卡片保护电路、卡槽、终端的制作方法

本实用新型涉及电路技术领域，尤其涉及一种卡槽保护电路、卡槽、终端。

背景技术：

随着终端技术的不断发展，终端上的卡槽数量逐渐增多，除了单一的用户识别(Subscriber Identity Module，SIM)卡的卡槽以外，还具有第二SIM卡的卡槽、存储(Trans FLash，TF)卡的卡槽等。如图1所示，为了减小终端的体积，将多个卡槽集成在一个卡托上，形成三选二卡托。

用户使用三选二卡托时，将SIM卡或者TF卡放入相应的位置后，将三选二卡托插入终端上对应的卡槽内，终端可以读取SIM卡或者TF卡的信息，使用与放入的卡片所对应的功能。

然而，现有技术中，在用户插入三选二卡托或拔出三选二卡托的过程中，卡槽内用于识别SIM卡或者TF卡的位置会一直供电，容易使得卡托内放入的卡片短路，造成卡片损坏。

技术实现要素：

本实用新型实施例提供一种卡片保护电路、卡槽、终端，用以保护卡片，避免卡片损坏。

本实用新型实施例提供一种卡片保护电路，包括：

识别端；

三极管；

场效应管；

电源输入端；

电源输出端；

所述识别端连接所述三极管的基极，所述三极管的发射级接地，所述三极管的集电极连接所述场效应管的栅极；

所述电源输入端连接所述场效应管的漏极，所述电源输出端连接所述场效应管的源极。

进一步地，上述电路中，所述电源输入端还连接电源；所述电源输出端还连接卡片的触点。

进一步地，上述电路中，还包括：第一电阻；

所述第一电阻的第一端连接所述识别端，所述第一电阻的第二端连接所述三极管的基极。

进一步地，上述电路中，还包括：第二电阻；

所述第二电阻的第一端连接所述电源输入端，所述第二电阻的第二端连接所述三极管的集电极。

进一步地，上述电路中，还包括：第三电阻；

所述第三电阻的第一端连接所述电源输入端，所述第三电阻的第二端连接所述电源输出端。

进一步地，上述电路中，所述第三电阻为零欧姆电阻。

进一步地，上述电路中，所述场效应管为金属—绝缘体—半导体场效应MOS管。

本实用新型实施例还提供一种卡槽，包括上述任一项所述的卡片保护电路。

本实用新型实施例还提供一种移动终端，包括上述卡槽。

本实用新型实施例提供的卡片保护电路、卡槽、终端，通过识别端检测卡片是否完全进入卡槽，当识别端检测到卡片没有完全进入卡槽时，识别端向三极管发送低电平信号，使得场效应管不导通，电源输入端与电源输出端之间为断路，电源输出端无法为卡片供电，当识别端检测到卡片完全进入卡槽，识别端向三极管发送高电平信号，使得场效应管导通，电源输出入端与电源输出端导通，由电源输出端为卡片供电，因此，本实用新型实施例中当卡片完全进入卡槽内才开始为卡片供电，避免了在插入三选二卡托或拔出三选二卡托的过程中，卡槽内用于识别卡片的位置会一直供电导致的卡片短路，造成卡片损坏的问题，实现了对卡片的保护。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中的卡托；

图2为本实用新型实施例提供的卡片保护电路的结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的卡片保护电路的另一结构示意图；

图4为本实用新型实施例提供的卡片保护方法实施例的流程图。

附图标记：

1—识别端

2—三极管

3—场效应管

4—电源输入端

5—电源输出端

6—第一电阻

7—第二电阻

8—第三电阻

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例一

图2为本实用新型实施例提供的卡片保护电路的结构示意图，如图2所示，本实用新型实施例提供的卡片保护电路，可以包括：识别端1、三极管2、场效应管3、电源输入端4以及电源输出端5。

如图1所示，识别端1连接三极管2的基极，三极管2的发射级接地，三极管2的集电极连接场效应管3的栅极，电源输入端4连接场效应管3的漏极，电源输出端5连接场效应管3的源极。其中，识别端1用于识别卡片是否完全进入卡槽，电源输入端4连接电源，电源为卡片保护电路所在的主体内的电源，电源输出端5连接卡片的触点，使得当卡片完全进入卡槽内时，电源输出端5与卡片完全接触为卡片供电。

图3为本实用新型实施例提供的卡片保护电路的另一结构示意图，如图3所示，在一种具体的实现过程中，卡片保护电路中还包括第一电阻6，第一电阻6的第一端连接识别端1，第一电阻6的第二端连接三极管2的基极。在本实用新型实施例中，第一电阻的作用为三极管2提供一个适合的电压。

如图3所示，在一种具体的实现过程中，卡片保护电路中还包括第二电阻7，第二电阻7的第一端连接电源输入端4，第二电阻7的第二端连接三极管2的集电极。在本实用新型实施例中，通过设定第二电阻7可以对三极管2起到保护作用。

如图3所示，在一种具体的实现过程中，卡片保护电路中还包括第三电阻8，第三电阻8的第一端连接电源输入端4，第三电阻8的第二端连接电源输出端5。设置第三电阻8的目的在于为卡槽内的电路走向提供多种选择，其含义为，若使用第三电阻8，则不使用卡片保护电路，若不使用第三电阻8，则使用卡片保护电路。为了使用方便，第三电阻8可以采用零欧姆电阻，然后，使用其他电阻以贴片的形式附着在零欧姆电阻上。

需要说明的是，本实用新型实施例中，场效应管为MOS(metal oxide semiconductor，金属—绝缘体—半导体)场效应管。

本实用新型实施例提供的卡片保护电路，通过识别端1检测卡片是否完全进入卡槽，当识别端检测1到卡片没有完全进入卡槽，识别端1向三极管2发送低电平信号，使得场效应管3不导通，电源输入端4与电源输出端5之间为断路，电源输出端5无法为卡片供电，当识别端1检测到卡片完全进入卡槽，识别端1向三极管2发送高电平信号，使得场效应管3导通，电源输出入端4与电源输出端5导通，由电源输出端5为卡片供电，因此，本实用新型实施例中当卡片完全进入卡槽内才开始为卡片供电，避免了在插入三选二卡托或拔出三选二卡托的过程中，卡槽内用于识别卡片的位置会一直供电导致的卡片短路，造成卡片损坏的问题，实现了对卡片的保护。

实施例二

本实用新型实施例还提供一种卡槽，卡槽中包括实施例一中的卡片保护电路。

实施例三

本实用新型实施例还提供一种移动终端，移动终端包括实施例二中的卡槽。

实施例四

图4为本实用新型实施例提供的卡片保护方法实施例的流程图，如图4所示，本实用新型实施例还提供一种卡片保护方法，具体可以包括如下步骤：

401、识别端检测卡片是否完全进入卡槽，若检测到卡片没有完全进入卡槽，执行步骤402，若检测到卡片完全进入卡槽，执行步骤403。

具体地，在本实用新型实施例中，识别端通过检测卡片上的触点是否与识别端完全对应来确认卡片是否完全进入卡槽，即若卡片上的触点与识别端完全对应，则识别端检测出卡片完全进入卡槽，若卡片上的触点没有与识别端完全对应，则识别端检测出卡片没有完全进入卡槽。

402、识别端向三极管发送低电平信号，三极管根据所述低电平信号控制场效应管不导通，以断开电源输入端与电源输出端之间的连接。

其中，所述电源输出端连接所述卡片的触点；所述电源输入端连接电源。

403、识别端向三极管发送高电平信号，三极管根据高电平信号控制场效应管导通，使得电源输入端与电源输出端之间接通。

本实用新型实施例提供的卡片保护方法，通过识别端检测卡片是否完全进入卡槽，当识别端检测到卡片没有完全进入卡槽，识别端向三极管发送低电平信号，使得场效应管不导通，电源输入端与电源输出端之间为断路，电源输出端无法为卡片供电，当识别端检测到卡片完全进入卡槽，识别端向三极管发送高电平信号，使得场效应管导通，电源输出入端与电源输出端导通，由电源输出端为卡片供电，因此，本实用新型实施例的技术方案中当卡片完全进入卡槽内才开始为卡片供电，避免了在插入三选二卡托或拔出三选二卡托的过程中，卡槽内用于识别卡片的位置会一直供电导致的卡片短路，造成卡片损坏的问题，实现了对卡片的保护。

本领域普通技术人员可以理解：实现上述各方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成。前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中。该程序在执行时，执行包括上述各方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到至少两个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性的劳动的情况下，即可以理解并实施。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。