行充放电的时间将会减小，使得振荡区块11产生的振荡信号的频率增加，例如振荡区块11可适用于32KHz及/或1024KHZ的信号。
[0049]相较于本发明所述的可调式振荡装置10，现有技术并无法调整振荡信号的频率，例如当需要1ΚΗζ、32ΚΗζ及1024KHZ的振荡信号时，则可能需要设置三组振荡装置，以分别产生三种不同频率的振荡信号，如此一来将会增加振荡装置的电路设置成本及面积。相较之下，本发明只需要设置单一个可调式振荡装置10，便可产生多种不同频率的振荡信号，藉此可有效